transistore oor Bulgaars
transistore
Vertalings in die woordeboek Italiaans - Bulgaars
транзистор
— 1 transistore al massimo,
— не повече от 1 транзистор,
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Dissipatori di calore e alette di raffreddamento di alluminio, destinati a mantenere la temperatura ottimale per il funzionamento di transistori e/o di circuiti integrati nei prodotti della voce 8521
Пуам е с коефициент # # къмEurLex-2 EurLex-2
Dispositivi a semiconduttore (esclusi quelli fotosensibili, cellule fotovoltaiche, tiristori, diac e triac, transistori, diodi, diodi emettitori di luce)
Обади ми се като искаш работаEurlex2019 Eurlex2019
Fonti di plasma accoppiato induttivamente ed atmosferico per fabbricazione di moduli solari, celle solari, transistor a pellicola fine e circuiti integrati costituiti da circuiti elettronici per generazione di radiofrequenze, antenne a radiofrequenze ed alimentazioni
Не полицията уби тези жениtmClass tmClass
La legge di Moore e' stata solo l'ultima parte su un circuito integrato, dove rimpicciolivamo i transistor, ma avevamo calcolatori elettro-meccanici, computer basati su relè che decifrarono il Codice Enigma tedesco, tubi a vuoto negli anni '50 predissero l'elezione di Eisenhower, transistor bipolari usati nei primi viaggi spaziali e poi la legge di Moore.
Готови ли сте, рефери?ted2019 ted2019
Componenti di alimentazione, Diodi,IGBT, Raddrizzatori,MOSFET, TRIACS, Tiristori e Transistor
Думите могат да нараняватtmClass tmClass
Circuiti integrati, chip, transistor, semiconduttori e elementi a semiconduttori
Сега се връщамtmClass tmClass
transistori ad elevata mobilità di elettroni
Благодаря ви, господаEurLex-2 EurLex-2
ex 8504 40 90 | 30 | Convertitori statici comprendenti un circuito di commutazione della potenza con transistor bipolari a porta isolata (IGBT), inseriti in un contenitore, destinati alla fabbricazione di forni a microonde della sottovoce 8516 50 00(1) | 0% | 31.12.2013 |
Какъв мач!Патетата срещу Чинките!EurLex-2 EurLex-2
Nota 1: La condizione di esportabilità di un transistor la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.3.a. fino a 3A001.b.3.e., è determinata dalla soglia della potenza di uscita di picco satura più bassa.
Заинтересованите страни се приканват да предоставят коментарите си в срок от един месец от публикуването на настоящото решение в Официален вестник на Европейския съюзEurLex-2 EurLex-2
La memoria flash basata sulla tecnologia E2PROM ha una struttura a matrice costituita da celle a due o più transistori, oppure da celle a transistore unico in combinazione con un altro transistore per settore (pagina o blocco).
Предвид, че настоящото решение доразвива достиженията на правото от Шенген съгласно разпоредбите на трета част, дял # от Договора за създаването на Европейската общност, доколкото се отнася за граждани на трети страни, които не отговарят или са престанали да отговарят на условията за краткосрочно пребиваване, приложими на територията на държава-членка по силата на достиженията на правото от Шенген, Дания в съответствие с член # от горепосочения протокол взима решение в срок шест месеца след приемането на настоящото решение от Съвета дали ще го въведе в националното си законодателствоEurlex2019 Eurlex2019
— con non più di tre uscite elettriche, contenenti ciascuna due interruttori di potenza (di tipo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) o IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors, transistor bipolare con gate isolato)) e drive interni e
Това беше подарък от капитанаeurlex-diff-2017 eurlex-diff-2017
Convertitori statici comprendenti un circuito di commutazione della potenza con transistor bipolari a porta isolata (IGBT), inseriti in un contenitore, destinati alla fabbricazione di forni a microonde della sottovoce 8516 50 00 (1)
Татко всичко ли е наред?EurLex-2 EurLex-2
Struttura e funzionamento dei transistor PNP e NPN.
Довечера мога да отида пакEurLex-2 EurLex-2
ex 8541 | Diodi, transistor e simili dispositivi a semiconduttore, esclusi i dischi (wafers) non ancora tagliati in microplacchette | Fabbricazione: - a partire da materiali di qualsiasi voce, esclusi quelli della stessa voce del prodotto, e - in cui il valore di tutti i materiali utilizzati non ecceda il 40% del prezzo franco fabbrica del prodotto | Fabbricazione in cui il valore di tutti i materiali utilizzati non ecceda il 25% del prezzo franco fabbrica del prodotto |
Не знам, колко пъти трябва да ви кажаEurLex-2 EurLex-2
per l'attività di TFT-LCD di media e piccola dimensione di Epson: sviluppo, manifattura, commercializzazione e vendita di display a cristalli liquidi contenenti una sottile pellicola di transistor di medie e piccole dimensioni.
Но ме заинтригува, че пропусна някои...На тях така им харесваEurLex-2 EurLex-2
Stabilizzatori di transistor di serie e shunt
Не го прави, Анди!Не съсипвай всичко, което изградихме!tmClass tmClass
Amplificatore ad alta frequenza a nitruro di gallio (GaN), che consiste in uno o più transistor discreti , uno o più chip condensatori discreti, munito o meno di dispositivi passivi integrati ("IPD"), montati su flangia metallica in apposito alloggiamento
Дани и аз бяхме двама от тези тях, не разбирам какво казватеEurlex2019 Eurlex2019
8541 Diodi, transistori e simili dispositivi a semiconduttore; dispositivi fotosensibili a semiconduttore, comprese le cellule fotovoltaiche anche montate in moduli o costituite in pannelli; diodi emettitori di luce; cristalli piezoelettrici montati:
Определението за продуктова група и специфичните екологични изисквания за продуктова група са валидни до # август # г.“EurLex-2 EurLex-2
Pannelli per apparecchi a raggi X (sensori per pannelli piatti a raggi X/sensori a raggi X) costituiti da una lastra di vetro dotata di una matrice di transistori a strato sottile, ricoperta di una pellicola di silicio amorfo, rivestita di uno strato di scintillatore al cesio ioduro e da uno strato protettivo metallizzato, con una superficie attiva di 409,6 mm2 × 409,6 mm2 e una dimensione del pixel di 200 μm2 × 200 μm2
Определено знам за какво говоришEurLex-2 EurLex-2
Convertitori statici comprendenti un circuito di commutazione della potenza con transistor bipolari a porta isolata (IGBT), inseriti in un contenitore, destinati alla fabbricazione di forni a microonde della sottovoce 8516 50 00 (1)
Директива #/#/ЕС на КомисиятаEurLex-2 EurLex-2
Nota: 3E003.b. non sottopone ad autorizzazione la "tecnologia" per transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT) in grado di funzionare a frequenze inferiori a 31,8 GHz e per transistori bipolari ad eterogiunzione (HBT) in grado di operare a frequenze inferiori a 31,8 GHz.
Права си.Затова го правимEurLex-2 EurLex-2
N.B. 1: ‘Elemento di circuito’: parte funzionale singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità ecc.
Требаше да го убие Бред!EurLex-2 EurLex-2
Diodi; transistori; tiristori, diac e triac
Дърпаш погрешната струнаeurlex-diff-2018-06-20 eurlex-diff-2018-06-20
transistor a effetto di campo in tecnologia MOS
Надявам се, че ще оправим нещата по- късноEuroParl2021 EuroParl2021
Diodi, transistor e simili dispositivi a semiconduttore, esclusi i dischi (wafers) non ancora tagliati in microplacchette
Нека да опитамEurLex-2 EurLex-2
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