resistividad oor Hongaars

resistividad

/r̄e.siș.ti.βi.ˈðað/ naamwoord vroulike

Vertalings in die woordeboek Spaans - Hongaars

Fajlagos ellenállás

resistencia eléctrica específica de cada material para oponerse al paso de una corriente eléctrica

voorbeelde

Resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10– 4 ohmios cm.
2 × 10–4 ohm cm vagy azt meghaladó villamos ellenállás.

3C005"Sustratos" de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos «boules» u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
3C00520 °C-on 10 000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alimínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-galliumnitrid (AlGaN) szubsztrátumok, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.

"Sustratos" semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos (boules) u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
20 °C-on 10 000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) "szubsztrátumok", vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.

Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una 'conductividad eléctrica en volumen' superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una 'resistividad laminar (superficial)' inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes:
Belső vezető polimer anyagok, amelyek 'villamos vezetőképessége' meghaladja a 10 000 S/m-t (Siemens/méter) vagy'felületi (felszíni) fajlagos ellenállása' 100 Ohm/négyzetnél kevesebb, és amelyek az alábbi polimerek bármelyikén alapulnak:

Su resistencia eléctrica se multiplica por diez a unas 39.000 atmósferas, pero a 40.000 atmósferas cae bruscamente a cerca del 10% de su resistividad a temperatura ambiente.
Elektromos ellenállása tízszer nagyobb 39 000 bar nyomáson, ám ez az ellenállás 40 000 bar nyomáson a szobahőmérsékletű ellenállás 10%-ára esik.

Estación geofísica para medir los cambios en la resistividad eléctrica del subsuelo utilizando las variaciones del campo electromagnético natural.
A természetes elektromágneses tér időbeli változásait felhasználó mérés, melynek célja a felszín alatti elektromos ellenállás változások kimutatása.

Propiedades electrostáticas. Parte 1: método de ensayo para la medición de la resistividad de la superficie.
Elektrosztatikus tulajdonságok. 1. rész: A fajlagos felületi ellenállás mérési módszere

Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una ‘conductividad eléctrica en volumen’ superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una ‘resistividad laminar (superficial)’ inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes:
Belső vezető polimer anyagok, amelyek »villamos vezetőképessége« meghaladja a 10 000 S/m-t (Siemens/méter) vagy »felületi (felszíni) fajlagos ellenállása« 100 Ohm/négyzetnél kevesebb, és amelyek az alábbi polimerek bármelyikén alapulnak:

c. Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una ’conductividad eléctrica en volumen’ superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una ’resistividad laminar (superficial)’ inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes:
c. Belső vezető polimer anyagok, amelyek „villamos vezetőképessége” meghaladja a 10 000 S/m-t (Siemens/méter) vagy „felületi (felszíni) fajlagos ellenállása” kevesebb mint 100 Ohm/négyzet, és amelyek az alábbi polimerek bármelyikén alapulnak:

Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una ‘conductividad eléctrica en volumen’ superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una ‘resistividad laminar (superficial)’ inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes:
Belső vezető polimer anyagok, amelyek ’villamos vezetőképessége’ meghaladja a 10 000 S/m-t (Siemens/méter) vagy ’felületi (felszíni) fajlagos ellenállása’ 100 Ohm/négyzet-nél kevesebb, és amelyek az alábbi polimerek bármelyikén alapulnak:

Equipos de medida, instrumentos de medida, aparatos eléctricos de caracterización para su uso en la medida de la conductividad y la resistividad de materiales semiconductores masivos y de películas delgadas y para evaluar el rendimiento de los dispositivos semiconductores en fabricación
Mérőfelszerelések, mérőkészülékek, elektromos karakterizáló berendezések tömb- és vékonyréteg-félvezetők vezetőképességének és fajlagos ellenállásának mérésére és félvezető eszközök elektromos teljesítményének értékelésére gyártás folyamán

Los carriles conductores de corriente que se clasifican en esta subpartida, llamados también comúnmente «tercero o cuarto carril», presentan una sección igual a la de un carril ordinario de rodadura, o de doble T, o rectangular o trapezoidal, etc., y están constituidos generalmente de acero más blando que el de los carriles de rodadura, porque las cualidades mecánicas pueden sacrificarse a las cualidades eléctricas: la resistividad eléctrica que, para el acero de los carriles de rodadura es de unos 0,19 × 10–6 ohm m, es solamente de 0,11 ohm m para el acero con bajo contenido de carbono (cerca de 0,08 %) y de manganeso (0,2 %) e incluso de 0,10 ohm m para el hierro armco (hierro prácticamente puro: 99,9 %).
Az ezen alszám alá tartozó áramvezető-sín, amelyet közönségesen csak „harmadik (vagy negyedik) sín”-nek neveznek, keresztmetszete vagy ugyanolyan, mint a futósíné, vagy kettős T vagy négyszögletes vagy trapéz-alakú stb., valamint általában lágyabb acélból készült, mint a futósín, mivel mechanikai tulajdonságai feláldozhatók az elektromosak javára: a fajlagos ellenállás, amely a futósínnél 0,19 × 10–6 ohm m, az alacsony (0,08 % körüli) széntartalmú és mangántartalmú (0,20 %) acélnál csupán 0,11 ohm m, sőt az ún. ARMCO vasnál (amely gyakorlatilag tiszta vas: 99,9 %) 0,10 ohm m.

