Elektronenbeweglichkeit oor Engels

Elektronenbeweglichkeit

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electron mobility

naamwoord

Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors)
high electron mobility transistors

voorbeelde

Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors)
high electron mobility transistors

Die größte Elektronenbeweglichkeit weißt die 3C-Struktur auf. Hierdurch, und wegen der kleineren Bandlücke, eignet es sich außerordentlich gut für den Einsatz in mittleren Leistungsbereichen (300-1200V, 10-100A).
It is the 3C structure that has the highest electron mobility, the smaller band-gap and it is therefore exceptionally suited for medium power applications (300-1200V, 10-100A).

High electron mobility transistors (Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit)
high electron mobility transistors

High-Electron-Mobility-Transistor {m} <HEMT> [Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit] [noun] [electr.]
high electron mobility transistor <HEMT>

Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (High Electron Mobility Transistors)
High Electron Mobility Transistors

DIE TECHNOLOGIE UMFASST GAAS-SCHALTKREISE AUF FET-BASIS SOWIE GAAS/GAALAS-HETEROÜBERGANGSSTRUKTUREN , IN DENEN DER HEMT ( TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT ) ODER DIE BIPOLAREN HETEROÜBERGANGSTRANSISTOREN VERWENDET WERDEN .
THE TECHNOLOGY ENCOMPASSES GAAS CIRCUITS BASED ON FIELD EFFECT TRANSISTORS ( FET'S ) AS WELL AS GAAS/GAALAS HETEROJUNCTION STRUCTURES USING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS ( HEMT ) OR THE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS ( HJBT'S ) .

Bei Substanzen, in denen auf Elektronen (des Innern) zurückführbare dielektrische Debyesche Verluste auftreten, sollte die Elektronenbeweglichkeit sehr klein sein.
It is shown that substances which exhibit Debye type of dielectric loss due to electrons in the bulk also show very low electronic mobility.

Der Hallkoeffizient nimmt von Silicium nach Indiumantimonid hin ab, während die Elektronenbeweglichkeit ansteigt.
The Hall coefficient decreases from silicon toward indium anti monide, while the electron mobility increases.

HEMT Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors)
HEMT high electron mobility transistors

Das Interesse an diesem Material ist begründet durch seine große Elektronenbeweglichkeit in Bezug auf ein Phänomen, das als Polytypie bezeichnet wird.
The interest in this material stems from its high electron mobility in relation to a phenomenon called polytypism.

Aus den Halbleitermaterialien der Gruppe III-V können aufgrund ihrer sehr viel höheren Elektronenbeweglichkeit als bei Silizium kleinere und schnellere Transistoren erschaffen werden.
With much higher electron mobility than silicon, group III-V semiconductor materials can be fashioned into smaller and faster transistors.

DIE TECHNOLOGIE UMFASST GAAS-HOMÖUBERGANGSSTRUKTUREN AUF FET-BASIS SOWIE GAAS/GAALAS-HETEROÜBERGANGSSTRUKTUREN , IN DENEN DER HEMT ( TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT ) ODER DIE BIPOLARE HETEROÜBERGANGSTECHNIK VERWENDET WERDEN .
THE TECHNOLOGY ENCOMPASSES GAAS HOMOJUNCTION STRUCTURES BASED ON THE FET AS WELL AS GAAS/GAALAS HETEROJUNCTION STRUCTURES USING THE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR ( HEMT ) OR THE HETEROJUNCTION BIPOLAR .

Die gemessene mittlere Aktivierungsenergie des Stromes von etwa 1,4 eV ist gleich der Summe vom Mittelwert der Elektronenaustrittsarbeit (Energieaufwand für die Ladungsträgererzeugung) von 1,06 eV und vom wahrscheinlichsten Wert der Aktivierungsenergie für die Elektronenbeweglichkeit von 0,34 eV.
The mean value of the measured activation energies of the current of about 1.4 eV is equal to the sum of the mean value of the electron work function (required energy to produce an electron) of 1.06 eV and of the most probable value of the activation energy for the electron mobility of 0.34 eV.

Will man die der Geschwindigkeit in CMOS-Schaltungen (komplementärer Metalloxidhalbleiter) über ein bestimmtes Maß hinaus optimieren, sind neue Materialien mit höherer Elektronenbeweglichkeit als Silizium (Si) erforderlich.
Optimisation of speed in complementary metal–oxide semiconductor (CMOS) circuits beyond a certain level requires new materials with higher electron mobility than silicon (Si).