ハロゲン化物 oor Frans

ハロゲン化物

Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans

halogénure

naamwoord manlike

芳香族ハロゲン化物の脱ハロゲン化方法
Procédé pour la déshalogénisation d'un halogénure aromatique

ion halogénure

naamwoord

Soortgelyke frases

ハロゲン化物イオン
ion halogénure

カルボン酸ハロゲン化物
halogénure d'acyle · halogénure d’acyle · halogénures d’acides · halogénures d’acyle

voorbeelde

第1のスイッチング素子10は、基板11の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体13と、半導体層積層体13の上に形成されたゲート電極18、第1のオーミック電極16及び第2のオーミック電極17と、基板11の裏面に形成された裏面電極20とを有している。
Un potentiel électrique est fourni à l'électrode arrière (20) à partir du bloc d'alimentation connecté à la borne d'entrée (Vin1) de manière à ce que la différence de potentiel entre l'électrode arrière (20) et la seconde électrode ohmique (17) soit faible.

【課題】(1)アーム衝突時の衝撃吸収性に優れ、(2)非粘着であり、(3)クリーンであり、(4)ハロゲン物質(塩素)不含有であるフッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法の提供。
L’invention concerne une composition de caoutchouc fluoré qui permet d’obtenir un objet réticulé qui (1) a l’excellente capacité d’absorber le choc d’un coup de bras, (2) n’est pas collant, (3) est propre et (4) ne contient pas d’halogène (chlore); et un procédé de fabrication d’un caoutchouc fluoré réticulé.

III族窒化物半導体レーザ素子11のアノード側にある第1の面13aの四つの角のそれぞれに、切欠部113a等の切欠部が形成されている。 切欠部113a等は、素子11を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。
Des segments de coupe (113a et similaires) sont formés sur chacun des quatre coins d'une première surface (13a) d'un élément laser à semi-conducteur à nitrure du groupe III (11) sur le côté de l'anode.

窒化物系III-V族化合物半導体発光素子およびその製造方法
Dispositif electroluminescent a semi-conducteur avec compose nitrure iii-v et procede de fabrication

(式(1)中、X1はハロゲン原子を示し、R1はアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を示す) で表されるビグアニド誘導体、その塩又はそれらの水和物。
Dans la formule générale (1) : Xl représente un atome d'halogène; et R1 représente un groupe alkyle, un groupe aryle facultativement substitué ou un groupe aralkyle facultativement substitué.

(式中R4及びR5はそれぞれ独立してハロゲン原子又はアルキル基を示しR1~R3及びR6~R8はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、カルボニル基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。
(Dans cette formule, R4 et R5 représentent chacun indépendamment des atomes d'halogène ou des groupes alkyle, R1-R3 et R6-R8 représentent chacun indépendamment des atomes d'hydrogène, des atomes d'halogène, des groupes alkyle, des groupes fluoroalkyle, des groupes hydroxyle, des groupes alcoxy, des groupes amino, des groupes alkylamino, des groupes carbonyle, des groupes alkylcarbonyle, des groupes nitro, des groupes cyano ou des groupes aryle.

窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体自立基板
Procédé de production d'un substrat semi-conducteur à base d'un composé nitrure, et substrat autonome semi-conducteur à base d'un composé nitrure

窒化物電子デバイスを作製する方法
Procédé de fabrication de dispositifs électroniques à base de nitrure

III族窒化物結晶およびその製造方法
Cristaux de nitrure du groupe iii et procédé de fabrication de ceux-ci

さらに、ハロゲン結合は、ラジカルカチオン塩の組織化や分子導体の設計、液晶構造物の作成などに用いられている。
De plus, la liaison halogène est utilisée pour organiser les sels des radicaux-cations, pour fabriquer des fils moléculaires conducteurs, et pour créer des édifices à base de cristaux liquides.

[課題]従来よりも耐久性に優れた、金属炭窒酸化物からなる燃料電池用触媒の製造方法を提供すること。 [解決手段]酸素ガスを含む不活性ガス中で金属炭窒化物を加熱して、金属炭窒酸化物を製造する金属炭窒酸化物製造工程、および前記金属炭窒酸化物と酸性溶液とを接触させる接触工程を含むことを特徴とする金属炭窒酸化物からなる燃料電池用触媒の製造方法。
L'invention concerne un procédé pour produire un catalyseur de pile à combustible qui présente une excellente durabilité par rapport à celle des catalyseurs traditionnellement obtenus et qui comporte un oxycarbonitrure métallique.

