transistor oor Grieks

transistor

naamwoord manlike

Appareil qui peut capturer le signal envoyé par ondes radios et rendre le signal modulé sous forme de son.

Vertalings in die woordeboek Frans - Grieks

τρανζίστορ

naamwoord

Mais, même un transistor actuel fonctionne au gigahertz.
Αλλά ακόμα κι ένα σημερινό τρανζίστορ δουλεύει σε γίγαχερτζ.

ράδιο

naamwoord onsydig

Appareil qui peut capturer le signal envoyé par ondes radios et rendre le signal modulé sous forme de son.

Mary Sue, pourquoi tu me prêtes pas ton transistor?
Δεν το πιστεύω, Μαίρη Σου, γιατί δε μου δίνεις το ράδιο

κρυσταλλοτρίοδος

naamwoord vroulike

ραδιόφωνο

naamwoord onsydig

Appareil qui peut capturer le signal envoyé par ondes radios et rendre le signal modulé sous forme de son.

Prends le transistor du gosse.
Πάρε το ραδιόφωνο του μικρού.

Τρανζίστορ

composant électronique

διάταξη ημιαγωγών στερεάς κατάστασης

Mais, même un transistor actuel fonctionne au gigahertz.
Αλλά ακόμα κι ένα σημερινό τρανζίστορ δουλεύει σε γίγαχερτζ.

voorbeelde

— que la valeur des transistors non originaires utilisés n'excède pas 3 % de la valeur du produit fini (13)
— και η αξία των χρησιμοποιηθεισών κρυσταλλολυχνιών (τρανζίστορς) δεν υπερβαίνει το 3 % της αξίας του ετοίμου προϊόντος (13)

Autres dispositifs à semi-conducteur (à l’exclusion des dispositifs photosensibles à semi-conducteur; des cellules photovoltaïques, des thyristors, diacs et triacs semi-conducteurs, des transistors, des diodes et des diodes électroluminescentes)
Στοιχεία με ημιαγωγό [εκτός από τα φωτοευαίσθητα στοιχεία με ημιαγωγό, τα φωτοβολταϊκά στοιχεία, τα θυρίστορ, τους διακόπτες δίπλευρης διόδου (διάκ) και τους διακόπτες δίπλευρης τριόδου (τριάκ), τα τρανζίστορ, τις φωτοδιόδους και τις διόδους φωτοεκπομπής]

— que la valeur des transistors non originaires utilisés n’excède pas 3 % de la valeur du produit fini (11)
Κατασκευή γιά τν ποία χρησιμοποιονται προϊόντα, ξία τν ποίων δέν περβαίνει τό 50 % τς ξίας το τελικο προϊόντος

Sources de plasma inductif et atmosphérique destinées à être utilisées pour la fabrication de modules solaires, de piles solaires, de transistors à couches minces et de circuits intégrés composés de circuits électroniques générant des radiofréquences, d'antennes de radiofréquence et d'alimentations électriques
Πηγές επαγωγικά συζευγμένου πλάσματος και ατμοσφαιρικού πλάσματος για χρήση σε σχέση με την κατασκευή ηλιακών δομοστοιχείων, ηλιακών στοιχείων, λεπτοϋμενώδων κρυσταλλολυχνιών (τρανζίστορ) και ολοκληρωμένων κυκλωμάτων αποτελούμενων από ηλεκτρονικά κυκλώματα παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων, κεραίες ραδιοσυχνοτήτων και τροφοδοτικά ισχύος

Composants électriques, Diodes,IGBT, Redresseurs,MOSFET, TRIACS, Thyristors et Transistors
Εξαρτήματα ισχύος, Δίοδοι,Διπολικές κρυσταλλολυχνίες με μονωμένη πύλη (IGBT), Ανορθωτές,Κρυσταλλολυχνία με επίδραση πεδίου, τεχνολογίας MOS (MOSFET), θυρίστορες αμφίπλευρου τριόδου (TRIACS), Θυρίστορ και Κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορ)

Circuits intégrés (CI), puces, transistors, semi-conducteurs et éléments à semi-conducteurs
Ολοκληρωμένα κυκλώματα, πλινθία, κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορ), ημιαγωγοί και στοιχεία ημιαγωγών

transistors à haute mobilité d’électrons
high electron mobility transistors (τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα)

ex 8504 40 90 | 30 | Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |
ex 8504 40 90 | 30 | Στατικοί μεταγωγείς που περιλαμβάνουν κύκλωμα διακόπτη της ισχύος με μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ (IGBTs), εντός θήκης, προς χρήση στην παρασκευή φούρνων με μικροκύματα της διάκρισης 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |

Les mémoires flash basées sur une technologie E 2 PROM ont une structure matricielle composée de cellules à deux transistors ou plus ou de cellules à transistor unique combinée avec un autre transistor par secteur («page» ou «bloc»).
Οι μνήμες flash που βασίζονται στην τεχνολογία E2PROM έχουν δομή που αποτελείται από κυψέλες δύο ή περισσότερων κρυσταλλολυχνιών ή από κυψέλες μιας κρυσταλλολυχνίας που συνδυάζεται με άλλη κρυσταλλολυχνία ανά τομέα (page ή block).

ex 8504 40 90 | 30 | Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00 (1) | 0 % | 1.1.2006- 31.12.2008 |
ex 8504 40 90 | 30 | Στατικοί μεταγωγείς που περιλαμβάνουν κύκλωμα διακόπτη της ισχύος με μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ (IGBTs), εντός θήκης, προς χρήση στην παρασκευή φούρνων με μικροκύματα της διάκρισης 8516 50 00 (1) | 0 % | 01.01.2006- 31.12.2008 |

«Un transistor composé d'une simple couche de matériau comme le silicium est un défi qui n'avait jamais été réalisé auparavant, il s'agit donc d'une découverte capitale.
«Το γεγονός ότι έχουμε ήδη κατασκευάσει αυτό το ένα τρανζίστορ, με μόνο ένα στρώμα από υλικό σαν το πυρίτιο, δεν έχει ξαναγίνει στο παρελθόν. Αυτό είναι ένα πραγματικό επιστημονικό επίτευγμα.

— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes et
— τρεις το πολύ ηλεκτρικές εξόδους περιλαμβάνουσα η καθεμία δύο διακόπτες ισχύος (είτε MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) είτε IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) και εσωτερικούς μηχανισμούς,

— d'un transistor au maximum,
— όχι περισσότερες από μία κρυσταλλολυχνία,

Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00 (1)
Στατικοί μεταγωγείς που περιλαμβάνουν κύκλωμα διακόπτη της ισχύος με μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ (IGBTs), εντός θήκης, προς χρήση στην παρασκευή φούρνων με μικροκύματα της διάκρισης 8516 50 00 (1)

Construction et fonctionnement des transistors PNP et NPN;
Κατασκευή και λειτουργία των τρανζίστορ ΡΝΡ και ΝΡΝ.

ex 8541 | Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes | Fabrication: - à partir de matières de toute position, à l’exclusion des matières de la même position que le produit, et - dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |
ex 8541 | Δίοδοι, κρυσταλλολυχνίες και παρόμοιες διατάξεις με ημιαγωγό, εκτός από τις πλάκες που δεν έχουν κοπεί ακόμη σε πλίνθους (chip) | Κατασκευή: - από ύλες οποιασδήποτε κλάσης, εκτός από εκείνες της ίδιας κλάσης με το προϊόν, και - κατά την οποία η αξία όλων των χρησιμοποιούμενων υλών δεν πρέπει να υπερβαίνει το 40 % της τιμής εκ του εργοστασίου του προϊόντος | Κατασκευή κατά την οποία η αξία όλων των χρησιμοποιούμενων υλών δεν πρέπει να υπερβαίνει το 25 % της τιμής εκ του εργοστασίου του προϊόντος |

