chambre d’ionisation oor Japannees

chambre d’ionisation

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電離箱

naamwoord

voorbeelde

Enfin, des irrégularités (IR) sont formées dans une région (40) face à la chambre d'ionisation (IC) à la surface de la cathode (11).
そして、カソード(11)の表面のうちイオン化室(IC)に面した領域(40)に、凹凸(IR)が形成されている。

Selon l'invention, un canon ionique (IG) possède une chambre d'ionisation (IC), et une partie de production d'ions (GP) produisant des ions dans la chambre d'ionisation (IC).
イオンガン(IG)は、イオン化室(IC)と、イオン化室(IC)でイオンを生成するイオン生成部(GP)とを有する。

La chambre d'ionisation (SP) définit un espace clos, et les ions qui y sont générés sont introduits dans le dispositif d'analyse (50) par le tube d'approvisionnement en ions (31).
3つの接続口を有するT字管41の一端部にサンプリング・ノズル21が,他端部に分析装置50につながるイオン供給管31が,もう一つの端部にバリヤー放電管11が接続され,その中央部がイオン化室SPである。

Toutes les expériences fonctionnèrent excepté la chambre d'ionisation/compteur Geiger qui tomba en panne en février 1965 et la sonde à plasma dont les performances furent dégradées par la défaillance d'une résistance le 6 décembre 1964.
1965年2月に故障した電離箱/ガイガーカウンターと、1964年12月6日に抵抗器が故障して性能が低下したプラズマ検知器を除き、全ての実験が順調に行われた。

La partie de production d'ions (GP) met en rotation des électrons déchargés par la cathode (11), au moyen d'un champ magnétique généré par l'aimant permanent (14), et les fait entrer en collision avec un gaz dont l'alimentation est effectuée par le mécanisme d'alimentation en gaz (10), et produit ainsi des ions dans la chambre d'ionisation (IC).
イオン生成部(GP)は、カソード(11)により放出された電子を、永久磁石(14)が発生した磁場により旋回させて、ガス供給機構(10)により供給されたガスに衝突させることで、イオン化室(IC)でイオンを生成する。

Un émetteur (1) est entouré de parois (4) d'une chambre d'émetteur, des ions sont libérés à partir de l'extrémité de l'émetteur (1).
エミッタ(1)はエミッタ室の室壁(4)に囲まれ、エミッタ(1)の先端からイオンが放出される。

L'invention concerne un dispositif d'ionisation caractérisé en ce qu'il comporte : une chambre d'ionisation (21) ; un tube d'alimentation en échantillon d'analyse (221) pour fournir un échantillon d'analyse liquide à la chambre d'ionisation (21) ; un tube d'alimentation en gaz d'accélération d'ionisation (222) qui fournit un gaz qui accélère l'ionisation de l'échantillon d'analyse ; et des sections d'alimentation en gaz d'échantillon de référence (40-43) qui fournissent un gaz d'échantillon de référence au tube d'alimentation en gaz d'accélération d'ionisation (222), ledit gaz d'échantillon de référence ayant été généré par vaporisation d'un échantillon de référence liquide.
イオン化室(21)と、前記イオン化室(21)に液体の分析対象試料を送給するための分析対象試料供給管(221)と、前記分析対象試料のイオン化を促進するガスを送給するイオン化促進ガス供給管(222)と、液体の標準試料を気化させて生成した標準試料ガスを前記イオン化促進ガス供給管(222)に送給する標準試料ガス供給部(40)~(43)と、を備えることを特徴とするイオン化装置を提供する。

Les unités d'entraînement commandent les positions de la sonde d'ionisation et de la chambre de chauffage, positionnant près d'une entrée d'ions (25) d'un spectromètre de masse (24) une région d'ionisation (21) utilisant la sonde d'ionisation ou une région d'ionisation (22) utilisant la chambre de chauffage, de manière qu'une pluralité de procédés d'ionisation soient exécutés séparément.
駆動部により、イオン化プローブを用いたイオン化領域21あるいは加熱室を用いたイオン化領域22が質量分析計24のイオン導入口25の近くに位置するようにイオン化プローブや加熱室の位置を制御して、複数のイオン化法を個別に実行する。

