クモ膜 oor Frans

クモ膜

Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans

arachnoïde

naamwoord vroulike

Soortgelyke frases

クモ膜下腔
Espace sous-arachnoïdien

クモ膜下出血
hémorragie méningée

voorbeelde

空気入りタイヤは、クマロン樹脂膜が形成されたビードワイヤを使用している。
La présente invention porte sur un pneu, qui utilise des tringles de talon sur lesquelles un film de résine de coumarone est formé.

化合物半導体膜の光電変換効率の向上を図ることが可能なカルコパイライト系の化合物半導体粒子組成物を提供する。
La présente invention a trait à une composition de particules de semi-conducteur composé de chalcopyrite qui permet d'augmenter l'efficacité de conversion photoélectrique d'un film semi-conducteur composé.

ガラスと光学多層膜との膜ハガレを抑制し、高温高湿の環境下における化学的耐久性が高い光学多層膜付きガラス部材、および近赤外線カットフィルタガラスを提供すること。 燐酸塩ガラス基板上に光学多層膜が形成された光学多層膜付きガラス部材であって、前記燐酸塩ガラス基板と前記光学多層膜との間に密着強化膜が形成されており、前記光学多層膜は、スパッタリング法もしくはイオンアシスト蒸着法により形成されたものであり、前記密着強化膜は、イオンアシストを用いない蒸着法にて形成されたものである。
La présente invention vise à proposer un élément de verre comportant un film optique multicouche ce par quoi une séparation du verre et du film multicouche optique est supprimée et une résistance chimique élevée dans un environnement d'humidité élevée, de température élevée est obtenue, et à proposer un verre de filtre de coupure en proche infrarouge.

本発明は、溶融成形のロングラン性に優れると共に、製膜欠点やストリーク等の製膜欠陥の発生と着色とが抑制され、外観性に優れるエチレン-ビニルアルコール共重合体、樹脂組成物及びその成形物を提供する。 本発明は、エチレンとビニルエステルとの共重合体をけん化して得られるエチレン-ビニルアルコール共重合体(A)であって、示差屈折率検出器及び紫外可視吸光度検出器を備えるゲルパーミエーションクロマトグラフを用い、窒素雰囲気下、220°C、50時間熱処理後に測定した分子量が、下記式(1)で表される条件を満たすことを特徴とする。
La présente invention concerne : un copolymère éthylène-alcool vinylique ayant un aspect exceptionnel et une occurrence minimisée de décoloration, de défauts de film et de fautes de film telles que des stries, tout en ayant une exceptionnelle aptitude au façonnage à long terme pendant le moulage à l'état fondu ; une composition de résine ; et un article moulé de celle-ci.

絶縁膜に開口部を設けた分析用具
Instrument d'analyse a ouverture pratiquee dans un film isolant

上部支持体からの多孔性半導体層の剥離が防止された光電変換素子であって、光入射側に位置する透光性の上部支持体(101)と、その反対側に位置する下部支持体(110)とに挟まれて、該上部支持体の側から順に、多孔性半導体層(102,103)を有する光電変換層(112)と、集電電極(104)と、絶縁層(105)と、対極(106)とが配置され、更にキャリア輸送材料が含まれ、少なくとも該上部支持体(101)と該多孔性半導体層(103)との間に隣接して、膜厚0.5~10nmの密着部(111)が配置されている、光電変換素子である。
En outre, l'élément de conversion photoélectrique présente, disposée en son sein, une section d'adhérence (111), qui contient un matériau de transport de porteuses et qui est adjacente au moins au corps de support supérieur (101) et à la couche semi-conductrice poreuse (103), du fait qu'il est disposé entre eux, ladite section d'adhérence ayant une épaisseur de film comprise entre 0,5 nm et 10 nm.

低焼成温度、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供することにある。 又、高集積な有機トランジスタの形成に必要とされる微細な絶縁膜パターンを印刷法により形成できる絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。
La présente invention concerne une composition d'encre isolante destinée à former un film isolant ayant des propriétés d'isolement et une résistance aux solvants satisfaisantes, ainsi qu’une faible température de cuisson.

