arsin oor Engels

arsin

Vertalings in die woordeboek Sweeds - Engels

arsenic

naamwoord

arsine

naamwoord

voorbeelde

Det finns utvecklad teknik för förstöring av lewisit genom hydrolys och elektrolys vilket ger slutprodukten arsin som därefter kan användas för industriella ändamål.
The technology for the destruction of lewisite on the basis of hydrolyse and electrolyse is established, leaving arsine as end-product to be further utilised for industrial purposes.

(c) gaser med ämnesnummer 2TF dock inte 2188 arsin, 2202 selenväte och blandningar därav;
(c) gases of item 2 TF other than 2188 arsine, 2202 hydrogen selenide or mixtures thereof;

Tris(#-klorvinyl)arsin (CAS-nr
Tris (#-chlorovinyl) arsine (CAS

c)gaser med ämnesnummer #TF dock inte # arsin, # selenväte och blandningar därav
c)gases of #°TF other than # arsine, # hydrogen selenide and mixtures thereof

Arsin (arseniktrihydrid) || 1
Arsine (arsenic trihydride) || 1

Tris(#-klorvinyl)arsin (CAS
Tris (#-chlorovinyl) arsine (CAS

(c) gaser med ämnesnummer 2TF dock inte 2188 arsin, 2202 selenväte och blandningar därav;
(c) gases of 2°TF other than 2188 arsine, 2202 hydrogen selenide and mixtures thereof;

Arsin (ASH3) och fosfin (PH3) används för dopning (dopämnen tillförs waferkortets yta för att ändra halvledarens egenskaper). Kvävetrifluorid (NF3), hexafluoretan (C2F6) och koltetrafluorid (CF4) används för etsning (för att avlägsna material på waferkortets yta för att skapa det integrerade kretsmönstret). Volframhexafluorid (WF6) används för metalldeponering och hexafluoretan och kvävetrifluorid används som rengöringsmedel.
Speciality gases contain various chemical molecules required by the electronics industry to manufacture semiconductors to be used in the different steps of the manufacturing process (so-called electronic speciality gases - ESGs): for example Silane (SiH4) is used for deposition of a layer of pure silicon or silicon oxide on the surface of the wafer, Arsine (ASH3) and Phosphine (PH3) for doping (addition of dopants on the surface of the wafer in order to change semiconductor properties), Nitrogentrifluoride (NF3), Hexafluoroethane (C2F6) and Carbontetrafluoride (CF4) for etching (in order to remove materials on the surface of the wafer to create the integrated circuit pattern), Tungstenhexafluoride (WF6) for metal deposition and Hexafluoroethane and Nitrogentrifluoride as cleaning agents.

(5) Rymden är begränsad till 50 liter beträffande kärl för blandningar av väte med högst 10 volym- % väteselenid, fosfin eller german eller med högst 15 volym- % arsin, blandningar av kväve eller ädelgaser (som innehåller högst 10 volym- % xenon) med högst 10 volym- % väteselenid, fosfin eller german med högst 15 volym- % arsin 2 (bt), blandningar av väte med högst 10 volym- % diboran, blandningar av kväve eller ädelgaser (som innehåller högst 10 volym- % xenon) med högst 10 volym- % diboran 2 (ct). Vätsketrycket vid provningen (provningstrycket) får inte understiga 20 MPa (200 bar) och fyllningstrycket får inte överstiga 5 MPa (50 bar) vid en temperatur av 15 °C.
(5) In the case of receptacles intended for the carriage of mixtures of hydrogen with not more than 10 % hydrogen selenide or phosphine or germane by volume or with not more than 15 % arsine by volume; of mixtures of nitrogen or rare gases (containing not more than 10 % xenon by volume) with not more than 10 % hydrogen selenide or phosphine or germane by volume or with not more than 15 % arsine by volume, of 2° (bt); of mixtures of hydrogen with not more than 10 % diborane by volume; or of mixtures of nitrogen or rare gases (containing not more than 10 % xenon by volume) with not more than 10 % diborane by volume, of 2° (ct), the capacity shall be limited to 50 l; the hydraulic pressure to be applied in the test (test pressure) shall be not less than 20 MPa (200 bar); and the filling pressure shall not exceed 5 MPa (50 bar) at a temperature of 15 °C.

