Trou d'électron oor Japannees

Trou d'électron

Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees

正孔

voorbeelde

Fibre optique monomode avec trous d'electrons
空孔付き単一モード光ファイバ

Par augmentation ou réduction ou combinaison d'une augmentation et d'une réduction de la concentration des porteurs (électron, trou) de la couche d'enregistrement (11), l'aimantation est faite tourner ou inversée afin d'exécuter l'opération d'enregistrement.
磁性体からなる記録層(11)を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリであって、前記記録層(11)のキャリア(電子・正孔)濃度を増加または減少させる操作若しくはそれらを組み合わせた操作を行なうことによって、磁化を回転または反転させて記録動作を実行するようにした。

La couche intermédiaire susmentionnée est faite d'un matériau de type oxyde métallique qui change le niveau d'énergie d'électrons à proximité de l'interface entre la couche de semi-conducteur de type n de la première couche de conversion photoélectrique susmentionnée et la couche intermédiaire susmentionnée ou le niveau d'énergie de trou d'électrons à proximité de l'interface de la couche de semi-conducteur de type p de la deuxième couche de conversion photoélectrique susmentionnée et de la couche intermédiaire susmentionnée, de telle sorte que le niveau d'énergie d'électrons de la couche de semi-conducteur de type n de la première couche de conversion photoélectrique susmentionnée et le niveau d'énergie de trou d'électrons de la couche de semi-conducteur de type p de la deuxième couche de conversion photoélectrique susmentionnée sont proches.
本発明の光電変換装置は、n型半導体層とp型半導体層とを有する第1光電変換層と、n型半導体層とp型半導体層とを有するとともに前記第1光電変換層と光吸収波長特性が異なる第2光電変換層と、前記第1光電変換層のn型半導体層と前記第2光電変換層のp型半導体層との間に挟まれてトンネル伝導性を有するとともに、透光性の中間層と、が基板上に積層された光電変換装置である。 前記中間層が前記第1光電変換層のn型の半導体層の電子エネルギーレベルと前記第2光電変換層のp型の半導体層の正孔エネルギーレベルとが近づくように、前記第1光電変換層のn型の半導体層の前記中間層との界面近傍の電子エネルギーレベルまたは前記第2光電変換層のp型の半導体層の前記中間層との界面近傍の正孔エネルギーレベルを変化させる金属酸化物材料からなる。

Le dispositif à force photoélectromotrice comprend une couche d'absorption de lumière (2) qui absorbe la lumière et produit des électrons et des trous, une couche de migration d'électrons (3) adjacente à un côté de la couche d'absorption de lumière (2), une couche de migration de trous (4) adjacente à l'autre côté, une électrode négative (5) installée sur la couche de migration d'électrons (3), et une électrode positive (6) installée sur la couche de migration de trous (4).
光起電力素子は、光を吸収して電子および正孔を生成する光吸収層2と、光吸収層2の一方の面に隣接する電子移動層3と、光吸収層2の他方の面に隣接する正孔移動層4と、電子移動層3上に設けられた負電極5と、正孔移動層4上に設けられた正電極6とを備える。

Quand l'IGBT (50) est dans un état sous tension, des électrons et des trous traversent le premier transistor (TR1), mais un courant ne traverse pas le second transistor (TR2).
一方、IGBT(50)がオン状態からオフ状態に切り替わったとき、第1トランジスタ(TR1)を通して正孔が流れ、正孔引き抜き領域(14)および第2トランジスタ(TR2)を通して正孔が流れる。

Le composé est utilisé comme matériau de transport d'électrons, matériau de blocage de trou ou matériau hôte ou élément électroluminescent organique.
で示される有機硫黄化合物が開示される。 この化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送材料やホール阻止材料、ホスト材料として有用である。

Pour accroître le rendement d'un élément électroluminescent organique, il est nécessaire de réduire l'effet de recombinaison non radiative d'une paire électron-trou autre que l'excitation de plasmon polariton de surface, pour convertir la majorité de l'énergie de l'exciton en lumière visible, et pour améliorer considérablement le rendement électroluminescent d'éléments électroluminescents organiques.
有機発光素子の高効率化には、表面プラズモンポラリトンの励起を除く電子正孔対の非発光再結合の影響を減らし、励起子エネルギーの大半を可視光に変換し、有機発光素子の発光効率を飛躍的に向上することが必要である。 本発明の有機発光素子は、反射電極と、透明電極と、前記反射電極と前記透明電極との間に配置された発光層とを有する有機発光素子であって、前記発光層にはホスト、第一のドーパントが含まれ、前記第一のドーパントについて、遷移双極子モーメントの平均値の基板面に対する垂直方向成分、水平方向成分の一方が他方より大きくなっている構成を有する。

L'invention porte sur une cellule solaire tandem constituée dans le but de bloquer des trous ou de bloquer des électrons de telle sorte que des trous ne soient pas injectés à partir d'une sous-cellule avant ou que des électrons ne soient pas injectés à partir d'une sous-cellule arrière à l'intérieur d'une couche intermédiaire agencée entre des sous-cellules.
サブセルの間に配置される中間層へ、前方のサブセルからホールが、もしくは後方のサブセルから電子が注入されないように、ホールブロックもしくは電子ブロックを目的として構成されるタンデム型太陽電池として、一対の電極と、少なくとも二つ以上のサブセルと、二つの隣接するサブセルの間に配置される中間層を備え、前記中間層の少なくとも一つはホールブロック層または電子ブロック層を有するタンデム型太陽電池が提供される。

Les couches de séparation de charges (12, 14) reçoivent de la lumière et séparent des charges (électrons et trous), et la couche d'isolation/polarisation (13) isole et polarise l'une des électrodes et les couches de séparation de charges (12, 14).
【解決手段】第1電極11と第2電極15とからなる一対の電極と、一対の電極間に備えられる有機層16とを有し、光を受けて電流を発生させる有機光電変換素子10において、第1電極11と第2電極15とは仕事関数に差をつけ、有機層16は、光を受けて電荷(電子と正孔)を分離する電荷分離層12,14と、一方の電極と電荷分離層12,14とを絶縁して分極する絶縁分極層13とを隣接させる構造とした。

Procédé de formation de trou d'interconnexion traversant et procédé de fabrication de dispositif électronique
貫通ヴィアの形成方法および電子製品の製造方法

Elle concerne spécifiquement un élément de conversion photoélectrique organique qui comprend, entre une première électrode et une seconde électrode, au moins une couche génératrice de puissance qui contient un matériau semi-conducteur de type p et un matériau semi-conducteur de type n et une couche de transport de charges qui transporte principalement des trous ou des électrons.
本発明は、電荷輸送層の光学ロスを低減し短絡電流密度(Jsc)を向上させると共に、対極形成時の電荷輸送層ダメージを低減し、リーク抑制効果によってフィルファクター(FF)に優れた有機光電変換素子およびその製造方法を提供する。

La couche à faible indice de réfraction (15) a pour fonction de transporter ou d'injecter des électrons ou des trous positifs, et présente un indice de réfraction inférieur à celui de la couche électroluminescente.
本開示における有機EL素子(1)は、反射電極(11)と、反射電極(11)に対向して設けられた透明電極(13)と、反射電極(11)と透明電極(13)との間に設けられた発光層を含む有機層(12)と、反射電極(11)と発光層との間に設けられた低屈折率層(15)とを備え、低屈折率層(15)は、電子あるいは正孔を輸送又は注入する機能を有すると共に、発光層よりも屈折率が低く、反射電極(11)の表面と発光層の中心発光位置との間の距離は300nm以下である。

L’élément photoélectrique comprend une couche de transport d’électrons et une couche de transport de trous en sandwich entre une paire d’électrodes.
電子輸送層は、繰り返し酸化還元が可能な酸化還元部を有する有機化合物を備えて形成され、有機化合物は酸化還元部の還元状態を安定化させる電解質溶液を含んでゲル層として形成されている。

La surface de la partie enveloppe (4) est recouverte de deux sortes de tensioactifs, à savoir un tensioactif transporteur de trous (5) et un tensioactif transporteur d'électrons (6) qui sont présents simultanément.
超微粒子である量子ドット2がコア部3と該コア部3を保護するシェル部4とを有するコアーシェル構造からなり、該シェル部4の表面が正孔輸送性界面活性剤5と電子輸送性界面活性剤6の2種類の界面活性剤が併存する形態で被覆されている。

L'élément EL organique contient le dérivé de triptycéne dans au moins une couche organique qui est sélectionnée dans le groupe constitué par une couche phosphorescente électroluminescente, une couche transporteuse de trous, une couche de blocage d'électrons et une couche de blocage d'excitons.
また、上記有機EL素子は、燐光発光層、正孔輸送層、電子阻止層及び励起子阻止層からなる群れから選ばれる少なくとも一つの有機層中に、上記トリプチセン誘導体を含有する。

Le dispositif électronique est agencé sur la seconde surface principale du substrat de support de telle sorte que la saillie de l'élément de support est introduite dans le trou traversant, et le circuit du dispositif électronique est connecté électriquement avec la saillie.
支持基板と、この支持基板の一方の主面である第1主面から他方の主面である第2主面に向けて前記支持基板を貫通し、かつ前記第2主面から突出した突出部を有する貫通電極と、を有する支持部材と;回路が形成されたデバイス基板と、このデバイス基板の両主面間を貫通する貫通孔と、を有する電子デバイス装置と;を備えた電子デバイス実装構造であって、前記電子デバイス装置は、前記貫通孔に前記支持部材の突出部が挿入されるように前記支持基板の第2主面上に配置され、前記電子デバイス装置の回路が前記突出部と電気的に接続されている。

L'invention porte sur un élément à semi-conducteur à conduction inverse, dans lequel une région d'élément de transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) et une région d'élément de diode utilisent une région de corps ayant une concentration en impureté commune, de sorte que l'efficacité d'injection des trous positifs ou des électrons de la région d'élément de diode peut être ajustée.
IGBT素子領域とダイオード素子領域が共通の不純物濃度を有するボディ領域を利用する逆導通半導体素子において、ダイオード素子領域の正孔あるいは電子の注入効率を調整できる技術を提供する。

L'invention concerne un boîtier de composant électronique, dans lequel un état de conduction stable est garanti sur un trou de pénétration ménagé dans un élément d'étanchéité, l'intérieur du boîtier de composant électronique pouvant être suffisamment étanche.
電子部品パッケージにおいて、対向するように配置されて、電子部品素子2の電極31,32を気密封止する第1封止部材(電子部品パッケージ用封止部材)4及び第2封止部材6と、第1封止部材4の基材の第2封止部材6との対向面42に形成された内部電極55、第1封止部材4の基材の対向面42と対向する面43に形成された外部電極56と、第1封止部材4の基材を貫通する貫通孔49と、内部電極55と外部電極56とを電気的に接続する貫通孔49の内側面に形成された貫通電極57とを備える。

Dans l'élément photoélectrique, la couche de transport d'électrons (3) et une couche de transport de trous (4) sont agencées entre une paire d'électrodes (2, 5).
光電気素子は、一対の電極2,5間に電子輸送層3と正孔輸送層4が挟まれている。

Une cellule solaire tandem comprend une paire d'électrodes, au moins deux sous-cellules et des couches intermédiaires chacune agencée entre deux sous-cellules adjacentes, au moins une couche intermédiaire ayant une couche de blocage de trou ou une couche de blocage d'électrons.
特に、ホールブロック層もしくは電子ブロック層の膜厚を、該ブロック層を形成する直前のサブセルの表面凹凸の最大値以上の膜厚とすることにより、ホールブロックもしくは電子ブロックがより完璧となり、タンデム素子としての性能が十分に発揮される。

Une rainure (6) est formée sur une surface latérale (4) d'un corps principal de composant électronique (5) par formation d'un trou traversant qui divise un conducteur de trou traversant devant former une électrode de connexion (9).
端子電極(9)となるビアホール導体を分断する貫通孔が形成されることにより、溝(6)が電子部品本体(5)の側面(4)に形成されるが、この溝(6)内にある端子電極(9)の露出面(10)の、溝(6)の長さ方向に沿って延びる側縁部の少なくとも一部が、電子部品本体(5)の主要部を構成するセラミックのような絶縁性材料からなる被覆部(23)によって覆われるようにする。

Plus particulièrement, la présente invention a trait à un élément électroluminescent qui comprend une couche de transport de trous et une couche de transport d'électrons entre une électrode positive et une électrode négative et qui émet de la lumière au moyen d'une énergie électrique.
R1~R20は水素、重水素、アルキル基、シクロアルキル基、アミノ基、アリール基、複素環基、ヘテロアリール基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、ハロゲン、シアノ基、-P(=O)R24R25およびシリル基からなる群より選ばれる。 R24およびR25はそれぞれアリール基またはヘテロアリール基である。

La présente invention concerne une carte de circuit imprimé (1) avec composant électronique intégré, dans laquelle un composant électronique (3) est placé dans un trou traversant (21) prévu dans un substrat principal (2).
この電子部品内蔵配線板(1)には、コア基板(2)に設けられた通孔(21)に電子部品(3)が収容されている。

La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de jonction qui permet une amélioration du facteur d’amplification de courant par la réduction de la probabilité d’une recombinaison d’électrons et de trous dans une région voisine comprenant une couche de base de type p autour d’une région de contact de base de type p d’un BJT.
BJTのp型ベースコンタクト領域の周囲のp型ベース層等の近傍領域での電子と正孔の再結合確率を低減し、電流増幅率が向上する接合型半導体装置が開示される。

En outre, des électrons et trous excités sont spatialement séparés les uns des autres vers différentes couches par constitution des nanopiliers avec des super-réseaux Si/SiGe et maîtrise de la proportion de composition en Ge d'une couche SiGe (2), pour ainsi prolonger la durée de vie de porteurs et améliorer le taux de conversion photoélectrique au moyen d'un phénomène multi-exciton généré en raison d'effets de confinement quantique.
さらに、ナノピラーをSi/SiGe超格子により構成し、かつSiGe層(2)のGe組成比を制御することにより、励起した電子と正孔とを互いに異なる層に空間的に分離させて、キャリアの長寿命化を図るとともに、量子閉じ込め効果によるマルチエキシトン現象により、光電変換効率を向上させる。