IGBT oor Slowaaks
IGBT
Vertalings in die woordeboek Pools - Slowaaks
Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
Geskatte vertalings
Vertoon algoritmies gegenereerde vertalings
voorbeelde
Advanced filtering
Voorbeelde moet herlaai word.
Elektryczne elementy konstrukcyjne, Diody,Tranzystory IGBT, Prostowniki prądu,Tranzystory MOSFET, TRIAC, Tyrystory i Tranzystory
Nariadenie Rady (ES) č. #/# z #. septembra #, ktorým sa mení a dopĺňa nariadenie (EHS) č. #/# o ekologickej výrobe poľnohospodárskych výrobkov a príslušných označeniach poľnohospodárskych výrobkov a potravín, sa má začleniť do dohodytmClass tmClass
ex 8504 40 90 | 30 | Przekształtnik zawierający wyłącznik zasilania z tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką (IGBT), umieszczony w obudowie, stosowany do produkcji kuchenek mikrofalowych objętych podpozycją 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |
nedodržaním podmienok, za ktorých bolo povolené, aby tovar opustil colné územie Spoločenstva s úplným alebo čiastočným oslobodením od vývozného claEurLex-2 EurLex-2
ex 8504 40 90 | 30 | Przekształtnik zawierający wyłącznik zasilania z tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką (IGBT), zamieszczony w obudowie, do stosowania do produkcji kuchenek mikrofalowych objętych podpozycją 8516 50 00 (1) | 0 % | 01.01.2006- 31.12.2008 |
nástroje na zabezpečenie kvalityEurLex-2 EurLex-2
— nie więcej niż trzy wyjścia elektryczne, z których każde posiada dwa wyłączniki zasilania (MOSFET (tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik) lub IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką)), i napędy wewnętrzne, oraz
Vtáčia chrípka sa vyskytuje hlavne u vtákov, ale za určitých podmienok sa môže infekcia vyskytnúť aj u ľudí, i keď riziko je vo všeobecnosti veľmi nízkeeurlex-diff-2017 eurlex-diff-2017
Przekształtnik zawierający wyłącznik zasilania z tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką (IGBT), umieszczony w obudowie, do stosowania do produkcji kuchenek mikrofalowych objętych podpozycją 8516 50 00 (1)
Študovať ju?EurLex-2 EurLex-2
Przekształtnik zawierający wyłącznik zasilania z tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką (IGBT), umieszczony w obudowie, stosowany do produkcji kuchenek mikrofalowych objętych podpozycją 8516 50 00 (1)
Podľa prílohy # k zmluve o pristúpení, odchylne od článku # ods. # písm. a) smernice #/#/EHS (ďalej len šiesta smernica o DPH) sa Lotyšsku povolilo uplatňovať výnimku v prípade dane z pridanej hodnoty na dodávku vykurovacej energie domácnostiam do #. decembraEurLex-2 EurLex-2
składający się z chipa tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT) i chipa diody na jednej lub więcej ramek wyprowadzeniowych,
U pacientov, ktorí dostávali len INVANZ, boli najčastejšie hlásené laboratórne abnormality a ich incidencia počas liečby a # dní po ukončení liečby: zvýšenie ALT (#, # %), AST (#, # %), alkalickej fosfatázy (#, # %) a počtu trombocytov (#, # %EurLex-2 EurLex-2
Przekładka o kształcie prostopadłościanu wytworzona z kompozytu karbidu glinowo-krzemowego (AlSiC) stosowana jako obudowa w modułach IGBT
rokov za predpokladu pridelenia rozpočtových prostriedkovEurlex2019 Eurlex2019
Przekształtnik zawierający wyłącznik zasilania z tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką (IGBT), umieszczony w obudowie, do stosowania w produkcji kuchenek mikrofalowych objętych podpozycją 8516 50 00 (1)
Si prekrásnaEurLex-2 EurLex-2
Po krachu firmy ČKD, która w latach 90. ubiegłego stulecia produkowała wyposażenie elektryczne dla modernizowanych tramwajów, na czeskim rynku pojawiła się firma Alstom (dziś Cegelec),która wyprodukowała nowe wyposażenie elektryczne TV Progress oparte na tranzystorach IGBT.
Dôsledné rešpektovanie lehoty na predkladanie žiadostí, ktorá bola stanovená na #. februára článkom # nariadenia (ES) č. #/#, sa teda v roku # javí nezlučiteľné s narušeniami, ku ktorým v týchto dvoch departementoch došloWikiMatrix WikiMatrix
nie więcej niż trzy wyjścia elektryczne, z których każde posiada dwa wyłączniki zasilania (MOSFET (tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik) lub IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką)), i napędy wewnętrzne, oraz
Ako to, že to všetko viete?Eurlex2019 Eurlex2019
— tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT),
Žaloba sa zamietaeurlex-diff-2018-06-20 eurlex-diff-2018-06-20
Płyta główna z miedzi w rodzaju stosowanych jako radiator [w produkcji] modułów IGBT zawierających więcej komponentów niż chipy i diody IGBT, o napięciu 650 V lub większym, ale nie większym niż 1 200 V
Ak uvedený výbor prístupní toto stanovisko, lehota, stanovená v článku # ods. # prvý pododsek, sa pozastaví až do poskytnutia požadovaných doplňujúcich informáciíEurLex-2 EurLex-2
Płyta główna z miedzi w rodzaju stosowanych jako radiator [w produkcji] modułów IGBT zawierających więcej komponentów niż chipy i diody IGBT, o napięciu 650 V lub większym, ale nie większym niż 1 200 V (4)
Neverím stroju, ani tomuto ani tomutoEuroParl2021 EuroParl2021
tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT),
žiada Radu o opätovnú konzultáciu, ak má v úmysle podstatne zmeniť návrh KomisieEurlex2019 Eurlex2019
Przekształtnik zawierający wyłącznik zasilania z tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką (IGBT), umieszczony w obudowie, do stosowania do produkcji kuchenek mikrofalowych objętych podpozycją 8516 50 00 ()
Asi päť dníjazdy z tadeto, leží riečne mesto DaretEurLex-2 EurLex-2
118 sinne gevind in 5 ms. Hulle kom uit baie bronne en word nie nagegaan nie.