transistor oor Portugees

transistor

naamwoordmanlike
fr
Appareil qui peut capturer le signal envoyé par ondes radios et rendre le signal modulé sous forme de son.

Vertalings in die woordeboek Frans - Portugees

transístor

naamwoordmanlike
L'invention concerne également un procédé de fabrication de ces transistors électrochromiques.
Também é divulgado um método de fabricação dos transístores electrocrómicos.
Open Multilingual Wordnet

transistor

naamwoord
Comme ça je peux mettre mon bandana de Springsteen, écouter ma radio transistor.
Assim, posso usar meu lenço do Springsteen, ouvindo meu rádio transistor.
Open Multilingual Wordnet

Transístor

naamwoord
fr
composant électronique
pt
duvidas
transistors hyperfréquences discrets présentant l'une des caractéristiques suivantes:
Transístores de micro-ondas discretos com qualquer das seguintes características:
Open Multilingual Wordnet

En 3 vertalings meer. Besonderhede is ter wille van die beknoptheid verborge

Transistores · Transistor · rádio

Geskatte vertalings

Vertoon algoritmies gegenereerde vertalings

Soortgelyke frases

transistor à enzyme
biodetector · biossensor
transistor bipolaire à grille isolée
IGBT
transistor bipolaire
transistor de junção bipolar
Thin-film transistor
Thin-film transistor
Transistor unijonction
transistor de unijunção
programmable unijunction transistor
transistor de unijunção programável
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET
Radio à transistors
rádio transistorizado
transistor à effet de champ
Transistor de Efeito de Campo · Transistor de efeito de campo · Transístor de Efeito de Campo · transistor de efeito de campo

