CMOS oor Koreaans

CMOS

naamwoord
en
(photography) a CMOS based image sensor

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상보성 금속 산화막 반도체

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voorbeelde

Advanced filtering
Toshiba was also a second-source maker of the CMOS 68HC000 (TMP68HC000).
도시바는 CMOS 68HC000 (TMP68HC000)의 세컨드 소스 제조사이기도 하다.WikiMatrix WikiMatrix
The 9672 implementations of System/390 were the first high-end IBM mainframe architecture implemented first with CMOS CPU electronics rather than the traditional bipolar logic.
시스템/390의 9672 구현체는 전통적인 양극 논리가 아닌, CMOS CPU 전자 장치들과 함께 구현된 최초의 하이엔드 IBM 메인프레임 아키텍처였다.WikiMatrix WikiMatrix
The present invention relates to a CMOS image sensor including a color microlens, in which the color characteristics of the microlens are improved by substituting a microlens made of a transparent material with a material having characteristics similar to those of a color filter, and to a method for manufacturing same.
본 발명은 투명한 재질로 제작하던 마이크로 렌즈를 칼라필터와 유사한 특성을 지닌 물질로 대체하여 마이크로 렌즈의 칼라특성을 향상시킨 칼라 마이크로 렌즈를 구비한 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.patents-wipo patents-wipo
The present invention relates to a CMOS image sensor including infrared pixels (in addition to R, G, B pixels) having improved spectral properties and having a color filter for the R, G, B pixels and a filter for the infrared pixels that are on mutually different levels, and to a method of manufacturing same.
본 발명은 R, G, B 픽셀 외에 적외선 픽셀을 구비하는 이미지센서에서 R, G, B 픽셀의 칼라필터와 적외선 픽셀의 필터가 서로 다른 단차를 갖도록 한 분광특성이 강화된 적외선 픽셀을 구비하는 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 각각의 픽셀에 따른 칼라필터 및 적외선 필터가 서로 다른 수직 단차를 갖도록 형성됨으로써 칼라필터 및 적외선필터 형성 시 재료의 특성에 따른 영향을 받지 않고 필터의 두께를 임의로 조절하여 크로스토크 특성을 개선시킬 수 있는 장점이 있다.patents-wipo patents-wipo
According to one embodiment, provided is an infrared sensor chip comprising: a CMOS circuit board which incorporates an active matrix, a low-line selector and an output multiplexer; and a bolometer which is stacked on top of the CMOS circuit board and incorporates an active cell and a reference cell.
실시예에 따르면, 액티브 매트릭스, 로우 라인 선택부 및 출력 멀티플렉서부로 구성된 CMOS회로 기판; 및 상기 CMOS 회로 기판 상에 적층되며, 액티브 셀과 레퍼런스 셀로 구성되는 볼로미터를 포함하고, 웨이퍼 또는 칩 상태에서의 상기 볼로미터에 대한 동작, 최종 및 파라메트릭 테스트를 위해, 상기 로우 라인 선택부는 상기 볼로미터 중 전압 인가의 대상이 되는 셀을 선택하고, 상기 출력 멀티플렉서부는 상기 전압 인가에 따른 전류 특성을 출력하는 적외선 센서칩이 제공된다.patents-wipo patents-wipo
" AMO " and we can set up the same relationship for " CMO "
왼쪽 삼각형 " AMO" 에서 이러한 사실을 알 수 있고, " CMO" 에도 같은 관계를 정리할 수 있습니다QED QED
It is found on many digital still and video cameras using CMOS sensors.
이는 CMOS 센서를 사용하는 수많은 디지털 스틸 및 비디오 카메라에서 볼 수 있다.WikiMatrix WikiMatrix
Solenoid inductor for use in a frequency synthesizer in a digital cmos process
디지털 CMOS 공정에서 주파수 합성기에 사용되는 솔레노이드 인덕터patents-wipo patents-wipo
Method for obtaining a composite image using rotationally symmetrical wide-angle lenses, imaging system for same, and cmos image sensor for image-processing using hardware
