hozzáférési blokk oor Engels

hozzáférési blokk

Vertalings in die woordeboek Hongaars - Engels

access block

A key BLOB that contains the key of the symmetric cipher used to encrypt a file or message. The access block can only be opened with a private key.

voorbeelde

Lefuttattam egy keresést, hogy kiknek van hozzáférése a telefonhoz a " D " blokkban, és ezt a fickót találtam.
I did a search for everyone with access to that land line in " D " Block and I came up with this guy.

Az érintett termék meghatározása független annak sűrűségétől, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb
The product concerned is such regardless of the density, access speed, configuration, package or frame, etc

Az érintett termék meghatározása független annak sűrűségétől, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
The product concerned is such regardless of the density, access speed, configuration, package or frame, etc.

Az érintett termék meghatározása független annak sűrűségtől, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
The product concerned is such regardless of the density, access speed, configuration, package or frame, etc.

A mélyreható és átfogó szabadkereskedelmi térség (DCFTA)(1) EU-val való létrehozásával Grúzia jogszabályok, normák és közös értékek elfogadásával kapcsolatban tett kötelezettségvállalások révén növelni fogja a legnagyobb kereskedelmi blokkhoz való piaci hozzáférését, az EU pedig gördülékenyebb kereskedelmi forgalmat és jobb beruházási feltételeket fog élvezni Grúziában.
By establishing a Deep and Comprehensive Free Trade Area (DCFTA)(1) with the EU, Georgia should increase its market access to the largest economic block, by taking binding commitments on the adoption of laws, standards and common values, whereas the EU will benefit from smoother commercial flows and better investment conditions in Georgia.

Végleges kiegyenlítő vámot kell kivetni a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre, függetlenül azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc., originating in the Republic of Korea.

Végleges kiegyenlítő vámot kell kivetni a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre, függetlenül azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb
A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc., originating in the Republic of Korea

A felülvizsgálat által érintett termék (a továbbiakban: az érintett termék) a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramköröket jelenti, függetlenül azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

Az #/#/EK rendelettel a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre – azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb. függetlenül – kivetett végleges kiegyenlítő vám #. december #-ével hatályát veszti, az eljárás pedig befejeződik
The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea imposed by Regulation (EC) No #/# is repealed as of # December # and the proceeding is terminated

Az 1480/2003/EK rendelettel a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre – azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb. függetlenül – kivetett végleges kiegyenlítő vám 2007. december 31-ével hatályát veszti, az eljárás pedig befejeződik.
The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea imposed by Regulation (EC) No 1480/2003 is repealed as of 31st December 2007 and the proceeding is terminated.

Az 1480/2003/EK rendelettel a Koreai Köztársaságból származó egyes, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiák révén előállított elektronikus integrált áramkörökre – azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb. függetlenül – kivetett végleges kiegyenlítő vám 2007. december 31-ével hatályát veszti, az eljárás pedig befejeződik.
The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea imposed by Regulation (EC) No 1480/2003 is repealed as of 31 December 2007 and the proceeding is terminated.

(7) A jelen vizsgálat szempontjából érintettnek számító termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy chip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
(7) The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (‘DRAMs’), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (‘MOS’) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

A jelen vizsgálat szempontjából érintettnek számító termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy csip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

A jelen vizsgálat szempontjából érintettnek számító termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy csip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb
The product concerned by this investigation is the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea

Az érintett termék és a hasonló termék megegyezik azzal, amelyre az eredeti vizsgálat is kiterjedt, vagyis a Koreai Köztársaságból származó, bármilyen típusú, sűrűségű vagy változatú, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert egyes elektronikus mikroáramkörök, összeszerelve is, feldolgozott szilíciumszeletben vagy -csipekben, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változataival (köztük komplementer MOS [CMOS] típusú technológiával) előállítva, bármilyen (akár jövőbeni) sűrűséggel, függetlenül hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
The product under consideration and the like product are the same as that covered in the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea.

Következésképpen vissza kell fizetni vagy el kell engedni azokat a kiegyenlítő vámokat, amelyeket az 1480/2003/EK rendelet értelmében a Koreai Köztársaságból származó és 2007. december 31-től szabad forgalomba bocsátott DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert a fémoxid félvezető (MOS) folyamattechnológia változataival, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiákkal előállított elektronikus integrált áramkörökre (függetlenül azok típusától, sűrűségétől, változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.) befizettek vagy könyvelésbe vettek.
Consequently, the definitive countervailing duties paid or entered in the accounts pursuant to Council Regulation (EC) No 1480/2003 on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea and released for free circulation as from 31 December 2007 should be repaid or remitted.

Az érintett termék és a hasonló termék megegyezik azzal, amelyre az eredeti vizsgálat is kiterjedt, vagyis a Koreai Köztársaságból származó, bármilyen típusú, sűrűségű vagy változatú, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert egyes elektronikus mikroáramkörök, összeszerelve is, feldolgozott szilíciumszeletben vagy-csipekben, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változataival (köztük komplementer MOS [CMOS] típusú technológiával) előállítva, bármilyen (akár jövőbeni) sűrűséggel, függetlenül hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb
The product under consideration and the like product are the same as that covered in the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc. originating in the Republic of Korea

(10) Az érintett termék és a hasonló termék megegyezik azzal, amelyre az eredeti vizsgálat is kiterjedt, vagyis a Koreai Köztársaságból származó, bármilyen típusú, sűrűségű vagy változatú, dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) néven ismert egyes elektronikus mikroáramkörök, összeszerelve is, feldolgozott szilíciumszeletben vagy -csipekben, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változataival (köztük komplementer MOS (CMOS) típusú technológiával) előállítva, bármilyen (akár jövőbeni) sűrűséggel, függetlenül hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
(10) The product under consideration and the like product are the same as that covered in the original investigation, i.e., certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories ('DRAMs') of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors ('MOS') process technology, including complementary MOS types ('CMOS'), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

(9) A jelen vizsgálat szempontjából figyelembe vettnek számító termék és a hasonló termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fémoxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy chip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
(9) The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories ( ' DRAMs ' ), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors ('MOS') process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

A jelen vizsgálat szempontjából figyelembe vettnek számító termék és a hasonló termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fém-oxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy chip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb.
The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

A jelen vizsgálat szempontjából figyelembe vettnek számító termék és a hasonló termék megegyezik az eredeti vizsgálat tárgyával, azaz a Koreai Köztársaságból származó egyes, DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) néven ismert, a fém-oxid félvezető (MOS) gyártási technológia változatai, köztük komplementer MOS (CMOS) technológiatípusok révén előállított elektronikus mikroáramkörökkel, összeszerelve, feldolgozott szilíciumszelet vagy chip formájában is, függetlenül azok típusától, sűrűségétől (beleértve a jövőbeli sűrűségeket is), változatától, hozzáférési sebességétől, konfigurációjától, tokozásától vagy adattovábbító blokkjától stb
The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea