Τρανζίστορ oor Frans

Τρανζίστορ

Vertalings in die woordeboek Grieks - Frans

transistor

naamwoord

διάταξη ημιαγωγών στερεάς κατάστασης

composant électronique

Αλλά ακόμα κι ένα σημερινό τρανζίστορ δουλεύει σε γίγαχερτζ.
Mais, même un transistor actuel fonctionne au gigahertz.

τρανζίστορ

Vertalings in die woordeboek Grieks - Frans

transistor

naamwoord manlike

Αλλά ακόμα κι ένα σημερινό τρανζίστορ δουλεύει σε γίγαχερτζ.
Mais, même un transistor actuel fonctionne au gigahertz.

voorbeelde

Στοιχεία με ημιαγωγό [εκτός από τα φωτοευαίσθητα στοιχεία με ημιαγωγό, τα φωτοβολταϊκά στοιχεία, τα θυρίστορ, τους διακόπτες δίπλευρης διόδου (διάκ) και τους διακόπτες δίπλευρης τριόδου (τριάκ), τα τρανζίστορ, τις φωτοδιόδους και τις διόδους φωτοεκπομπής]
Autres dispositifs à semi-conducteur (à l’exclusion des dispositifs photosensibles à semi-conducteur; des cellules photovoltaïques, des thyristors, diacs et triacs semi-conducteurs, des transistors, des diodes et des diodes électroluminescentes)

Πηγές επαγωγικά συζευγμένου πλάσματος και ατμοσφαιρικού πλάσματος για χρήση σε σχέση με την κατασκευή ηλιακών δομοστοιχείων, ηλιακών στοιχείων, λεπτοϋμενώδων κρυσταλλολυχνιών (τρανζίστορ) και ολοκληρωμένων κυκλωμάτων αποτελούμενων από ηλεκτρονικά κυκλώματα παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων, κεραίες ραδιοσυχνοτήτων και τροφοδοτικά ισχύος
Sources de plasma inductif et atmosphérique destinées à être utilisées pour la fabrication de modules solaires, de piles solaires, de transistors à couches minces et de circuits intégrés composés de circuits électroniques générant des radiofréquences, d'antennes de radiofréquence et d'alimentations électriques

Εξαρτήματα ισχύος, Δίοδοι,Διπολικές κρυσταλλολυχνίες με μονωμένη πύλη (IGBT), Ανορθωτές,Κρυσταλλολυχνία με επίδραση πεδίου, τεχνολογίας MOS (MOSFET), θυρίστορες αμφίπλευρου τριόδου (TRIACS), Θυρίστορ και Κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορ)
Composants électriques, Diodes,IGBT, Redresseurs,MOSFET, TRIACS, Thyristors et Transistors

Ολοκληρωμένα κυκλώματα, πλινθία, κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορ), ημιαγωγοί και στοιχεία ημιαγωγών
Circuits intégrés (CI), puces, transistors, semi-conducteurs et éléments à semi-conducteurs

high electron mobility transistors (τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα)
transistors à haute mobilité d’électrons

ex 8504 40 90 | 30 | Στατικοί μεταγωγείς που περιλαμβάνουν κύκλωμα διακόπτη της ισχύος με μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ (IGBTs), εντός θήκης, προς χρήση στην παρασκευή φούρνων με μικροκύματα της διάκρισης 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |
ex 8504 40 90 | 30 | Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |

Σημείωση 1: Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
Note 1: Le statut des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.e, est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée.

ex 8504 40 90 | 30 | Στατικοί μεταγωγείς που περιλαμβάνουν κύκλωμα διακόπτη της ισχύος με μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ (IGBTs), εντός θήκης, προς χρήση στην παρασκευή φούρνων με μικροκύματα της διάκρισης 8516 50 00 (1) | 0 % | 01.01.2006- 31.12.2008 |
ex 8504 40 90 | 30 | Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00 (1) | 0 % | 1.1.2006- 31.12.2008 |

«Το γεγονός ότι έχουμε ήδη κατασκευάσει αυτό το ένα τρανζίστορ, με μόνο ένα στρώμα από υλικό σαν το πυρίτιο, δεν έχει ξαναγίνει στο παρελθόν. Αυτό είναι ένα πραγματικό επιστημονικό επίτευγμα.
«Un transistor composé d'une simple couche de matériau comme le silicium est un défi qui n'avait jamais été réalisé auparavant, il s'agit donc d'une découverte capitale.