회전 대칭형의 광각 렌즈를 이용하여 복합 영상을 얻는 방법과 그 영상 시스템 및 하드웨어적으로 영상처리를 하는 씨모스 이미지 센서patents-wipo patents-wipo
Cmos image sensor and method for manufacturing same
씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법patents-wipo patents-wipo
According to the present invention, the use of a solenoid inductor for implementing a frequency synthesizer that operates in a frequency band of at least 4-5 GHz in the digital CMOS process makes it possible to obtain a frequency synthesizer of several GHz bands that can only be implemented in an RF CMOS process.
본 발명에 의하면, 디지털 CMOS 공정에서 4-5GHz 이상의 주파수 대역에서 동작하는 주파수 합성기를 구현하기 위해 솔레노이드 인덕터를 사용함으로써, RF CMOS 공정에서만 구현 가능한 수 GHz 대역의 주파수 합성기를 구현할 수 있는 효과가 있다.patents-wipo patents-wipo
We know in " CMO " " CM " squared plus " OM " squared is equal to " OC " squared
" CMO" 에서 " CM" 의 제곱과 " OM" 의 제곱의 합은 " OC" 의 제곱과 같습니다QED QED
Cmos image sensor and method for operating same
씨모스 이미지 센서 및 그것의 동작 방법patents-wipo patents-wipo
The CMOS image sensor of the present invention is characterized in that a first signal charge accumulated in the light receiving element is transferred to and is stored in the charge storage unit during a first exposure accumulation time, a second signal charge is accumulated in the light receiving element during a second exposure accumulation time, and the signals corresponding to the first signal charge and the second signal charge are sequentially read in the period for reading the information of the signal charges stored in the unit pixel.
본 발명의 씨모스 이미지 센서는, 수광 소자(예: 포토다이오드); 상기 수광 소자에 연결되어서 상기 수광 소자의 노출누적을 시분할(time division)하여 조절하는 이레이징 트랜지스터; 상기 수광 소자에 축적된 전하를 전달받아 저장하는 전하 저장부(예: 플로팅 디퓨전 영역); 상기 수광 소자와 상기 전하 저장부 사이에 연결되어서 상기 수광 소자에 축적된 전하를 상기 전하 저장부로 전달하는 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 단위 픽셀을 구비하되, 제1 노출누적시간 동안 상기 수광 소자에 축적된 제1 신호전하를 상기 전하 저장부로 전달하여 저장하고, 제2 노출누적시간 동안 상기 수광 소자에 제 2신호전하를 축적하여서, 상기 단위픽셀에 저장된 신호전하에 대한 정보를 읽어내는 국면에서 상기 제1 신호전자와 상기 제2 신호전자에 대응하는 신호를 순차적으로 읽어내는 것을 특징으로 한다.patents-wipo patents-wipo
Cmos image sensor having wide dynamic range and image sensing method
넓은 동적범위를 갖는 씨모스 이미지 센서 및 이미지 센싱 방법patents-wipo patents-wipo
The present invention relates to a CMOS image sensor and to a method for operating same.
본 발명은 씨모스 이미지 센서 및 씨모스 이미지 센서의 동작 방법에 관한 것이다.patents-wipo patents-wipo
Cmos image sensor including infrared pixels having improved spectral properties, and method of manufacturing same
분광특성이 강화된 적외선 픽셀을 구비한 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법patents-wipo patents-wipo
With a Linux kernel, you need the newer RTC-CMOS hardware clock device driver rather than the original RTC driver.
리눅스 커널에서는 오리지널인 "rtc" 드라이버 보다도 새로운 "rct-cmos" 하드웨어 클럭 디바이스 드라이버를 필요로 한다.WikiMatrix WikiMatrix
CCDs (charge-coupled devices) are alternatives to CMOS sensors, which are generally more sensitive and more expensive.
CCD(charge-coupled devices)는 CMOS 센서의 대안으로서 일반적으로 더 민감하며 더 값이 비싸다.WikiMatrix WikiMatrix
