Design and development of metal-oxide-semiconductor (MOS) circuits, multi-chip integrated circuit modules, electric and/or electronic sensors for light intensity, acceleration, compression, pressure, and distance, microsystems consisting primarily of micro-processors and micro-computers, customized integrated circuits in the nature of application-specific integrated circuits (ASICs), integrated circuits in the nature of application-specific standard electronic products (ASSPs), memory integrated circuits in the nature of static random access memory (SRAM) circuits, dynamic random access memory (DRAM) circuits, and non-volatile static random access memory (NVSRAM) circuits, memory expansion modules, and structured semi-conductor discs
Σχεδιασμός και ανάπτυξη κυκλωμάτων MOS (ημιαγωγού μεταλλικού οξειδίου), δομοστοιχείων ολοκληρωμένου κυκλώματος πολλαπλών πλινθίων, ηλεκτρικών και/ή ηλεκτρονικών αισθητήρων έντασης φωτός, επιτάχυνσης, συμπίεσης, πίεσης και απόστασης, μικροσυστημάτων αποτελούμενων κυρίως από μικροεπεξεργαστές και μικροϋπολογιστές, εξατομικευμένων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με τη μορφή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ειδικών εφαρμογών (ASIC), ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με τη μορφή πρότυπων ηλεκτρονικών προϊόντων για ειδικές εφαρμογές (ASSP), ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μνήμης μη τη μορφή κυκλωμάτων στατικής μνήμης τυχαίας προσπέλασης (SRAM), κυκλωμάτων δυναμικής μνήμης τυχαίας προσπέλασης (DRAM) και κυκλωμάτων μη πτητικής στατικής μνήμης τυχαίας προσπέλασης (NVSRAM), δομοστοιχείων επέκτασης μνήμης και δομημένων δίσκων ημιαγωγώνtmClass tmClass