branche d’activité «petits et moyens écrans TFT-LCD» d’Epson: développement, fabrication, commercialisation et vente d’écrans TFT (transistors en couche mince) à cristaux liquides.
για τις δραστηριότητες που αφορούν μικρού και μεσαίου μεγέθους TFT-LCD της Epson: ανάπτυξη, παραγωγή, μάρκετινγκ και πώληση μικρού και μεσαίου μεγέθους οθονών υγρών κρυστάλλων με τρανζίστορ λεπτού στρώματος.

L'invention du transistor en 1947 permit la création de circuit électronique de petite taille.
Η εφεύρεση του τρανζίστορ το 1947, άνοιξε το δρόμο για πιο εξελιγμένους ψηφιακούς υπολογιστές.

8541 Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux; diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés:
8541 Δίοδοι, κρυσταλλολυχνίες και παρόμοιες διατάξεις με ημιαγωγό. Διατάξεις φωτοευαίσθητες με ημιαγωγό, στις οποίες περιλαμβάνονται και τα φωτοβολταϊκά κύτταρα έστω και συναρμολογημένα σε αυτοτελείς μονάδες ή κατασκευασμένα σε πλάκες. Δίοδοι εκπομπής φωτός. Κρύσταλλοι πιεζοηλεκτρικοί συναρμολογημένοι:

Panneau de silicium amorphe pour appareils à rayons X (détecteur plat pour la radiologie/ détecteurs de rayons X) constitué d’une plaque de verre avec matrice en transistors à couche mince, recouverte d’une pellicule de silicium amorphe enduite d’une couche d’iodure de césium (scintillateur) et d’une couche de protection métallisante, avec surface active de 409,6 mm2 × 409,6 mm2 et une taille de pixels de 200 μm2 × 200 μm2
Πίνακες για συσκευές ακτίνων Χ (αισθητήρες επίπεδου πίνακα ακτίνων Χ/αισθητήρες ακτίνων Χ) αποτελούμενοι από φύλλο υάλου με μήτρα κρυσταλλοτριόδων λεπτού υμενίου, καλυμμένοι με υμένιο άμορφου πυριτίου, επιχρισμένοι με στρώμα σπινθηριστή ιωδιούχου καισίου και μεταλλοποιημένο προστατευτικό στρώμα, με ενεργό επιφάνεια 409,6 mm2 × 409,6 mm2 και μέγεθος εικονοψηφίδας 200 μm2 × 200 μm2

Note: L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les "technologies" pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.
Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η "τεχνολογία" για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.

A) «Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur», les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique;
Α) «Δίοδοι, κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορς) και παρόμοιες διατάξεις με ημιαγωγό» οι διατάξεις του είδους εκείνου που η λειτουργία τους βασίζεται στη μεταβολή της αντίστασης κάτω από την επίδραση ενός ηλεκτρικού πεδίου.

8541 90 00 Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur, diodes émettrices de lumière 8542 Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques
8541 90 00 Δίοδοι, κρυσταλλολυχνίες και παρόμοιες διατάξεις με ημιαγωγό . Διόδοι εκπομπής φωτός 8542 Κρύσταλα πιεζοηλεκτρικά συναρμολογημένα

Diodes; transistors; thyristors, diacs et triacs
Δίοδοι· κρυσταλλολυχνίες· θυρίστορ (thyristor), διακόπτες δίπλευρης διόδου (διάκ) και διακόπτες δίπλευρης τριόδου (τριάκ)

N.B. 2:"Élément de circuit": élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc.
"Συντελεστής κλίμακας" (7) είναι ο λόγος της μεταβολής του μεγέθους εξόδου προς την μεταβολή του μεγέθους εισόδου το οποίο επιδιώκεται να μετρηθεί.