L'invention porte sur un dispositif de hadronthérapie, lequel a un dispositif de surveillance de dosage (26) qui mesure un dosage de faisceaux de particules et une chambre de ionisation (38) qui est plus petite que le dispositif de surveillance de dosage (26), mesure le dosage de faisceaux de particules passant à travers le dispositif de surveillance de dosage (26).
粒子線の線量を測定する線量監視装置26と、前記線量監視装置26を通過する粒子線の線量を測定する前記線量監視装置26より小型の電離箱38とを有し、粒子線を走査して照射対象の照射位置に粒子線を照射する粒子線治療装置であって、前記線量監視装置26で照射された粒子線の線量を測定し、前記線量監視装置26を通過する粒子線の線量を前記小型の電離箱38で測定して、前記小型の電離箱38で測定した粒子線の線量を基に、前記照射位置に対応する前記線量監視装置26で測定された線量の補正係数を求める。

Procédé d'électrolyse utilisant une cellule électrolytique à chlorure de sodium à membrane d'échange d'ions à deux chambres équipée d'une électrode de diffusion à gaz
ガス拡散電極を有する2室法イオン交換膜食塩電解槽を用いる電解方法

Une solution aqueuse diluée d'acide sulfurique ou une solution aqueuse diluée de sulfate de fer est introduite dans la chambre anodique, et des ions cuivre se dissolvent dans la chambre anodique à partir d'une anode faite d'une plaque de cuivre pur ou d'une plaque de cuivre de pureté 6 N ou plus.
イオン発生槽を水素イオン交換膜で陽極室と陰極室とに区画し、前記陰極室において、陰極表面から水素ガスを放出するとともに、希硫酸水溶液又は希硫酸鉄水溶液を供給した前記陽極室において、純銅銅板、又は6N以上の高純度銅板からなる陽極から銅イオンを前記陽極室内に溶出し、前記陽極室内において、硫酸銅水溶液又は硫酸鉄を含む硫酸銅水溶液を生成する。

La chambre de déminéralisation (D) est cloisonnée par une membrane échangeuse d'ions en une première petite chambre de déminéralisation (D-1), adjacente à une chambre de concentration (C1), et en une seconde petite chambre de déminéralisation (D-2), adjacente à l'autre chambre de concentration (C2).
脱塩室Dと、脱塩室Dの両隣に設けられるとともに、アニオン交換体が充填された一対の濃縮室C1、C2とから構成される脱塩処理部を備えた電気式脱イオン水製造装置であって、脱塩室Dは、イオン交換膜によって、濃縮室C1に隣接する第1小脱塩室D-1と、濃縮室C2に隣接する第2小脱塩室D-2とに仕切られ、第1小脱塩室D-1にはアニオン交換体が充填され、第2小脱塩室D-2には、被処理水が最後に通過するイオン交換体がアニオン交換体となる順序で、アニオン交換体とカチオン交換体とが充填されている。

L'invention concerne un procédé de formation de films qui génère des ions métalliques à partir d'une cible métallique avec un plasma dans une chambre de traitement et attire les ions métalliques avec une polarisation, pour déposer un film mince métallique sur un corps à traiter dans lequel sont formées des tranchées.
処理容器内でプラズマにより金属のターゲットから金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより被処理体に引き込んで凹部内に下地膜を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを被処理体に引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により被処理体に引き込んで金属膜よりなる本膜を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。

Un gaz, matériau de base des ions, est introduit dans la chambre d'émetteur en traversant une électrode d'extraction (3), sur laquelle est appliquée une haute tension, ainsi qu'un conduit (15).
エミッタ室にはイオン材料であるガスが高電圧の印加される引き出し電極(3)及び配管(15)を通じて導入される。