3C005"Sustratos" semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos (boules) u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
3C00520 °C-on 10 000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) "szubsztrátumok", vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.

Cintas de pulsera protectoras, cables eléctricos, conectores a tierra protectores para pies, probadores de conexión a tierra, medidores para determinar los niveles de fuerza de campo electroestático, ionizadores para descargar iones, neutralizadores para neutralizar las cargas estáticas, probadores de resistividad, megóhmetros
Védő csuklópántok, elektromos vezetékek, védő lábföldelések, földelésvizsgálók, elektromos térerősség mérésére szolgáló eszközök, ionok kisütésére szolgáló ionizátorok, statikus töltések semlegesítésére szolgáló semlegesítők, fajlagosellenállás-mérők, megohmmérők

Resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10– 4 ohmios cm.
2 × 10– 4 ohm cm vagy azt meghaladó villamos ellenállás.

Hoja de poli(tereftalato de etileno), poli(naftalato de etileno) u otro poliéster similar, recubierta por una cara con metales y/o óxidos de metales, con un contenido, en peso, de aluminio inferior al 0,1 %, de espesor inferior o igual a 300 μm y de resistividad de superficie inferior o igual a 10 000 ohm (por cuadrado) (según la norma ASTM D 257-99)
Poli(etilén tereftalát), poli(etilén naftalát vagy hasonló poliészter fólia, egyik oldalán fémmel és/vagy fémoxidokkal bevonva, alumínium tartalma kevesebb, mint 0,1 tömegszázalék, vastagsága legfeljebb 300 μm és fajlagos felszíni ellenállása legfeljebb 10 000 ohm (per négyzet) (az ASTM D 257-99 módszerrel megállapítva)

Estación geofísica para medir los cambios en la resistividad eléctrica del subsuelo y/o la cargabilidad (polarización inducida) en profundidad utilizando 4 electrodos (AMNB) y corriente continua.
Felszín alatti ellenállás és/vagy gerjesztett polarizáció (IP) meghatározása céljából 4 elektróda (AMNB) és egyenáram alkalmazásával végzett mérés.

«Este grupo comprende los dispositivos semiconductores fotosensibles en los que las radiaciones visibles, infrarroja o ultravioletas provocan, mediante un efecto fotoeléctrico interno, una variación de la resistividad.
„Ez a csoport a fényérzékeny félvezető szerkezeteket foglalja magában, amelyekben a látható sugarak, az infravörös sugarak vagy az ibolyántúli sugarak hatása ellenállás változásokat idéz elő vagy a belső fényelektromos hatás segítségével elektromos erőt gerjeszt.

Hoja de poli(tereftalato de etileno), poli(naftalato de etileno) u otro poliéster similar, recubierta por una cara con metales y/o óxidos de metales, con un contenido, en peso, de aluminio inferior al 0,1 %, de espesor inferior o igual a 300 μm y de resistividad de superficie inferior o igual a 10 000 ohm (por cuadrado) (según la norma ASTM D 257-99)
Poli(etilén-tereftalát), poli(etilén-naftalát vagy hasonló poliészter fólia, egyik oldalán fémmel és/vagy fémoxidokkal bevonva, alumínium tartalma kevesebb, mint 0,1 tömegszázalék, vastagsága legfeljebb 300 μm és fajlagos felszíni ellenállása legfeljebb 10 000 ohm (per négyzet) (az ASTM D 257-99 módszerrel megállapítva)

Materiales de alta resistividad, según se indica:
Nagy ellenállású anyagok az alábbiak szerint:

La ‧conductividad eléctrica en volumen‧ y la ‧resistividad laminar (superficial)‧ se determinarán con arreglo a la norma ASTM D-257 o equivalentes nacionales.
A ‧villamos vezetőképességet‧ és a ‧fajlagos felületi (felszíni) ellenállást‧ az ASTM D-257 vagy a megfelelő nemzeti szabvány alapján kell meghatározni.

«Sustratos» semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos (boules) u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C
20 °C-on 10 000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) „szubsztrátumok”, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.

La ‘conductividad eléctrica en volumen’ y la ‘resistividad laminar (superficial)’ se determinarán con arreglo a la norma ASTM D-257 o a otras normas nacionales equivalentes.
A »villamos vezetőképességet« és a »fajlagos felületi (felszíni) ellenállást« az ASTM D-257 vagy a megfelelő nemzeti szabvány alapján kell meghatározni.