Στατικοί μεταγωγείς που περιλαμβάνουν κύκλωμα διακόπτη της ισχύος με μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ (IGBTs), εντός θήκης, προς χρήση στην παρασκευή φούρνων με μικροκύματα της διάκρισης 8516 50 00 (1)
Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00 (1)

Κατασκευή και λειτουργία των τρανζίστορ ΡΝΡ και ΝΡΝ.
Construction et fonctionnement des transistors PNP et NPN;

αποτελούμενα αποκλειστικά από ένα ή περισσότερα γυάλινα ή πλαστικά στοιχεία κρυσταλλοτριόδων (τρανζίστορ) λεπτού υμενίου (TFT),
consistant exclusivement en une ou plusieurs cellules de verre ou de plastique TFT,

Ενισχυτές κιθάρας, ηλεκτρικό μπάσο και πληκτρολόγια, ενεργητικά και παθητικά ηχεία, μικρόφωνα, μίκτες ήχου, τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (ψηφιακές γεννήτριες ήχου), συσκευές αναπαραγωγής σύμπυκνων δίσκων (CD) και ψηφιακές γεννήτριες ήχων για DJ, καλώδια σύνδεσης
Amplificateurs de guitares, basse électrique et claviers, caisses acoustiques actives et passives, microphones, tables de mixage, modules à effets (générateurs digitaux de sons), lecteurs de disques compacts et générateurs de sons pour DJ, câbles de connexion

για τις δραστηριότητες που αφορούν μικρού και μεσαίου μεγέθους TFT-LCD της Epson: ανάπτυξη, παραγωγή, μάρκετινγκ και πώληση μικρού και μεσαίου μεγέθους οθονών υγρών κρυστάλλων με τρανζίστορ λεπτού στρώματος.
branche d’activité «petits et moyens écrans TFT-LCD» d’Epson: développement, fabrication, commercialisation et vente d’écrans TFT (transistors en couche mince) à cristaux liquides.

Ενισχυτής υψηλών συχνοτήτων από νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) που αποτελείται από ένα ή περισσότερα διακριτά τρανζίστορ, μία ή περισσότερες διακριτές πλακέτες πυκνωτή, έστω και με ολοκληρωμένες παθητικές διατάξεις (IPD) επί μεταλλικής πλάκας εντός περιβλήματος
Amplificateur à haute fréquence à nitrure de gallium (GaN) constitué d’un ou de plusieurs circuits intégrés, d'une ou plusieurs puces de condensateurs et de composants facultatifs passifs intégrés («IPD») montés sur une flasque métallique intégrée dans un boîtier

Η εφεύρεση του τρανζίστορ το 1947, άνοιξε το δρόμο για πιο εξελιγμένους ψηφιακούς υπολογιστές.
L'invention du transistor en 1947 permit la création de circuit électronique de petite taille.

Μονάδες οργανικών διόδων εκπομπής φωτός (OLED), αποτελούμενες αποκλειστικά από ένα ή περισσότερα γυάλινα ή πλαστικά στοιχεία κρυσταλλοτριόδων (τρανζίστορ) λεπτού υμενίου (TFT),
Modules à diodes électroluminescentes organiques (OLED), consistant en une ou plusieurs cellules de verre ou de plastique TFT,

— αποτελούμενα αποκλειστικά από ένα ή περισσότερα γυάλινα ή πλαστικά στοιχεία κρυσταλλοτριόδων (τρανζίστορ) λεπτού υμενίου (TFT),
— consistant exclusivement en une ou plusieurs cellules de verre ou de plastique TFT,

Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η "τεχνολογία" για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
Note: L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les "technologies" pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.

high electron mobility transistors (τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα)
transistors à haute mobilité d'électrons

Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
transistors hyperfréquences discrets présentant l'une des caractéristiques suivantes:

Υπηρεσίες λιανικής και χονδρικής πώλησης επί γραμμής σε σχέση με συνδέσμους ρευματοληπτών, προσαρμογείς δικτύου ηλεκτρονικών υπολογιστών, διακόπτες, δρομολογητές και πλήμνες, διακόπτες ηλεκτρονικών υπολογιστών, ηλεκτρικούς διακόπτες, ηλεκτρικά περιβλήματα διακοπτών, ηλεκτρικούς διακόπτες, φορτιστές μπαταριών, ηλεκτρονικά εξαρτήματα ως πυκνωτές, σύνδεσμοι, φίλτρα, ταλαντωτές, ηλεκτρονόμοι, διακόπτες, μετασχηματιστές, αντιστάτες, ημιαγωγοί, ολοκληρωμένα κυκλώματα, ανορθωτές, κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορ), διακόπτες Ethernet, ηλεκτρικοί διακόπτες
Services de vente au détail et en gros en ligne de connecteurs de fiches, adaptateurs de réseaux informatiques, commutateurs, routeurs et concentrateurs, commutateurs informatiques, interrupteurs électriques, boîtiers de commutateurs électriques, commutateurs électriques, chargeurs de piles électriques, composants électroniques sous forme de condensateurs, connecteurs, filtres, oscillateurs, relais, commutateurs, transformateurs, résistances, semi-conducteurs, circuits intégrés, redresseurs, transistors, commutateurs Ethernet, interrupteurs d'alimentation

Σημείωση 1: Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
Note 1: Le statut des transistors visés aux alinéas 3A001.b.3.a. à 3A001.b.3.e. dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.3.a. à 3A001.b.3.e., est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée.

Ηλεκτρονικές κρυσταλλολυχνίες (τρανζίστορ)
Transistors électroniques