Dans le but de pourvoir à des sources d'ions commutables simplement en un temps court et à haute sensibilité, l'invention comprend une sonde d'ionisation (1) pour pulvériser un échantillon, une chambre de chauffage (11) pour gazéifier thermiquement l'échantillon, et des unités d'entraînement (31, 33) pour modifier la distance entre une extrémité de sortie (extrémité côté pulvérisation) (8) de la sonde d'ionisation et une extrémité d'entrée (extrémité côté sonde d'ionisation) (15) de la chambre de chauffage.
高感度かつ短時間で簡単に切り替え可能なイオン源を提供することを目的として、試料を噴霧するためのイオン化プローブ1と、試料を加熱気化するための加熱室11と、イオン化プローブの出口端(噴霧する側の端)8と加熱室の入口端(イオン化プローブ側の端)15との距離を変化させるための駆動部31,33とを有する。

L'intérieur d'une cuve de placage (1) est divisé en une chambre de cathode (4) et en une chambre d'anode (3) par une membrane de conversion d'anion (2), une solution de placage contenant un ion Sn est amenée à la chambre de cathode (4) et une solution acide est amenée à la chambre d'anode (3).
めっき槽1内を陰イオン交換膜2によりカソード室4とアノード室3とに区画し、カソード室4にSnイオン含有めっき溶液を供給し、アノード室3に酸溶液を供給して、カソード室4内の被めっき物12とアノード室3内のSn製アノード11との間に通電して電解めっきするとともに、めっきの進行に伴いSn製アノード11から溶出するSnイオンを含有した酸溶液をカソード室4のめっき溶液のSnイオン補給液として使用する。

L'invention concerne un dispositif d'irradiation par faisceau d'ions (10) qui est pourvu d'une chambre à vide (14), dans laquelle un plateau de transport (T) maintenant un substrat (S) est logé, d'une unité de transport, pour transporter le plateau de transport (T) à l'intérieur de la chambre à vide (14) dans une direction de transport, d'unités d'irradiation par faisceau d'ions (21L, 21U) qui irradient un faisceau d'ions à des positions d'irradiation prédéterminées dans la chambre à vide (14), et d'unités de détection de position (23A-23D) qui détectent la position du plateau de transport (T).
イオンビーム照射装置(10)は、基板(S)を保持する搬送トレイ(T)が収容される真空槽(14)と、真空槽(14)内にて搬送トレイ(T)を搬送方向に搬送する搬送部と、真空槽(14)内の所定の照射位置にイオンビームを照射するイオンビーム照射部(21L,21U)と搬送トレイ(T)の位置を検出する位置検出部(23A~23D)とを備えている。

Une unité d'isolation d'atmosphère (10) destinée à placer et à retirer un couvercle (9) d'un porte-échantillon à isolation d'atmosphère (7) isolé par rapport à l'air est disposée dans un échangeur d'échantillon (5) communiquant avec une chambre d'échantillon (4) d'un faisceau d'ions focalisés (1) ou d'un microscope électronique à balayage par le biais d'une grille, le couvercle (9) n'est retiré que par poussée d'une barre d'échange d'échantillon (11), et seul le porte-échantillon (7) est placé dans la chambre d'échantillon (4).
雰囲気遮断試料ホルダー7は、大気と遮断した雰囲気中、例えば真空中で試料を搭載した後、フタ9をすることで試料と外気とを遮断し、この状態で試料交換棒11を押すだけでFIB1又はSEM内で試料の加工および観察ができ、さらに試料交換棒11を引き出すときは雰囲気遮断ユニット10でフタ9をすることで、試料と外気との遮断状態を保持する。

Dans celui-ci, du plasma contenant des ions issus du matériau cible et produit à l'intérieur de la chambre à plasma suite à une décharge en arc est transporté vers le substrat à partir de la cible en passant par l'intérieur des bobines creuses.
処理対象の基板が格納される成膜チャンバーと、ターゲットの少なくとも一部が格納され、成膜チャンバーに連結するプラズマチャンバーと、ターゲットと成膜チャンバーとの間に少なくとも1箇所の屈曲部を有して連続する磁力線を発生させる、非磁性金属からなる外皮によって被覆されてプラズマチャンバー内に配置された複数の中空コイルとを備え、アーク放電によりプラズマチャンバー内で生成されたターゲット材料に由来するイオンを含むプラズマが、中空コイルの内側を通過してターゲットから基板まで輸送される。

