L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs haute fréquence, où une première couche isolante, une couche de polysilicium épitaxiale non dopée pourvue d'une structure cristalline en forme de colonne, une seconde couche isolante et une couche semi-conductrice sont formées dans cet ordre sur une surface d'un substrat à semi-conducteurs, en partant du côté de cette surface, et un transistor haute fréquence est formé à l'endroit où la couche semi-conductrice est tournée vers la couche de polysilicium épitaxiale non dopée par le biais de la seconde couche isolante.
半導体基板の一方の面に、当該一方の面の側から順に、第1絶縁層、柱状結晶状のノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層、第2絶縁層、および、半導体層が形成され、前記第2絶縁層を介して前記ノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層に臨む前記半導体層の位置に、高周波トランジスタが形成されている、高周波半導体装置。patents-wipo patents-wipo