上部支持体からの多孔性半導体層の剥離が防止された光電変換素子であって、光入射側に位置する透光性の上部支持体(101)と、その反対側に位置する下部支持体(110)とに挟まれて、該上部支持体の側から順に、多孔性半導体層(102,103)を有する光電変換層(112)と、集電電極(104)と、絶縁層(105)と、対極(106)とが配置され、更にキャリア輸送材料が含まれ、少なくとも該上部支持体(101)と該多孔性半導体層(103)との間に隣接して、膜厚0.5~10nmの密着部(111)が配置されている、光電変換素子である。
En outre, l'élément de conversion photoélectrique présente, disposée en son sein, une section d'adhérence (111), qui contient un matériau de transport de porteuses et qui est adjacente au moins au corps de support supérieur (101) et à la couche semi-conductrice poreuse (103), du fait qu'il est disposé entre eux, ladite section d'adhérence ayant une épaisseur de film comprise entre 0,5 nm et 10 nm.patents-wipo patents-wipo