transistor bipolaire à grille isolée oor Portugees

transistor bipolaire à grille isolée

Vertalings in die woordeboek Frans - Portugees

IGBT

voorbeelde

— les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT);
— Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)

transistor bipolaire à grille isolée
Insulated Gate Bipolar Transistor (Transístores Bipolares de Porta Isolada)

les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT);
Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)

SAIC Infineon Modules produira et vendra des modules de puissance à transistor bipolaire à grille isolée (semi-conducteurs de puissance) sur châssis pour véhicules hybrides et entièrement électriques en Chine.
SAIC Infineon Modules dedicar-se-á à produção e venda de módulos de potência para transístores bipolares de porta isolada IGBT montados em chassis automóveis (semicondutores de potência) destinados a veículos híbridos e totalmente elétricos na China.

— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes et
— não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia (ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)), e drives internas, e

dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d'unités internes et
não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia (ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)), e drives internas, e

— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d'unités internes et
— não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia (ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)), e drives internas, e

dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d'unités internes et
não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia [ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)], e drives internas, e

dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes, et
não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia [ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)], e drives internas, e

— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d'unités internes et
— não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia [ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)], e drives internas, e