nitruro oor Bulgaars

nitruro

naamwoord manlike

Vertalings in die woordeboek Italiaans - Bulgaars

нитрид

manlike

Ho scoperto che raccoglieva informazioni su un semiconduttore detto nitruro di gallio.
Изглежда е събирал информация за един вид полупроводник, галиев нитрид.

voorbeelde

polisilazani (per la produzione di nitruro di silicio),
Полисилазани (за производство на силициев нитрид).

inferiori a 5 000 ppm per i composti complessi o i nitruri semplici; e
По-малко от 5 000 милионни части за сложни съединения или прости нитриди; и

materiali “compositi” ceramica-ceramica, con o senza fase metallica continua, contenenti particelle, materiale filiforme o fibre nei quali i carburi o i nitruri di silicio, di zirconio o di boro costituiscono la “matrice”;
„Композитни“ материали керамика-керамика със или без непрекъсната метална фаза, включващи частици, нишковидни кристали или влакна, в които силициевите, циркониевите или борните карбиди или нитриди съставляват „матрицата“;

3C005"Substrati", lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
3C005Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или „субстрати“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление, по-голямо от 10 000 ohm-cm при 20 °C.

"Substrati" di semiconduttori, lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или полупроводникови "подложка" на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10 000 ohm-cm при 20 °C.

Amplificatore ad alta frequenza a nitruro di gallio (GaN), che consiste in uno o più transistor discreti , uno o più chip condensatori discreti, munito o meno di dispositivi passivi integrati ("IPD"), montati su flangia metallica in apposito alloggiamento
Високочестотен усилвател от галиев нитрид (GaN), състоящ се от един или повече дискретни транзистори, един или повече дискретни елементи — чип-кондензатори —, дори с вградени пасивни устройства (IPD) върху метален фланец в корпус

nitruri semplici o complessi di silicio;
Прости или сложни силициеви нитриди;

Rulli o sfere in nitruro di silicio (Si3N4)
Ролки или топчета от силициев нитрид (Si3N4)

“Substrati” specificati in 3C005 aventi almeno uno strato epitassiale di carburo di silicio, nitruro di gallio, nitruro di alluminio o nitruro di gallio alluminio.
„Подложка“, посочени в 3C005, с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.

materiali “compositi” ceramica-ceramica, con o senza fase metallica continua, contenenti particelle, materiale filiforme o fibre, nei quali i carburi o i nitruri di silicio, di zirconio o di boro costituiscono la “matrice”;
„Композитни“ материали керамика-керамика със или без непрекъсната метална фаза, включващи частици, нишковидни кристали или влакна, в които силициевите, циркониевите или борните карбиди или нитриди съставляват „матрицата“;

Nitruro di boro
Борен нитрид

Ai fini di 1C007, i 'materiali precursori' sono materiali speciali polimerici o metallo-organici utilizzati per la "produzione" di carburo o nitruro di silicio, o ceramiche comprendenti componenti di silicio, di carbonio e di azoto.
За целите на 1C007 'прекурсорни материали' означава полимерни или метало-органични материали със специално предназначение, използвани за "производство" на силициев карбид, силициев нитрид или керамика със силиций, въглерод и азот.

inferiori a 5.000 ppm per i composti complessi o i nitruri semplici e
По-малко от 5 000 милионни части за сложни съединения или прости нитриди; и

uno strato di ceramica al nitruro di silicio di spessore uguale o superiore a 0,32 mm (±0,1 mm) ma non superiore a 1,0 (±0,1 mm) mm,
слой от керамика от силициев нитрид с дебелина от 0,32 mm (±0,1 mm) или повече, но не повече от 1,0 mm (±0,1 mm),

«Substrati» specificati al punto 5 aventi almeno uno strato epitassiale di carburo di silicio, nitruro di gallio, nitruro di alluminio o nitruro di gallio alluminio.
„Подложки“, посочени в точка 5 по-горе, с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.

Nitruro di gallio
Галиев нитрид

Nel PET gli agglomerati hanno un diametro pari a 100 — 500 nm consistente in nanoparticelle primarie di nitruro di titanio; le particelle primarie hanno un diametro di circa 20 nm.
В PET агломератите са с диаметър от 100 до 500 nm и се състоят от първични наночастици на титанов нитрид; първичните частици са с приблизителен диаметър от 20 nm.

Placchette da taglio in metallo duro, leghe di metalli duri o diamanti policristallini o nitruri di boro, in particolare nitruri di boro cubici
Режещи платки от твърд метал, сплави от твърди метали или поликристални диаманти или пробивни нитриди, по-специално кубични пробивни нитриди

[16] Vale a dire il biossido di silicio, il nerofumo e il nitruro di titanio.
[16] По-конкретно силиконов диоксид, технически въглерод и титанов нитрид.

Nitruro di titanio (CAS RN 25583-20-4) con particelle di dimensioni non superiori a 250 nm
Титанов нитрид (CAS RN 25583-20-4) с размер на частиците, непревишаващ 250 nm

3C005"Substrati" di semiconduttori, lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10 000 ohm-cm a 20 °C.
3C005Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или полупроводникови "подложка" на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10 000 ohm-cm при 20 °C.

lega nitruro di niobio-titanio-tungsteno (circa 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);
Нитридна ниобиево-титанова-волфрамова сплав (около 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

Idruri, nitruri, azoturi e boruri, di costituzione chimica definita o no, diversi dai composti che costituiscono ugualmente carburi della voce 2849
Хидриди, нитриди, азиди и бориди с определен или неопределен химичен състав, различни от карбидите от позиция 2849

nitruro di alluminio
алуминиев нитрид

materiali "compositi" ceramica-ceramica, con o senza fase metallica continua, contenenti particelle, materiale filiforme o fibre nei quali i carburi o i nitruri di silicio, di zirconio o di boro costituiscono la "matrice";
„Композитни“ материали керамика-керамика със или без непрекъсната метална фаза, включващи частици, нишковидни кристали или влакна, в които силициевите, циркониевите или борните карбиди или нитриди съставляват „матрицата“.