En conséquence, les droits compensateurs définitifs versés ou comptabilisés conformément au règlement (CE) no #/# sur les importations de certains circuits électroniques intégrés dits DRAM (dynamic random access memories- mémoires dynamiques à accès aléatoire) fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semiconducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée et mis en libre pratique à partir du # décembre #, doivent être remboursés ou remis
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