まず、半導体基板1の上に、ゲート絶縁膜(3)を形成し、形成したゲート絶縁膜(3)の上に、TiN膜(4)及びポリシリコン膜(5)を順次形成する。 続いて、ポリシリコン膜(5)にTiN膜(4)を露出するコンタクトホール(5a)を形成する。
La présente invention concerne un procédé pour la fabrication de dispositif à semi-conducteurs, selon lequel un film isolant de grille (3) est formé sur un substrat semi-conducteur (1), ensuite un film de TiN (ç) et un film de silicium polycristallin (5) sont formés successivement sur le film isolant de grille (3), ensuite un orifice de contact (5a) est formé dans le film de silicium polycristallin (5) de sorte que le film de TiN (4) soit exposé depuis l'orifice de contact (5a), et ensuite un film métallique (7) est formé sur au moins la surface inférieure et la surface de paroi du premier orifice de contact (5a) dans le film de silicium polycristallin (5).

膜電極接合体(3)は、少なくとも電解質膜(27)を貫通して形成され、アノード(21)側に生じたガス成分をカソード(24)側に逃がすガス抜き孔(h)を有している。
L'ensemble d'électrodes à membrane (3) comprend un orifice de libération de gaz (h) qui est formé à travers au moins le film d'électrolyte (27) et qui permet l'échappement des composants gazeux produits sur le côté anode (21) vers le côté cathode (24).

シリコン半導体支持基板1の上面に設けられた積層膜(3nm以上4nm以下の第1のシリコン酸化膜2/0.3nm以上2nm以下のシリコン窒化膜3/5nm以上10nm以下の第2のシリコン酸化膜4/3nm以上20nm以下の膜厚)を有するSOI層5と、上記構造に所定の間隔を介して互いに対向して設けられたソース・ドレイン拡散層6と、当該ソース拡散層とドレイン拡散層の間の上記半導体基板の表面上に形成されたゲート絶縁膜7と、上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極8を具備してなる電界効果型半導体装置において、シリコン支持基板1から電圧を印加することにより、直接トンネル効果によって電荷をシリコン窒化膜3に一定時間保持してしきい電圧を調整する。
Dans le dispositif semi-conducteur à effet de champ, la tension de seuil est contrôlée en appliquant une tension au substrat de support en silicium (1) et en maintenant la charge électrique dans la pellicule de nitrure de silicium (3) pendant une certaine durée par effet tunnel direct.

光学基板を製造する方法は、長尺状のフィルム状モールド(80a)を準備する工程S0と、ゾル溶液を調整する工程S1と、基板上にゾル溶液の塗膜(42)を形成する工程S2と、前記塗膜を乾燥する工程S3と、前記フィルム状モールドを押圧ロール(22)に送りこみながら、押圧ロールより前記乾燥した塗膜にフィルム状モールドのパターン面を押圧する工程S4と、前記フィルム状モールドを塗膜から剥離する工程S5と、前記凹凸パターンが転写された塗膜を焼成する工程S6とを有する。
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat optique comprenant : une étape (S0) de préparation d'un moule long en forme de film (80a); une étape (S1) de préparation d'une solution de sol; une étape (S2) de formation d'un film de revêtement (42) à partir de la solution de sol sur le substrat; une étape (S3) de séchage du film de revêtement; une étape (S4) de pressage de la surface à motifs du moule en forme de film contre le film de revêtement séché par un rouleau à presser (22), tout en faisant défiler le moule en forme de film sur le rouleau à presser; une étape (S5) de décollement du moule en forme de film du film de revêtement; et une étape (S6) de cuisson du film de revêtement sur lequel a été transféré le motif concavo-convexe.

