microplaquette oor Engels

microplaquette

naamwoord vroulike

Vertalings in die woordeboek Frans - Engels

microchip

naamwoord

Ces amorces peuvent se présenter en solution ou être immobilisées sur les sites de capture de la microplaquette.
The primers may be solution-based or immobilized on the capture sites of the microchip.

chip

naamwoord

La face de circuit active de la puce est fixée au plot de la microplaquette.
The active circuit side of the chip is attached to the die pad.

IC

adjective noun Phrase

integrated circuit chip · microcomputer chip · microelectronic chip

Soortgelyke frases

microplaquette semi-conductrice
semi-conductor chip

microplaquette commune
generic chip

microplaquette de sélection
dialler chip

microplaquette non spécialisée
generic chip

microplaquette enrichie
enhanced chip

microplaquette de démonstration
demonstrator chip

voorbeelde

Il est donc conclu que l'incorporation de microplaquettes DRAM ou de DRAM à l'état monté dans des DRAM sous formes multicombinatoires (standard) ...»
Therefore, it is concluded that the incorporation of DRAM chips or mounted DRAMs in (non-customised) multi-combinational forms of DRAMs ...’.

CONCEPTION DE STRUCTURES PHYSIQUES POUR MEMOIRES ORGANISEES PAR MOTS , LOGIQUE MIXTE ET RAM A HAUTE DENSITE SUR LA MEME MICROPLAQUETTE POUR LES RESEAUX ULTRA-RAPIDES DE STOCKAGE/TRAITEMENT , EN VUE DE LA REDUCTION SUR RESEAUX D'ORGANIGRAMMES .
TO DESIGN PHYSICAL STRUCTURES FOR WORD-WIDE MEMORIES , MIXED LOGIC AND HIGH DENSITY RAM ON THE SAME CHIP FOR ULTRA HIGH-SPEED STORAGE/PROCESSING NETWORKS SUITABLE FOR REDUCTION ON DATA FLOW NETWORKS .

Ce numéro devrait correspondre à une description des DRAM sous formes multicombinatoires tenant compte: 1) de leur forme, 2) de leur origine («République de Corée» ou «pays autres que la République de Corée»), 3) de la société coréenne («Samsung» ou «sociétés autres que Samsung») intervenant, le cas échéant, dans le processus de fabrication et 4) en cas de DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée et fabriqués par des sociétés autres que Samsung, de la part représentée par les microplaquettes DRAM et/ou les DRAM à l'état monté dans la valeur totale de ces DRAM sous formes multicombinatoires.
Such a number should correspond to the description of the multi-combinational form of DRAM which takes into consideration (1) its form, (2) its origin (‘Republic of Korea’ or ‘countries other than the Republic of Korea’), (3) the Korean company (‘Samsung’ or ‘all companies other than Samsung’), if applicable, involved in the manufacturing process and (4) in case of multi-combinational forms of DRAMs originating in countries other than the Republic of Korea incorporating DRAM chips and/or mounted DRAMs originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung, the value represented by the DRAM chips and/or mounted DRAMs out of the overall value of the multi-combinational form of DRAM.

La présente invention concerne un repère de centrage pour présentation de microplaquette à circuit intégré.
A fiducial for aligning an integrated circuit die (301).

Ensuite, le liquide présent sur la microplaquette est retiré ou expulsé par les courants de liquide, le liquide présent sur la microplaquette est par conséquent réduit à un niveau constant reproductible.
And, the fluid which is on the slide is drawn or pulled by the streams of liquid, thereby reducing the fluid on the slide to a reproducible, consistent level.

Cartouche de prelevement en forme de microplaquette pouvant etre automatisee
Automation-compatible slide format sample cartridge

Cette première microplaquette semi-conductrice est conçue pour communiquer par couplage capacitif, par l'intermédiaire d'un ou de plusieurs connecteurs de proximité couplés à la première microplaquette semi-conductrice.
The first semiconductor die is configured to communicate by capacitive coupling using one or more of a plurality of proximity connectors coupled to the first semiconductor die.

En fait, certains producteurs japonais ont exporté d'importantes quantités de microplaquettes traitées généralement sur des disques prédécoupés à destination de sociétés liées dans la Communauté en vue de les tester et de les assembler avant de mettre le produit fini sur le marché communautaire par l'intermédiaire du réseau de vente des sociétés liées.
In fact, certain Japanese producers exported large quantities of processed dice generally on pre-cut wafers to related companies in the Community for testing and assembly before entering the finished product into the commerce of the Community through the related companies' sales network.

Dans un aspect de l'invention, les microplaquettes sont produites par lots, un lot à la fois, et la division du lot en pastilles individuelles met en oeuvre une action de sciage ou de découpe non linéaire (p. ex. non rectangulaire ou curviligne), si bien que les boîtiers de circuits intégrés individualisés résultants ne présentent plus forcément une forme complètement rectangulaire.
One aspect of the invention is that the integrated circuit products are produced a batch at a time, and that singulation of the batch into individualized integrated circuit products uses a non-linear (e.g., non-rectangular or curvilinear) sawing or cutting action so that the resulting individualized integrated circuit packages no longer need to be completely rectangular.

-d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 19 20Amplificateur, sous forme de circuit intégré monolithique analogique, présenté sous forme de microplaquette dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 3×3 mm, destiné à la fabrication de produits de la sous-position 9021 40 00 (a)0
-other identification markings relating to devices complying with the abovementioned description0 ex 8542 19 20Amplifier, in the form of a monolithic integrated analogue circuit, the exterior dimensions of which do not exceed 3×3 mm, for use in the manufacture of products falling within subheading 9021 40 00 (a)0 ex 8542 19 20FM receiver/amplifier of bipolar technology, in the form of an unmounted analogue monolithic integrated circuit, the dimensions of which do not exceed 4×6 mm, for the manufacture of products of subheading 9021 40 00 (a)0

ex 8541 | Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes | Fabrication: - à partir de matières de toute position, à l’exclusion des matières de la même position que le produit, et - dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |
ex 8541 | Diodes, transistors and similar semi-conductor devices, except wafers not yet cut into chips | Manufacture: - from materials of any heading, except that of the product, and - in which the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |

La suspension comporte des fils porteurs de signal connectant électriquement le transducteur à la microplaquette du préamplificateur, ces fils présentant une longueur de 4 à 12 mm.
The suspension includes signal-carrying wires which electrically connect the transducer to the preamplifier chip which have a length in the range of 4mm to 12mm.

Aux fins du présent règlement, on entend par DRAM toutes les variantes, tous les types et toutes les densités de DRAM y compris les disques (wafers) de DRAM et les microplaquettes ou chips de DRAM ainsi que les combinaisons de DRAM telles que les « stack » DRAM et les modules de DRAM.
For the purpose of this Regulation, DRAMs comprise all variations, types and densities including DRAM wafers and DRAM-dice or DRAM-chips, and multi-combinational forms of DRAMs such as stack DRAMs and DRAM modules.

Il est institué un droit compensateur définitif sur les importations de certains types de microcircuits électroniques dits DRAM (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire) de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, assemblés ou ultérieurement transformés en modules ou autrement assemblés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semiconducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc.
A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame, etc.

Du fait de l'élimination du vide, l'air extérieur ne peut pas s'engouffrer par les portes du magasin (8), y bousculer les microplaquettes et, éventuellement, endommager des composants de l'appareil à dépression.
With vacuum eliminated, outside air will not rush in through the hopper doors to disrupt chips in the hopper (8) and potentially harm components of the vacuum apparatus.

►C2 DRAM sous formes multicombinatoires (standard) ◄ originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant 10 % ou plus, mais moins de 20 %, du ►C2 prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires (standard) ◄
►C2 (Non-customised) multi-combinational forms of DRAMs ◄ originating in countries other than the Republic of Korea, incorporating DRAM chips and/or mounted DRAMs originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung and representing 10 % or more but less than 20 % of the net free-at-Community-frontier ►C2 price of the (non-customised) multi-combinational form of DRAM ◄

– – – – – photorécepteurs à microplaquette et émetteurs infrarouge IR-60 sur la fréquence 30, 33, 36 kHz; circuits intégrés de synchronisation à grande échelle, avec stabilisation par quartz de la fréquence, sans commande
– – – – – photo receivers at one chip and IR transmitters in code IR-60 on the frequency 30, 33, 36 kHz; large-scale integration of synchronisation with a quartz crystal control without retraining

Au cas où des microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires ne seraient pas clairement marqués et si leurs fabricants n'étaient pas clairement identifiables au moyen de la déclaration demandée au paragraphe 4, ces microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté sont considérées, à défaut de preuve du contraire, comme originaires de la République de Corée et comme ayant été fabriquées par des sociétés soumises au droit compensateur.
In cases where some of the DRAM chips and/or mounted DRAMs incorporated in multi-combinational forms of DRAMs are not clearly marked and their manufacturers are not clearly identifiable from the statement required in paragraph 4, such DRAM chips and/or mounted DRAMs shall — unless the contrary is proved — be considered as originating in the Republic of Korea and as having been manufactured by companies subject to the countervailing duty.

1 | DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de pays autres que la République de Corée ou originaires de la République de Corée et fabriqués par Samsung | D010 | 0 % |
1 | Multi-combinational forms of DRAMs originating in countries other than the Republic of Korea, incorporating DRAM chips and/or mounted DRAMs originating in countries other than the Republic of Korea or originating in the Republic of Korea and manufactured by Samsung | D010 | 0% |

DRAM sous formes multicombinatoires originaires de pays autres que la République de Corée, contenant des microplaquettes DRAM et/ou des DRAM à l'état monté originaires de la République de Corée, fabriqués par des sociétés autres que Samsung et représentant moins de 10 % du prix net franco frontière communautaire des DRAM sous formes multicombinatoires
Multi-combinational forms of DRAMs originating in countries other than the Republic of Korea, incorporating DRAM chips and/or mounted DRAMs originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung and representing less than 10 % of the net free-at-Community-frontier price of the multi-combinational form of DRAM

Protection des topographies de circuits intégrés à l'étranger Une vingtaine de pays ont explicitement accordé des droits de propriété intellectuelle pour les microplaquettes à semi-conducteurs.
Protection for integrated circuit topographies abroad Some twenty countries have explicit intellectual property protection for semiconductor chips.

3 - « Circuit intégré monolithique » Les termes « circuit intégré monolithique » désignent une combinaison de plusieurs « éléments de circuit » passifs ou actifs ou des deux qui : a. sont fabriqués par des processus de diffusion, d’implantation ou de dépôt sur ou dans un élément semi-conducteur unique, c’est-à-dire une microplaquette; b. sont considérés comme associés de manière indivisible; et c. exécutent la ou les fonctions d’un circuit.
"Technology" "required" for the design of, the assembly of components into, and the operation, maintenance and repair of complete production installations for items controlled in the Munitions List, even if the components of such production installations are not controlled; 2. "Technology" "required" for the "development" and "production" of small arms even if used to produce reproductions of antique small arms; 3.

Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes
Diodes, transistors and similar semi-conductor devices, except wafers not yet cut into chips

microplaquettes et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires (standard)»
chips and/or mounted DRAMs incorporated in (non-customised) multi-combinational forms of DRAMs provided the (non-customised) multi-combinational form of DRAM ...’.

La microplaquette du mélangeur contient deux dispositifs mélangeurs en forme de té (120, 130) reliés par un canal qui tient lieu de réacteur (140).
The mixer chip contains two tee mixers (120, 130) connected by one channel which serves a reaction chamber (140).