III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、半導体積層体における発光端面を覆うように形成された誘電体多層膜からなる保護膜を備え、保護膜は端面保護層と酸素拡散抑制層から構成され、発光端面から端面保護層と酸素拡散抑制層の順に配置されており、端面保護層は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜を含んだ層であり、酸素拡散抑制層は金属酸化物膜をシリコン酸化膜が挟んだ構造であり、金属酸化物膜はレーザ光によって結晶化することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Ledit élément laser à semi-conducteur au nitrure est caractérisé en ce qu'il comprend : un corps semi-conducteur stratifié, constitué d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III et présentant une surface d'extrémité électroluminescente; et un film de protection constitué d'un film diélectrique multicouche formé de manière à couvrir la surface d'extrémité électroluminescente du corps semi-conducteur stratifié.

0を満たす。 本発明のカーボンブラックの製造方法は、原料カーボンブラックを、ハロゲン元素含有ガス雰囲気下に900~1500°Cで5~180分間加熱処理する。
Ce procédé de production de noir de carbone consiste à traiter thermiquement une matière première de noir de carbone à 900-1500°C pendant 5-180 minutes dans une atmosphère gazeuse contenant un élément halogéné.

六角形の格子状に並んだ炭素原子で構成された炭素シートの積層体である黒鉛から前記炭素シートを剥離させる剥離方法において、前記黒鉛と、ポリリン酸と、ハロゲン化剤とを混合して前記炭素シートをハロゲン化することにより、前記黒鉛から前記炭素シートを剥離させることを特徴とする。
L'invention concerne un procédé de pelage pour enlever par pelage des feuilles de carbone, chaque feuille étant composée d'atomes de carbone agencés sous forme d'un réseau hexagonal, de graphite, qui est un stratifié de feuilles de carbone, ledit procédé étant caractérisé en ce que les feuilles de carbone sont enlevées par pelage du graphite par mélange du graphite avec de l'acide polyphosphorique et un agent d'halogénation pour halogéner les feuilles de carbone.

111)方位の単結晶シリコン下地基板の上に、基板面に対し(0001)結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなるエピタキシャル基板を、AlNからなる第1組成層とAlxGa1-xNからなる第2組成層とを交互に積層してなる組成変調層とAlyGa1-yN(0≦y<1)からなる第1中間層とを含む第1の積層単位を複数備えるバッファ層を備え、第1および第2組成層の積層数をそれぞれnとし、下地基板の側からi番目の第2組成層におけるxの値をx(i)とするときに、x(1)≧x(2)≧・・・≧x(n-1)≧x(n)かつ、x(1)>x(n)であるように形成し、第2組成層が第1組成層に対してコヒーレントな状態にあり、第1中間層が組成変調層に対してコヒーレントな状態にあるようにする。
Le substrat épitaxial comporte une couche tampon qui comprend une pluralité de premières unités de superposition, comprenant chacune une couche de modulation de la composition, des couches d'une première composition formées d'AlN et des couches d'une deuxième composition formées d'AlxGa1-xN étant superposées de façon alternée, ainsi qu'une première couche intermédiaire formée d'AlyGa1-yN (avec 0 ≤ y x(n) sont satisfaites.

式(1) 〔式中、R1は、C1-C4アルキル基等を表し;R3は水素原子等を表し;R7はC1-C3アルキル基等を表し;Tは以下の基T1、T2またはT3を表し;Z2はハロゲン原子等を表し;Z3はC1-C3アルキル基等を表し;Qは以下の基Q1、Q2またはQ3を表し;R5はC1-C3アルキル基等を表し;R10は水素原子等を表し;R11は水素原子等を表し;X1は酸素原子等を表し;X2は直接結合等を表し;R12はC1-C3アルキル基等を表す。〕 で示される芳香族化合物を含有する有害生物防除剤は優れた防除効力を有する。
Dans la présente invention, un agent de lutte contre les organismes nuisibles contenant un composé aromatique est représenté par la formule (1) [dans la formule, R1 représente un groupe alkyle en C1-C4 ou similaire; R3 représente un atome d'hydrogène ou similaire; R7 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou similaire; T représente des groupes T1, T2 ou T3; Z2 représente un atome d'halogène ou similaire; Z3 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou similaire; Q représente des groupes Q1, Q2 ou Q3; R5 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou similaire; R10 représente un atome d'hydrogène ou similaire; R11 représente un atome d'hydrogène ou similaire; X1 représente un atome d'oxygène ou similaire; X2 représente une liaison directe ou similaire; et R12 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou similaire] possède d'excellents effets de lutte contre les organismes nuisibles.

(1)N-オキシル化合物、及び(2)臭化物、ヨウ化物若しくはこれらの混合物の存在下で、酸化剤を用いてセルロース系原料を酸化し、得られた原料を解繊・分散処理してセルロースナノファイバー分散液を調製し、得られた分散液を酸性にすることによりセルロースナノファイバーを凝集させてゲル状物質を形成させ、最後にゲル状物質を粉砕することにより、吸水性が低く膨潤しにくいセルロースゲル分散液を得る。
La présente invention concerne une dispersion de gel de cellulose qui a une faible capacité d'absorption d'eau et est moins susceptible de gonfler, qui peut être produite par : oxydation d'une matière première de cellulose avec un agent oxydant en présence de (1) un composé N-oxyle et (2) un bromure, un iodure ou un mélange de ceux-ci ; défibrage et dispersion de la matière première résultante pour préparer une dispersion de nanofibres de cellulose ; préparation de la dispersion de manière à la rendre acide pour causer l'agrégation de nanofibres de cellulose, de manière à former une substance gélifiée ; et finalement pulvérisation de la substance gélifiée.

このようにすることで、ハロゲン化合物を含むガス雰囲気において成長させた炭化珪素半導体膜の結晶性を向上させることができる。
De cette manière, il est possible d'améliorer la cristallinité du film semi-conducteur en carbure de silicium qu'on a fait croître dans une atmosphère de gaz contenant un composé halogéné.

一般式(I) (式中、Xはハロゲン原子又は水素原子を意味し、R1およびR2は、同時にあるいは別々に、水素原子又は置換されていてもよいC1-6アルキル基を示す。)
L'invention porte sur un médicament pour la prévention ou le traitement de troubles de l'oreille interne qui comprend un dérivé de spirohydantoïne représenté par la formule générale (I) (dans laquelle X représente un atome d'halogène ou un atome d'hydrogène et R1 et R2 représentent en même temps ou indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle en C1-6 éventuellement substitué) ou un sel pharmacologiquement acceptable de celui-ci comme principe actif.

-r面窒化物半導体結晶を少なくとも上面に有する基板をMOCVD装置の反応室内に配置する工程(S1)と、反応室内の基板を加熱し、基板の温度を上昇させる昇温工程(S2)と、基板上に窒化物半導体層を成長させる成長工程(S3)とを実行する。
Dans l'étape d'élévation de la température (S2), un gaz de matière première d'azote et un gaz de matière première d'élément du Groupe III sont fournis à la chambre de réaction.

チューブ加工装置及びチューブフラット化物製造方法
Appareil de traitement de tube, et procédé pour la fabrication d'un article de tube aplati

で表されるβ型SiAlONである、2価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体粒子(1)の粒子群であって、長径を短径で割った値の平均値が1.
Le dispositif électroluminescent utilisant le β-SiAlON est stable et a un rendement élevé.

ハロゲン化物ガラス組成物及びそれを利用した光ファイバー
Composition de verre aux halogénures et fibre optique l'utilisant

窒化物半導体の製造方法は、半導体層を構成する窒化物を有し、窒化物半導体の製造方法であって、スロットアンテナから放射されたマイクロ波によって生成されるIII族元素を含むガスのプラズマを用いて、III族元素を含む窒化物層を形成する工程を備える。
La présente invention concerne un procédé de production d'un semi-conducteur à base de nitrure contenant un nitrure constituant une couche semi-conductrice.

抗VEGF薬と、一般式(I):(式中、R1及びR2は、同一又は異なって、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はニトロ基を意味し、R3は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基を意味する。) で示されるピロロ[1,2-a]ピラジン誘導体又はその薬理学的に許容される塩と、の組み合わせから構成される、眼内血管新生及び/又は眼内血管透過性亢進を伴う疾患の予防又は治療のための医薬。
L'invention concerne un agent médicinal de prévention ou de traitement de maladies associées à une néovascularisation intraoculaire et/ou une hyperperméabilité vasculaire intraoculaire, comprenant une combinaison d'un agent anti-VEGF et d'un dérivé de pyrrolo[1,2-a]pyrazine représenté par la formule générale (I) (dans laquelle R1 et R2 peuvent être identiques ou différents l'un de l'autre et représentent indépendamment un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un groupe trifluorométhyle, un groupe alkyle inférieur, un groupe alcoxy inférieur ou un groupe nitro ; et R3 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène ou un groupe alkyle inférieur) ou un sel pharmacologiquement acceptable de ce dérivé.