半導体基板の一方の面に、当該一方の面の側から順に、第1絶縁層、柱状結晶状のノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層、第2絶縁層、および、半導体層が形成され、前記第2絶縁層を介して前記ノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層に臨む前記半導体層の位置に、高周波トランジスタが形成されている、高周波半導体装置。
la description du développement nécessaire, couvrant plusieurs années, de l'offre en matière d'accueil, de traitement et d'accompagnement, afin de pouvoir donner suite à toutes les demandes d'aide futures, à l'appui de la politique flamande de programmation pluriannuelle de l'assistance aux personnes handicapéespatents-wipo patents-wipo