Dans celui-ci, du plasma contenant des ions issus du matériau cible et produit à l'intérieur de la chambre à plasma suite à une décharge en arc est transporté vers le substrat à partir de la cible en passant par l'intérieur du tube de correction de potentiel du plasma.
処理対象の基板が格納される成膜チャンバーと、ターゲットの少なくとも一部が格納され、成膜チャンバーに連結するプラズマチャンバーと、ターゲットと成膜チャンバーとの間に少なくとも1箇所の屈曲部を有して連続する磁力線を発生させる、プラズマチャンバー内に配置された複数の中空コイルと、中空コイルの内側に配置されたプラズマ電位補正管とを備え、アーク放電によりプラズマチャンバー内で生成されたターゲット材料に由来するイオンを含むプラズマが、プラズマ電位補正管の内部を通過してターゲットから基板まで輸送される。

La présente invention se rapporte à un procédé qui consiste à former alternativement des films à indice de réfraction élevé et des films à faible indice de réfraction sur un substrat dans une chambre à vide au moyen d'un procédé de dépôt assisté par faisceau d'ions et, ensuite, à former un film de fluorure comme couche supérieure.
2倍の第二のイオン加速電流で酸素イオンを照射しながら、低屈折率物質を蒸着する低屈折率膜成膜工程,及び、基板に、第一のイオン加速電圧,イオン加速電流の0. 8~1. 2倍の第三のイオン加速電圧,イオン加速電流で酸素イオンを照射しながら、フッ化物を蒸着するフッ化物膜成膜工程のうち一方の工程を交互に行って多層膜の下地層を成膜後、フッ化物膜成膜工程を行う。

A l'intérieur d'une chambre à vide intermédiaire de premier étage (6) d'un appareil de spectrographie de masse à ionisation sous pression atmosphérique, des amas d'ions qui provoquent un bruit de fond sont principalement générés dans une zone (A) et des ions de fragmentation sont principalement générés dans une zone (B).
第1段中間真空室(6)内において、バックグラウンドノイズの原因となるクラスタイオンは主として領域(A)で生成され、フラグメントイオンは主として領域(B)で生成される。

Le procédé d'entretien d'un liquide de gravure est caractérisé en ce qu'une solution acide est contenue dans une chambre d'électrode positive de la cellule électrolytique et que l'électrolyse est exécutée de sorte que la concentration en ions cuivre dans le liquide de gravure soit maintenue dans une plage allant de 0,1 à 10 g/L.
当該方法は、エッチングを行うことにより銅イオンが蓄積し、性能が低下するエッチング液を、エッチング槽から陽イオン交換膜で分けられた電解槽の陰極室に送り、電解する工程と、電解された陰極室の陰極液をエッチング槽に戻す工程とを含むエッチング液の維持管理方法であって、電解槽の陽極槽には酸溶液が入れられ、前記エッチング液中の銅イオン濃度を0.1g/L~10g/Lの範囲に維持されるよう電解することを特徴とするエッチング液の維持管理方法である。

Selon la présente invention, le degré de dissociation ionique se produisant dans une première chambre à vide intermédiaire (212) ayant un degré relativement faible de vide est dépendant de l’énergie et dépend également de caractéristiques telles que la taille des ions.
比較的真空度の低い第1中間真空室(212)内で生じるイオンの解離の度合いは、エネルギ依存性を有するとともにイオンの大きさ等にも依存する。

La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comporte : une chambre (3) de neutralisation servant à introduire un gaz neutre et à utiliser le gaz neutre pour neutraliser et convertir un faisceau d'ions en faisceau neutre ; et un mécanisme de surveillance de l'intensité du faisceau neutre servant à surveiller l'intensité du faisceau neutre.
【解決手段】 中性ガスを導入してイオンビームを該中性ガスにより中性化して中性粒子ビームに変換する中性化室3と、中性粒子ビームの強度をモニタする中性粒子ビーム強度モニタ機構とを備え、中性粒子ビーム強度モニタ機構は、中性ガスとイオンビームとの電荷交換反応によって中性ガスが帯電して生じる帯電粒子の電荷を計測する機構であることを特徴とする。