L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend: un substrat; une première, deuxième,... nième (n étant un entier naturel de 2 ou plus) couches diélectriques empilées séquentiellement sur une surface du substrat; un kième métal broyé placé entre le kième (k étant un entier naturel satisfaisant à la condition 1 ≤ k
半導体装置は、基板と、前記基板の一面に順に積層された第1,2,...,n(nは2以上の自然数)誘電体層と、第k(kは1≦k<nの自然数)誘電体層と第k+1誘電体層との間に設けられ、第1の穴が形成され、第1直流電位を有する第kグランドメタルと、前記第1の穴の内部に設けられた第kグランドパッチと、第k+m(mは1≦m<n-kの自然数)誘電体層と、第k+m+1誘電体層との間に設けられ、少なくとも1つの第2の穴が形成され、第2直流電位を有する第k+mグランドメタルと、前記第2の穴の内部に設けられた第k+mグランドパッチと、前記第kグランドメタルと前記第k+mグランドパッチとを接続する第1ビアと、前記第k+mグランドメタルと前記第kグランドパッチとを接続する第2ビアと、を備えることを特徴とする。patents-wipo patents-wipo