So I was running the research department at the firm that did twenty percent of the market in what's called CMOs, and then I changed to the buy side and was at a hedge fund that bought those kinds of CMOs, and bought sub- prime mortgage,
그 회사는 CMOs라고 불리는 것의 시장에서 20% 를 차지 하는 회사 였습니다. 전부의 부분이 되어 온 큰 혼란을 얻게 했습니다. 그리고 나서 나는 사는 쪽으로 방향을 바꾸고 CMOs, 서브 프라임 모기지, CDOs 등 모든 것들을 구입하는QED QED
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a CMOS image sensor, capable of preventing hillock defects caused by a wire lifting phenomenon in a CMOS image sensor.
본 발명은 CMOS 이미지 센서에 있어서, 배선 들뜸 현상에 의해 발생되는 힐록(hillock)형 결함을 방지할 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 제1 금속배선이 형성된 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 금속배선 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막을 식각하여 상기 제1 금속배선이 일부 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀의 내부면을 따라 상기 층간 절연막 상에 완충막을 형성하는 단계와, 열처리 공정을 실시하는 단계와, 상기 완충막을 식각하여 상기 콘택홀 내측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서를 포함하는 상기 층간 절연막 상부면을 따라 장벽 금속층을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 매립되도록 상기 장벽 금속층 상에 콘택 플러그를 형성하는 단계와, 상기 콘택 플러그와 접속되도록 상기 층간 절연막 상에 제2 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.patents-wipo patents-wipo
For many years, NMOS circuits were much faster than comparable PMOS and CMOS circuits, which had to use much slower p-channel transistors.
따라서 수년간, NMOS 회로는 훨씬 더 느린 P형 트랜지스터를 써야하는 PMOS나 CMOS회로보다 훨씬 더 빨랐다.WikiMatrix WikiMatrix
The present invention relates to a shallow trench isolating structure having an air gap for suppressing the dark currents and cross-talk which occur in CMOS image sensors.
본 발명은 시모스 이미지 센서에서 발생하는 암전류와 혼신을 억제하는 에어갭을 구비한 샐로우 트렌치 소자분리구조를 개시한다.patents-wipo patents-wipo
In the popular CMOS and TTL logic families, NOR gates with up to 8 inputs are available: CMOS 4001: Quad 2-input NOR gate 4025: Triple 3-input NOR gate 4002: Dual 4-input NOR gate 4078: Single 8-input NOR gate TTL 7402: Quad 2-input NOR gate 7427: Triple 3-input NOR gate 7425: Dual 4-input NOR gate (with strobe, obsolete) 74260: Dual 5-Input NOR Gate 744078: Single 8-input NOR Gate In the older RTL and ECL families, NOR gates were efficient and most commonly used.
유명한 CMOS 및 TTL 논리 계열에서 최대 8개의 입력을 갖춘 NOR 게이트를 사용할 수 있다: CMOS 4001: Quad 2-input NOR gate 4025: Triple 3-input NOR gate 4002: Dual 4-input NOR gate 4078: Single 8-input NOR gate TTL 7402: Quad 2-input NOR gate 7427: Triple 3-input NOR gate 7425: Dual 4-input NOR gate (w/ strobe, 사용이 권장되지 않음) 74260: Dual 5-Input NOR Gate 744078: Single 8-input NOR Gate 오래된 RTL 및 ECL 계열에서 NOR 게이트는 효율적이었으며 매우 흔히 사용되었다.WikiMatrix WikiMatrix
According to one embodiment of the present invention, the dynamic range of the CMOS image sensor can be increased.
본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 씨모스 이미지 센서의 동작 방법은 제 1 시간 동안 광 감지소자에서 광전자를 생성하는 단계, 상기 제 1 시간 보다 짧은 제 2 시간 동안 상기 광 감지소자에서 광전자를 생성하는 단계, 및 상기 광 감지소자에서 생성된 광전자를 감지하는 단계를 포함하며, 상기 광 감지소자에 연결된 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 상기 제 1 시간 및 제 2 시간 동안 다르게 설정된다.patents-wipo patents-wipo
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