ラングリッサーIII oor Frans
ラングリッサーIII
Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans
Langrisser III
Geskatte vertalings
Vertoon algoritmies gegenereerde vertalings
voorbeelde
Advanced filtering
Voorbeelde moet herlaai word.
上記第1化合物は、第1のカルコゲン元素含有有機化合物と第1のルイス塩基とI-B族元素と第1のIII-B族元素とを含んでいる。
Comme la dernière foispatents-wipo patents-wipo
III族窒化物半導体レーザ素子11のアノード側にある第1の面13aの四つの角のそれぞれに、切欠部113a等の切欠部が形成されている。 切欠部113a等は、素子11を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。
Il dit que, étant donné que le Canada n'emprunte plus, il y a plus d'argent disponible pour l'ensemble du pays, pour les investisseurs privés et les emprunts des sociétéspatents-wipo patents-wipo
窒化物系III-V族化合物半導体発光素子およびその製造方法
Il m' a proposé de me trouver de la camepatents-wipo patents-wipo
この炭酸クロム(III)は、好適には、温度25°CでpHが0. 2の塩酸水溶液1リットルに、Crとして1g含有に相当する量を加えたときに、30分以内に完全溶解する。
Nous sommes censés représenter les gens de nos circonscriptionspatents-wipo patents-wipo
III族窒化物結晶およびその製造方法
Crisse d' épais!Tu l' as pas reconnue?patents-wipo patents-wipo
1≦R[+40°]/R[-40°]≦10・・・(I) R[+40°]<R[-40°]の場合 1≦R[-40°]/R[+40°]≦10・・・(I') 該第1の透明支持体と該第2の透明支持体の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が下記式(II)、及び、波長550nmにおける厚み方向のレターデーションRth(550)が下記式(III)をそれぞれ満たし、 0nm ≦ Re2(550)≦ 150nm (II) -20nm ≦ Rth2(550)≦ 250nm (III) 該第1の偏光板の吸収軸と該第1の光学補償フィルムの面内遅相軸が互いに直交又は平行に配置されており、該第1の偏光板の吸収軸と該第1の偏光板に隣接する液晶セル基板のラビング方向が30~60°の角度をなすことを特徴とする液晶表示装置。
Elle est en lune de mielpatents-wipo patents-wipo
本発明は、モノニトリル化合物(I)と、ジニトリル化合物及びトリニトリル化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物(II)と、第4級アンモニウム塩(III)とを含み、化合物(II)の含有量は、電解液中0. 05~5質量%であることを特徴とする電解液である。
Livrez- le à Mullpatents-wipo patents-wipo
自立基板の製造方法は、ベース基板(10)上に層状に結晶成長させたIII-V族化合物半導体の層(20)内に横方向に断裂を生じさせ、そして、ベース基板(10)から分離したIII-V族化合物半導体の層(20)の部分(21)を自立基板として回収する。
L'organisme notifié évalue le système de qualité en vue de déterminer s'il répond aux exigences visées au pointpatents-wipo patents-wipo
III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、半導体積層体における発光端面を覆うように形成された誘電体多層膜からなる保護膜を備え、保護膜は端面保護層と酸素拡散抑制層から構成され、発光端面から端面保護層と酸素拡散抑制層の順に配置されており、端面保護層は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜を含んだ層であり、酸素拡散抑制層は金属酸化物膜をシリコン酸化膜が挟んだ構造であり、金属酸化物膜はレーザ光によって結晶化することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
• Autres circulairespatents-wipo patents-wipo
(i) 式(1)のX、Y、又はその両方の構造に式(2)で表される基を有している。 (ii) 式(1)のR2、R3、又はその両方が式(2)で表される基である。 (iii) 式(1)のX、Y、又はその両方の構造に式(2)で表される基を有し、R2、R3、又はその両方が式(2)表される基である。
Le point de vue du CESE est qu'il convient de renforcer la confiance des citoyens de l'Union européenne dans les institutions européennespatents-wipo patents-wipo
111)方位の単結晶シリコン下地基板の上に、基板面に対し(0001)結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなるエピタキシャル基板を、AlNからなる第1組成層とAlxGa1-xNからなる第2組成層とを交互に積層してなる組成変調層とAlyGa1-yN(0≦y<1)からなる第1中間層とを含む第1の積層単位を複数備えるバッファ層を備え、第1および第2組成層の積層数をそれぞれnとし、下地基板の側からi番目の第2組成層におけるxの値をx(i)とするときに、x(1)≧x(2)≧・・・≧x(n-1)≧x(n)かつ、x(1)>x(n)であるように形成し、第2組成層が第1組成層に対してコヒーレントな状態にあり、第1中間層が組成変調層に対してコヒーレントな状態にあるようにする。
Et si I' essuie- glace fonctionnait comme une paupière?patents-wipo patents-wipo
銅、銀、インジウム及びガリウムから選ばれる少なくとも1つの元素と、硫黄、セレン及びテルルから選ばれる少なくとも1つの元素とを含み、かつ任意の波長励起による発光スペクトルの半値幅が5nm以上200nm以下である平均粒子サイズが1nm以上100nm以下の微粒子を少なくとも1層基板上に塗布することで光吸収層を形成したI-III-VI族化合物太陽電池。
seringues préremplies de # mlpatents-wipo patents-wipo
電解質と、下記式(I-1)で表される化合物、下記式(II-1)で表される化合物、および下記式(III-1)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種以上のシクロプロパン化合物とを、有機溶媒中に含有する非水二次電池用電解液。
Prépension à partir de # ans avec # ans de travail en équipes avec service de nuit, dont # ans dans le secteurpatents-wipo patents-wipo
窒化物半導体の製造方法は、半導体層を構成する窒化物を有し、窒化物半導体の製造方法であって、スロットアンテナから放射されたマイクロ波によって生成されるIII族元素を含むガスのプラズマを用いて、III族元素を含む窒化物層を形成する工程を備える。
Les créanciers se sont réunis, le # juin #, et ont marqué leur accord sur la restructuration de leurs créances proposée par la société Konaspatents-wipo patents-wipo
有機酸クロム(III)水溶液及びその製造方法
Le fonctionnaire n'a cependant plus droit à la promotion de grade ni à la promotion d'échelle de traitement, ni à une désignation à un grade mandatpatents-wipo patents-wipo
n型層101における接合層114と接する側の表面に複数の斜面を有する凹凸が設けられ、接合層114はIII族原子からなる金属又はIII族原子を含む合金である。
Par exemple, si on gagne 14 secondes pour chaque dédouanement PAD au pont Ambassador de Windsor, compte tenu du volume du trafic commercial (environ 1 000 camions avec des expéditions PAD par jour), on gagne 3,88 heures par jour.patents-wipo patents-wipo
窒化ガリウム等のIII族窒化物の成膜方法
Etant donné qu'en raison de l'introduction de l'euro, les montants sont repris à leur valeur historique en francs belges sauf les nouveaux totaux et les montants relatifs à la dette envers les Régions qui sont indiqués dans les deux monnaies, le franc belge étant indiqué à titre indicatif entre parenthèsespatents-wipo patents-wipo
[I](A)所定の温度範囲で液晶性を発現する感光性の側鎖型高分子、及び(B)有機溶媒、を含有する感光性組成物を、横電界駆動用の導電膜を有する基板上に塗布して感光性側鎖型高分子膜を形成する工程、[II]前記感光性側鎖型高分子膜に偏光した紫外線を照射して側鎖型高分子膜とする工程、[III]前記側鎖型高分子膜を加熱する工程、[IV]その後、さらに紫外線を照射する工程、を有する、横電界駆動型液晶表示素子の製造方法。
Continuer d'améliorer le service; 2.patents-wipo patents-wipo
725年: 伏闍璥(Vijaya Dharma III)が、トルコ人と共謀した罪で中国に打ち首にされる。
Tu penses qu' on l' a abandonné?LASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
また、上記第2化合物は、有機配位子と第2のIII-B族元素とを含んでいる。 また、上記半導体層形成用溶液は、上記第1化合物と上記第2化合物と有機溶媒とを含んでいる。
Par le plus grand singe de tous, notre législateurpatents-wipo patents-wipo
ロングエーカーは片面に星、片面にローマ数字のIIIをあしらったデザインを用意し、当初はパターソンの承認を得た。
Je m' exerce à filocher.Je suis un privé, à présentLASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
式: 式(I)(式中、 式(II)で示される部分が、 式(III)であり、 R1はそれぞれ独立して、ハロゲン、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、カルボキシ、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のアルケニル等であり、 mは0~3の整数であり、 R2は水素または置換もしくは非置換のアルキルであり、 Xは-O-であり、 Yは置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換のヘテロアリールである。)
Comme la dernière foispatents-wipo patents-wipo
Mark III のワードは16ビットから成っている。
Chez ces patientsLASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
コーネリアス・ヴァンダービルト3世(Cornelius Vanderbilt III, 1873年9月5日 ニューヨーク - 1942年3月1日 マイアミビーチ)は、アメリカ合衆国の陸軍軍人、発明家、技術者。
Dans des circonstances exceptionnelles et pour des motifs de protection de la santé humaine ou animale, lLASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
iii) DMFに無機塩を加えたもの。 また、本発明は、上記のポリペプチドの溶液をドープ液とし、ドープ液を口金から脱溶媒槽に押し出し、ドープ液から溶媒を脱離させるとともに繊維形成して未延伸糸とし、人造ポリペプチド繊維を得る。
Il crée jusqu'à # emplois permanents de grande qualité chaque année au Canadapatents-wipo patents-wipo
206 sinne gevind in 4 ms. Hulle kom uit baie bronne en word nie nagegaan nie.