Arsin (arseniktrihydrid)
Arsine (arsenic trihydride)

2206 (1) Gaser av ämnesnummer 3 (a) och 3 (b) - med undantag av monometylsilan - av ämnesnummer 3 (bt) - med undantag av arsin, diklorsilan, dimetylsilan, trimetylsilan och väteselenid - av ämnesnummer 3 (c) och ämnesnummer 3 (ct) - med undantag av cyanklorid - och blandningar av gaser av ämnesnummer 4 (a) och 4 (b) får under förutsättning att vätskans vikt per liter rymd inte överstiger vare sig innehållets maximivikt enligt marginalnummer 2220 eller 150 g per rör, inneslutas i glasrör med tjocka väggar eller i metallrör med tjocka väggar av en metall tillåten enligt marginalnummer 2203 (2).
2206 (1) Gases of 3° (a); 3° (b) other than methylsilane; 3° (bt) other than arsine, dichlorosilane, dimethylsilane, hydrogen selenide and trimethylsilane; 3° (c); 3° (ct) other than cyanogen chloride; and mixtures of 4° (a) and 4° (b), may also, on condition that the mass of liquid per litre of capacity does not exceed either the maximum mass of contents indicated in marginal 2220 or 150 g per tube, be contained in thick-walled glass tubes, or in thick-walled metal tubes made of a metal allowed by marginal 2203 (2).

tris(#-klorvinyl)arsin (CAS-nr
Tris (#-chlorovinyl) arsine (CAS

Arsin, diklorsilan, dimetylamin, dimetylsilan, etylklorid (kloretan), karbonylsulfid (frätande), metylklorid (klormetan), metylmerkaptan, (metantiol), monoetylamin (etylamin), monometylamin (metylamin), trimetylamin, trimetylsilan, väteselenid, vätesulfid (svavelväte)
Arsine; carbonyl sulphide (corrosive); dichlorosilane; dimethylamine; dimethylsilane; ethylamine; ethyl chloride; hydrogen selenide; hydrogen sulphide; methylamine; methyl chloride; methyl mercaptan; trimethylamine; trimethylsilane.

Rymden är begränsad till 50 liter hos kärl för: kiseltetrafluorid av ämnesnummer 1 (at), bortriklorid, nitrosylklorid och sulfurylfluorid av ämnesnummer 3 (at), monometylsilan av ämnesnummer 3 (b), arsin, diklorsilan, dimetylsilan, trimetylsilan och väteselenid av ämnesnummer 3 (bt), cyanklorid och cyan av ämnesnummer 3 (ct), blandning av metylsilaner av ämnesnummer 4 (bt), etenoxid med högst 50 vikt-% metylformiat med kväve vid ett tryck av högst 1 MPa (10 bar) vid 50 °C 4 (ct), silan 5 (b) och för gaser av ämnesnummer 5 (bt) och (ct).
The capacity of receptacles for silicon tetrafluoride of 1° (at); boron trichloride, nitrosyl chloride and sulphuryl fluoride of 3° (at); methylsilane of 3° (b); arsine, dichlorosilane, dimethylsilane, hydrogen selenide and trimethylsilane, of 3° (bt); cyanogen chloride and cyanogen of 3° (ct); mixtures of methylsilanes of 4° (bt); ethylene oxide containing not more than 50 % methyl formate by mass, of 4° (ct); silane, of 5° (b); and substances of 5° (bt) and (ct), shall be limited to 50 l.

Inte tillgänglig 8 La Casina Ione MastianoVia Di Arsina, 1818, 55100 Arsina Lu, Italy, Mastiano, Italien, 55100, visa på karta
Not available 8 La Casina Ione MastianoVia Di Arsina, 1818, 55100 Arsina Lu, Italy, Mastiano, Italy, 55100, show map

Spår av vatten är svåra att identifiera i arsin, som absorberar ljus i en komplex, överbelastad mönster över ett brett frekvensområde.
Traces of water are hard to identify in arsine, which absorbs light in a complex, congested pattern across a broad frequency range.

- Detaljerade kartor över Arsin som visar var hotellen ligger, samt närmaste transportmedel och turistattraktioner
- Detailed Arsin maps showing the locations of your hotel in Arsin and the nearest transport and landmarks

Föroreningar: Caustic soda innehåller ofta kalcium arsenid (Ca3As2), kalciumfosfid (Ca3P2) och andra föroreningar, och vattnets roll frigör samtidigt arsin (AsH3), fosfin (PH3) och andra giftiga gaser, så användningen av acetylen alstrat av kalciumkarbid är giftigt.
Impurities: Caustic soda often contain calcium arsenide (Ca3As2), calcium phosphide (Ca3P2) and other impurities, and the role of water at the same time release arsine (AsH3), phosphine (PH3) and other toxic gases, so the use of Acetylene generated by calcium carbide is toxic.

8,3 Arsine från USA
8.3 Arsine from United States