The methods are well-suited for fabricating back-gate and double-gate field effect transistors, double-sided bipolar transistors and 3D integrated circuits.
Les procédés sont bien adaptés à la fabrication de transistors à effet de champ à gâchette arrière ou à double gâchette, de transistors bipolaires à double face, et de circuit intégrés tridimensionnels.patents-wipo patents-wipo