Betrieb in Sperrichtung oor Engels

Betrieb in Sperrichtung

Vertalings in die woordeboek Duits - Engels

reverse-biasing

naamwoord

voorbeelde

Betrieb {m} in Sperrichtung
reverse-biasing

Der niedrig dotierte Basisbereich (8) hat im mittleren Teil eine zur Optimierung der elektrischen Parameter angepaßte geringere effektive Dicke als am Rand, so daß bei Dimensionierung auf punch through ein Durchbruch bei Betrieb in Sperrichtung im mittleren Teil auftritt.
The lightly doped base area (8) in its central part has a lower effective thickness than along the border, which thickness is adjusted for optimization of the electrical parameters, so that when the dimensions of the component are chosen to obtain a punch-through, said punch-through occurs in the central area when the component is operated in the direction of blockage.

Wird dieser von Strom durchflossen, so kommt es an dem in Sperrichtung betriebenen pn- bzw. np-Übergang zu Lichtemission.
Light is emitted in the reverse-biased pn or np junction region when said region is flown through by a current.

... sind prinzipiell in Sperrichtung betriebene Dioden mit einer großvolumigen Sperrschicht, die mit einem ladungsempfindlichen Vorverstärker ausgelesen werden.
... are principially diodes, which are operated in reverse direction and have a large depleted volume.

3) Die LED kann kurzzeitig in Sperrichtung betrieben werden.
3) Driving the LED in reverse direction is suitable for short term application.

3) Die LED kann in Sperrichtung kurzzeitig betrieben werden.
3) Driving the LED in reverse direction is suitable for short term application.

Die Spannungsbegrenzungsschaltung 26 weist dabei als Eingangsstufe einen Begrenzungswiderstand 28 auf, der mittels einer in Sperrichtung betriebenen Zenerdiode 27 mit Masse verbunden ist.
The voltage limiting circuit 26 has in this case as an input stage a limiting resistor 28 which is connected by means of a reverse biased zener diode 27 to ground.

Versuchsaufbau Eine Germanium-Diode wird in Sperrichtung betrieben und die dabei an der Diode anliegende Rauschspannung mit Hilfe eines hochohmigen Differenzverstärkers (zwecks Vermeidung von Brummstörungen) verstärkt und einem Aktivlautsprecher sowie einem digitalen Audiorecorder zugeführt.
The experimental setup A Germanium diode is operated in reverse direction. The noise voltage produced by the diode is amplified by a high-impedance balanced preamplifier (to avoid mains hum disturbances).

Die Spannungsbegrenzungsschaltung 26 weist dabei als Eingangsstufe einen Begrenzungswiderstand 28 auf, der mittels einer in Sperrichtung betriebenen Zenerdiode 27 mit Masse verbunden ist. Der zwischen dem Begrenzungswider stand 28 und der Zenerdiode 27 liegende Ausgang 41 der Be grenzungsschaltung 26 ist mit einem Eingang einer Differen zierschaltung 21 verbunden, wobei der Ausgang der Begren zungsschaltung 26 über einen Widerstand 42 an haltung 21 ist mit ihrem Ausgang 30 mit einem Eingang eines als Spannungsfolger geschalteten Verstär ker 31 verbunden.
The voltage limiting circuit 26 has in this case as an input stage a limiting resistor 28 which is connected by means of a reverse biased zener diode 27 to ground. between the limiting abutment 28 and the zener diode lying 27 output 41 of Be grenzungsschaltung 26 is connected to an input of a differentiation ornamental circuit connected to 21, wherein the output of the Begren limitation circuit 26 is applied through a resistor 42 to ground, in order to ensure a defined terminating resistor. Die DifferenzierscThe differentiating circuit 21 is connected with its output 30 to an input of ker connected as a voltage follower output of amplifier 31 is joined to an input of non-inverting amplifier 32 is the output signal of the monitoring circuit output signal of the forms 20th

6) wird die Diode D1 in Sperrichtung betrieben, wodurch die am Gate-Anschluß des Leistungstransistors LT anliegende Spannung U3p (Spannung an der Eingangskapazität C) vorhanden bleibt, da die Entladung über den Widerstand R3 nur sehr langsam Somit bleibt die positive Spannung U3p während der gesamten Dauer von T3p bestehen (siehe Dabei ist vorausgesetzt, daß die Zeitkonstante bestehend aus dem Widerstand R3 und der Kapazität C mehr als zehn mal so groß ist wie Periode T des Nur dann ist die Entladung über den Widerstand R3 zu vernachlässigen.
6) is operated, the diode D1 in the reverse direction, whereby the voltage present at the gate terminal of the power transistor LT voltage U3P remains present (voltage at the input capacitance C), since the discharge through the resistor R3 very slowly taking place. Fig. 7).