epitaxial oor Kroaties

epitaxial

adjektief

Of, pertaining to, or employing epitaxy

Vertalings in die woordeboek Engels - Kroaties

površinski

voorbeelde

b. Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:
b. monokristali (uključujući epoksi smole) bilo čega od sljedećega:

Note: 6A005.d.1.d.1.d. does not control epitaxially-fabricated monolithic devices.
Napomena: 6A005.d.1.d.1.d. ne odnosi se na epitaksijalno izrađene monolitne uređaje.

“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.

Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni od „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve od bilo kojeg od sljedećih materijala:

Note: 3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Napomena: 3B001.a.1. uključuje opremu za epitaksiju atomskog sloja.

Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:
monokristali (uključujući epoksi smole) bilo čega od sljedećega:

‘Substrates’ specified in item 5 above with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podloge” navedene u prethodnoj stavki 5. s najmanje jednim epitaksijalnim slojem od silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.

This heading does not include discs (sometimes referred to as wafers) which, for the purposes of their applications in the field of electronics, consist of doped chemical elements, whether or not polished and whether or not epitaxially coated, provided that they have not been selectively doped or diffused to create discrete regions (heading 3818 00 ).
Ovaj tarifni broj ne uključuje pločice (ponekad pod nazivom waferi) koje se, radi njihove primjene u polju elektronike, sastoje od dopiranih kemijskih elemenata, poliranih ili nepoliranih i epitaksijalno prevučenih ili neprevučenih, uz uvjet da su selektivno dopirani ili raspršeni radi stvaranja diskretnih područja (tarifni broj 3818 00 );

Semiconductor wafer processing components, namely, epitaxial reactors, rapid thermal processing systems, atomic layer deposition reactors, chemical vapor deposition reactors, physical vapor deposition reactors, plasma etchers, ion implanters, chemical mechanical polishers
Komponente za obradu tankih poluvodičkih pločica, Odnosno, Epitaksialni reaktori, Sustavi za brzu termalnu obradu, reaktori za taloženje atomskog sloja, Reaktori za kemijsko taloženje pare, Reaktori za fizičko taloženje pare, Naprave za graviranje s plazmom, Uređaji za implantaciju iona, Kemijsko-mehanička sredstva za poliranje

Hetero-epitaxial materials consisting of a ‘substrate’ having stacked epitaxially grown multiple layers with any of the following:
Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni iz „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve iz bilo kojeg od sljedećih materijala:

3C006"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
3C006„Podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.

Note: 6A005.d.1.d.2.d. does not control epitaxially-fabricated monolithic devices.
Napomena: 6A005.d.1.d.2.d. ne odnosi se na epitaksijalno izrađene monolitne uređaje.

Note: 3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Napomena: 3C001.d. ne odnosi se na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijalnih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa.

This heading does not include discs (sometimes referred to as wafers) which, for the purposes of their applications in the field of electronics, consist of doped chemical elements, whether or not polished and whether or not epitaxially coated, provided that they have not been selectively doped or diffused to create discrete regions (heading 3818 00).
Ovaj tarifni broj ne uključuje pločice (ponekad pod nazivom waferi) koje se, radi njihove primjene u polju elektronike, sastoje od dopiranih kemijskih elemenata, poliranih ili nepoliranih i epitaksijalno prevučenih ili neprevučenih, uz uvjet da su selektivno dopirani ili raspršeni radi stvaranja diskretnih područja (tarifni broj 3818 00);

Note: This item does not apply to a ‘substrate’ having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Napomena: Ova se stavka ne odnosi na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijalnih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa.

Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
oprema za epitaksijalni rast s molekularnim snopom koja upotrebljava plinovite ili krute izvore;

a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a. oprema namijenjena za epitaksijalni rast, kako slijedi:

3C006"Substrates" specified in 3C005 With at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
3C006„Podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.

"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.

Hetero-epitaxial materials consisting of a ‘substrate’ having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni od „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve od bilo kojeg od sljedećih materijala: