trou de mémoire oor Japannees

trou de mémoire

naamwoord manlike

Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees

ど忘れ

Verbal; Noun

ド忘れ

Verbal; Noun

度忘れ

Noun; Verbal

胴忘れ · どわすれ · 度忘

voorbeelde

Avez- vous parfois des trous de mémoire ?
忘れっぽくなることがありますか。

Un conférencier aura peut-être des trous de mémoire dus au trac.
実際に聴衆を前にして話をすると,時には緊張のあまりぼう然となる場合もあります。

Les troubles de la personnalité et les trous de mémoire soumettent les membres de la famille à rude épreuve.
人格の変化と記憶力の低下は家族にとって対処しにくい事柄です。

Entre autres choses, ces sources de distraction peuvent entraîner “ des trous de mémoire ” ou “ une mémoire moins performante ”, ainsi que des erreurs potentiellement désastreuses.
注意力が散漫だと,「物忘れ」をしたり,「記憶があいまいに」なったり,取り返しのつかない間違いをしてしまったりしかねない。

Que Dieu ne se ‘ souvienne ’ plus des péchés ne signifie pas qu’il est sujet à des trous de mémoire et qu’il est tout bonnement incapable de se souvenir.
神が罪をもはや「思い出さない」というエレミヤの言葉は,記憶を失って罪を思い起こせない,という意味ではありません。

Gail Sheehy cite d’autres manifestations possibles: “sueurs nocturnes, insomnies, incontinence, brusques prises de poids au niveau de la taille, palpitations, pleurs inexplicables, accès de colère, migraines, démangeaisons, fourmillements [et] trous de mémoire.”
このほかにも女性は,「寝汗,不眠,失禁,ウエストが急に太くなる,どうき,理由もないのに泣く,かんしゃくを起こす,偏頭痛,かゆみ,皮膚がむずがゆくなる,物忘れをする」などの症状を経験すると,ゲイル・シーヒーは述べています。

▪ Un tiers des Britanniques dorment moins de cinq heures par nuit, ce qui les rend sujets à “ des problèmes de concentration, à des trous de mémoire [et] à des sautes d’humeur ”.
■ イギリス人の3分の1は夜の睡眠が5時間未満で,「集中力の欠如,記憶力の低下,気分の浮き沈み」といった傾向がある。

La zone de la première interconnexion exposée vers la partie d'ouverture inférieure d'un trou factice est plus grande que la zone de la première interconnexion exposée vers la partie d'ouverture inférieure d'un trou de mémoire de cellule.
ストライプ状の複数の第1配線(10)とストライプ状の複数の第2配線(20)の平面視における各々の交点において、層間絶縁層(80)中に、複数の第1配線の上面を開口するように形成された複数のメモリセルホール(101)と、複数の第1配線上に形成され、かつ複数の第1配線の上面まで達するように層間絶縁層内に形成された複数のダミーホール(111)と、メモリセルホールおよびダミーホールの内部に形成された第1電極(30)と抵抗変化層(40)との積層構造とを含む。

L'épaisseur du film de la première couche à changement de résistance (201) au fond du trou de cellule de mémoire (150) diminue continuellement vers les sections périphériques du trou de cellule de mémoire (150), sa valeur devenant extrêmement petite près des sections périphériques du trou de cellule de mémoire (150).
第1の電極(101)と、その上に形成されたメモリセルホール(150)と、メモリセルホール(150)の底部を覆い、かつ、第1の電極(101)の上面を覆うように形成された第1の抵抗変化層(201)と、第1の抵抗変化層(201)を覆うように形成された第2の抵抗変化層(202)と、メモリセルホール(150)の上に形成された第2の電極(102)とで構成され、第1の抵抗変化層(201)のメモリセルホール(150)の底での膜厚が、メモリセルホール(150)の周辺部に向かって連続的に減少し、メモリセルホール(150)の周辺部付近で極小値となる。

Voici ce que dit un spécialiste: “Un trou de mémoire, un document copié à un mauvais endroit, un ordre mal compris, un appel téléphonique mal enregistré — ce sont les petits détails, les vers dans le fruit de l’efficacité, qui réduisent à néant les meilleures intentions.” — Apprenez à être efficace (angl.).
ある専門家はこう述べています。「 思い違いをしていたり,資料が正確にファイルされていなかったり,十分に理解しないうちに命令を出したり,電話の内容を書き違えたりするのは小さな失敗だが,それは能率という名の織物を食う虫であり,どんなに良い意図もすべて無駄にしてしまう」―「自己能率学習」。

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif de stockage non volatil à résistance variable tel qu'une électrode métallique qui forme une électrode inférieure au fond d'un trou de cellule de mémoire puisse être formée d'une manière fiable sans avoir de conductivité électrique avec une électrode supérieure d'un élément à résistance variable qui est formée de manière à être incorporée dans le trou de cellule de mémoire.
メモリセルホール内に埋め込み形成される抵抗変化素子の上部電極と電気的に導通しないように、確実にメモリセルホールの底部に下部電極となる金属電極を形成することができる、抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 複数の下層銅配線(18)を形成する工程と、第3の層間絶縁層(19)を形成する工程と、第3の層間絶縁層(19)に、上部近傍の開口径が底部近傍の開口径よりも小さい複数のメモリセルホール(20)を形成する工程と、複数のメモリセルホール(20)の底部にスパッタリングにより金属電極層(22)を形成する工程と、複数のメモリセルホール(20)内に抵抗変化層(23)を埋め込み形成する工程と、複数のメモリセルホール(20)内に埋め込み形成された抵抗変化層(23)のそれぞれに接続される複数の上層銅配線(24)を形成する工程とを含む。

Le mécanisme de fonctionnement comprend un trou de guidage ménagé dans l'élément de plaque, et un élément de liaison qui est lié au second élément de mémoire inséré dans le trou de guidage.
操作機構は、板状部材に設けられたガイド孔と、ガイド孔に挿通された第2メモリ部材に連結されるリンク部材とを含む。

Dans une région (101A) située à proximité des trous de cellules mémoire (104), la couche principale (101a) est recouverte par la couche barrière métallique (101b) et la première électrode (102) dans une section transversale arbitraire s'étendant dans le sens de la largeur du premier câblage (101).
安定して抵抗変化し微細化に適した抵抗変化型の不揮発性記憶装置は、第1の層間絶縁層(103a)に形成された配線溝の底面と側面とを被覆するバリアメタル層(101b)と前記配線溝の内部を充填する主層(101a)とで構成される第1の配線(101)と、第1の配線(101)の上面を被覆する貴金属で構成された第1の電極(102)と、第2の層間絶縁層(103b)に形成された複数のメモリセルホール(104)と、メモリセルホール(104)内に形成され第1の電極(102)に接続される抵抗変化層(105)と、抵抗変化層(105)及びメモリセルホール(104)を被覆する第2の配線(106)とを備え、メモリセルホール(104)近傍の領域(101A)では第1の配線(101)の幅方向の任意断面において主層(101a)がバリアメタル層(101b)及び第1の電極(102)で覆われている。

Dans la région d'alimentation d'une cellule mémoire (MC) dans laquelle l'électrode de grille de mémoire (MG) d'une mémoire nMIS (Qnm) d'une forme de paroi latérale est formée en auto-alignement à travers un film isolant dans la face latérale de l'électrode de grille sélectionnée (CG) d'un nMIS de sélection (Qnc), une connexion (PM) pour alimenter une tension vers l'électrode de grille de mémoire (MG) est enfouie dans un trou de contact (CM) formé dans un film isolant inter-couche (9) formé sur l'électrode de grille de mémoire (MG), et est électriquement connecté à l'électrode de grille de mémoire (MG).
選択用nMIS(Qnc)の選択ゲート電極(CG)の側面に絶縁膜を介して、サイドウォール形状のメモリ用nMIS(Qnm)のメモリゲート電極(MG)が自己整合により設けられたメモリセル(MC)の給電領域において、メモリゲート電極(MG)に電圧を供給するプラグ(PM)が、メモリゲート電極(MG)上に形成された層間絶縁膜(9)に形成されたコンタクトホール(CM)の内部に埋め込まれて、メモリゲート電極(MG)と電気的に接続している。

Selon l'invention, dans une région d'alimentation en électricité d'une cellule mémoire (MC) où une électrode de grille de mémoire en forme de paroi latérale (MG) d'un nMIS mémoire (Qnm) est formée par auto-alignement sur une surface latérale d'une électrode de grille de sélection (CG) d'un nMIS de sélection (Qnc) avec un film isolant interposé entre eux, une fiche (PM) permettant d'appliquer une tension à l'électrode de grille de mémoire (MG) est incorporée dans un trou de contact (CM) qui est formé dans un film isolant inter-couche (9) formé sur l'électrode de grille de mémoire (MG), et connectée électriquement à l'électrode de grille de mémoire (MG).
選択用nMIS(Qnc)の選択ゲート電極(CG)の側面に絶縁膜を介して、サイドウォール形状のメモリ用nMIS(Qnm)のメモリゲート電極(MG)が自己整合により設けられたメモリセル(MC)の給電領域において、メモリゲート電極(MG)に電圧を供給するプラグ(PM)が、メモリゲート電極(MG)上に形成された層間絶縁膜(9)に形成されたコンタクトホール(CM)の内部に埋め込まれて、メモリゲート電極(MG)と電気的に接続している。

Une protubérance de positionnement (37) est formée sur la mémoire morte (1), et, dans la partie de support (33) est formé un trou de réception (39) dans lequel la protubérance de positionnement (37) peut s'adapter selon un mode de conformation.
また、ROM(1)には位置決め用突部(37)が形成され、保持部(33)には位置決め用突部(37)が適合して嵌り合う受け孔(39)が形成されている。

L'invention concerne un dispositif (1) d'alimentation en huile lubrifiante pour moteur, dans lequel, en fonction de l'équilibre entre une force de sollicitation d'un ressort (51) à mémoire de forme se modifiant en réponse à la température de l'huile de lubrification et une pression de l'huile lubrifiante pénétrant dans une chambre de piston (31), un trou de connexion est ouvert et fermé par un élément de vanne cylindrique (53).
本発明に係るエンジン潤滑油供給装置(1)は、潤滑油の油温に応じて変化する形状記憶スプリング(51)の付勢力とピストン室(31)に流入する潤滑油の油圧力とのバランスによりボール弁体(53)による連結孔(45)の開閉作動を行わせて連結孔(45)から収容空間(44)内に流入する潤滑油を第2ドレン油路(46)からドレンさせることにより、オリフィス(38)を通過する潤滑油の流れに応じて発生する上流室(32)と下流室(33)との圧力差とバルブスプリング(39)の付勢力とのバランスに基づいてピストン(35)を摺動させて第1ドレン油路(34)の開度の調節を行うように構成される。

L'invention porte sur un dispositif de mémoire non volatile caractérisé par le fait qu'il comprend un substrat (1), un premier câblage (3), des premiers remplissages (5) qui sont formés incorporés dans des premiers trous traversants (4), un second câblage (11) qui est perpendiculaire au premier câblage (3) et comprend une multiplicité de couches stratifiées dans l'ordre d'une couche à changement de résistance (6) d'un premier élément à changement de résistance, d'une couche conductrice (7) et d'une couche à changement de résistance (8) d'un second élément à changement de résistance, des seconds remplissages (14) qui sont formés incorporés dans des seconds trous traversants (13), et un troisième câblage (15), la couche conductrice (7) du second câblage (11) servant d'électrode pour le premier élément à changement de résistance (9) et servant d'électrode pour le second élément à changement de résistance (10).
本発明の不揮発性記憶装置は、基板(1)と、第1の配線(3)と、第1のスルーホール(4)に埋め込み形成された第1の充填部(5)と、第1の配線(3)と直交しかつ第1の抵抗変化素子の抵抗変化層(6)、導電層(7)、第2の抵抗変化素子の抵抗変化層(8)をこの順に積層された複数層からなる第2の配線(11)と、第2のスルーホール(13)に埋め込み形成された第2の充填部(14)と、第3の配線(15)とを備え、第2の配線(11)の導電層(7)は第1の抵抗変化素子(9)の電極の役割と第2の抵抗変化素子(10)の電極の役割とを果たすことを特徴とするものである。