太陽電池用封止膜及び太陽電池
Film d'étanchéité pour cellules solaires, et cellule solaire

コレステリック液晶相を固定してなる、少なくとも2つの光反射層を有する光反射膜の製造方法であって、コレステリック液晶相を固定してなる第1の光反射層の上で、硬化性の液晶組成物をコレステリック液晶相の状態にする第1の工程、及び前記硬化性の液晶組成物に紫外線を照射して硬化反応を進行させ、コレステリック液晶相を固定して第2の光反射層を形成する第2の工程を含み、第2の工程において、波長340nm以下の光の強度を少なくとも低下させる作用のある部材を介して、前記硬化性の液晶組成物に、紫外線を照射する光反射膜の製造方法である。
L'invention concerne un procédé permettant de produire un film réfléchissant présentant une grande transparence et une excellente réflectivité et qui comporte de multiples couches régulières de cristaux liquides cholestériques.

絶縁性基板上には、マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面を覆う保護膜(45)が形成されている。
Une couche protectrice (45) est prévue sur le substrat isolant de manière à recouvrir la surface latérale du premier film isolant qui recouvre la marque, et de manière à recouvrir aussi la surface du premier film isolant en regard du substrat isolant.

気化装置、ガス供給装置及び成膜装置
Vaporiseur, dispositif d'alimentation en gaz et appareil de formation de film

膜モジュール及びその製造方法
Module à membrane et son procédé de production

分離膜モジュールおよび連結部材
Module à membrane de séparation et élément de raccordement

スパッタリングによる成膜方法とその装置
Procédé et dispositif de dépôt de film par pulvérisation

前記各要素Sは、二以上のドーパント含有層2の膜厚の総厚が、一以上のドーパント非含有層2の膜厚の総厚よりも小さい。
Pour chacun des éléments (S), l'épaisseur de film totale des deux, ou plus de deux, couches contenant des dopants (1) est inférieure à l'épaisseur de film totale de la ou des couches ne contenant pas de dopants (2).

結晶性コバルトシリサイド膜の形成方法
Procédé de formation de pellicule en siliciure de cobalt cristallisé

Al合金反射膜、反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、Al合金スパッタリングターゲット
Film réfléchissant en alliage d'al, stratifié de film réfléchissant, dispositif d'éclairage d'automobile et dispositif d'éclairage, et cible de pulvérisation d'un alliage d'al

本発明は、基板(11)上に、化合物半導体からなるn型半導体層(12)、発光層(13)及びp型半導体層(14)がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極(15)及び導電型電極からなる負極(17)を備えてなり、正極(15)をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するIn2O3なる組成の結晶を含む透明導電膜であることを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。
La présente invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteur composé comprenant une couche de semi-conducteur de type n (12) comprenant un semi-conducteur composé, une couche d'émission de lumière (13), et une couche de semi-conducteur de type p (14) stratifiées dans cet ordre sur un substrat (11), un pôle positif (15) comprenant une électrode translucide conductrice, et un pôle négatif (17) comprenant une électrode conductrice, l'électrode translucide conductrice constituant le pôle positif (15) étant un film conducteur translucide comprenant un cristal ayant une composition In2O3 et à structure cristalline hexagonale.

本発明の電気化学素子は、正極(2)、負極(1)、非水電解液およびセパレータ(3)を含み、セパレータ(3)は、熱可塑性樹脂を主体とする微多孔膜からなる多孔質層(I)と、耐熱温度が150°C以上のフィラーを主体として含む多孔質層(II)とを備え、負極(1)は、アルゴンイオンレーザーラマンスペクトルにおける1580cm-1のピーク強度に対する1360cm-1のピーク強度の比であるR値が0. 1~0.
La présente invention a trait à un élément électrochimique qui comprend une électrode positive (2), une électrode négative (1), une solution électrolytique non aqueuse et un séparateur (3).

樹脂膜の除去方法、および積層体の製造方法
Procédé d'élimination d'un film de résine et procédé de production d'un stratifié

膜形成方法、導電膜、及び絶縁膜
Procédé de formation de film, film conducteur, et film d’isolation