voorbeelde

Advanced filtering
— que la valeur des transistors non originaires utilisés n'excède pas 3 % de la valeur du produit fini (13)
— e que o valor dos transístores não originários utilizados não exceda 3 % do valor do produto acabado (13)EurLex-2 EurLex-2
— que la valeur des transistors non originaires utilisés n’excède pas 3 % de la valeur du produit fini (11)
Operação de complemento de fabrico, transformação ou montagem nas "quais são utilizados produtos, partes e peças separadas cujo valor não exceda 40 % do valor do produto acabado e sob condição de que:EurLex-2 EurLex-2
Sources de plasma inductif et atmosphérique destinées à être utilisées pour la fabrication de modules solaires, de piles solaires, de transistors à couches minces et de circuits intégrés composés de circuits électroniques générant des radiofréquences, d'antennes de radiofréquence et d'alimentations électriques
Fontes de plasma de acoplamento indutivo e atmosférico destinados ao fabrico de módulos solares, células solares, transístores de película fina e circuitos integrados, constituídas por circuitos electrónicos geradores de radiofrequência, antenas de radiofrequência e fontes de alimentaçãotmClass tmClass
La loi de Moore était juste la dernière partie de cela, sur un circuit intégré, où nous réduisions les transistors, mais nous avions des calculatrices électromécaniques, des ordinateurs basés sur relais qui ont décodé le code allemand d'Enigma, les tubes à vide dans les années 1950 ont prévu l'élection d'Eisenhower, les transistors discrets utilisés dans les premiers vols spatiaux et puis la loi de Moore.
A Lei de Moore foi só a última parte, em um circuito integrado, onde estávamos encolhendo circuitos, mas tínhamos calculadoras eletro-mecânicas, computadores a relés que resolveram o problema do código alemão da Enigma, válvulas previram nos anos 50 a eleição de Eisenhower, transistores discretos usados nas primeiras viagens ao espaço e depois a Lei de Moore.ted2019 ted2019
Composants électriques, Diodes,IGBT, Redresseurs,MOSFET, TRIACS, Thyristors et Transistors
Componentes de potência, Díodos,IGBT, Rectificadores,MOSFET (transístores de efeito de campo com capas isoladoras de óxido), TRIAC, Tiristores e TransístorestmClass tmClass
Circuits intégrés (CI), puces, transistors, semi-conducteurs et éléments à semi-conducteurs
Circuitos integrados, chips, transístores, semicondutores e elementos semicondutorestmClass tmClass
transistors à haute mobilité d’électrons
transístores de elevada mobilidade eletrónicaEurLex-2 EurLex-2
ex 8504 40 90 | 30 | Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |
ex 8504 40 90 | 30 | Conversor estático que inclui um circuito de comutação de potência com transistores bipolares de grelha isolada (IGBTs), contido num invólucro, destinado ao fabrico de fornos de microondas da subposição 8516 50 00(1) | 0 % | 31.12.2013 |EurLex-2 EurLex-2
Un transistor grésillait sur une digue de sable où pique-niquait une famille hawaïenne.
Um rádio transistorizado tocava em um quebra-mar, onde uma família havaiana fazia piquenique na areia.Literature Literature
ex 8504 40 90 | 30 | Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00 (1) | 0 % | 1.1.2006- 31.12.2008 |
ex 8504 40 90 | 30 | Conversor estático que inclui um circuito de comutação de potência com transistores bipolares de grelha isolada (IGBTs), contido num invólucro, destinado ao fabrico de fornos de microondas da subposição 8516 50 00 (1) | 0 % | 01.01.2006- 31.12.2008 |EurLex-2 EurLex-2
Enfin, plus pourrait causer des dommages permanents... à ses circuits et transistors, et elle ne vous servirait plus à rien.
Mais punição poderia causar... danos permanentes aos seus circuitos e transistores... e então não servirá para nada.OpenSubtitles2018.v3 OpenSubtitles2018.v3
— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes et
— não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia (ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), ou IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)), e drives internas, eeurlex-diff-2017 eurlex-diff-2017
— d'un transistor au maximum,
— não mais de um transístor,EurLex-2 EurLex-2
Convertisseur statique comprenant un circuit de commutation de puissance avec transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs), enserré dans un boîtier, destiné à la fabrication de fours à micro-ondes de la sous-position 8516 50 00 (1)
Conversor estático que inclui um circuito de comutação de potência com transistores bipolares de grelha isolada (IGBTs), contido num invólucro, destinado ao fabrico de fornos de microondas da subposição 8516 50 00 (1)EurLex-2 EurLex-2
Construction et fonctionnement des transistors PNP et NPN;
Construção e funcionamento de transístores PNP e NPNEurLex-2 EurLex-2
ex 8541 | Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes | Fabrication: - à partir de matières de toute position, à l’exclusion des matières de la même position que le produit, et - dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |
ex 8541 | Díodos, transístores e dispositivos semelhantes com semicondutores, com exclusão dos discos (wafers) ainda não cortados em microchapas | Fabrico: - a partir de matérias de qualquer posição, excepto a do produto, e - na qual o valor de todas as matérias utilizadas não exceda 40% do preço à saída da fábrica do produto | Fabrico no qual o valor de todas as matérias utilizadas não exceda 25 % do preço à saída da fábrica do produto |EurLex-2 EurLex-2
branche d’activité «petits et moyens écrans TFT-LCD» d’Epson: développement, fabrication, commercialisation et vente d’écrans TFT (transistors en couche mince) à cristaux liquides.
actividades no domínio dos pequenos e médios ecrãs TFT-LCD da Epson: desenvolvimento, produção e comercialização de pequenos e médios ecrãs de cristal líquido de transístores de película fina.EurLex-2 EurLex-2
8541 Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux; diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés:
8541 Díodos, transístores e dispositivos semelhantes semicondutores; dispositivos fotossensíveis semicondutores, incluindo as células fotovoltaicas, mesmo montadas em módulos ou em painéis; díodos emissores de luz; cristais piezoelétricos montados:EurLex-2 EurLex-2
Panneau de silicium amorphe pour appareils à rayons X (détecteur plat pour la radiologie/ détecteurs de rayons X) constitué d’une plaque de verre avec matrice en transistors à couche mince, recouverte d’une pellicule de silicium amorphe enduite d’une couche d’iodure de césium (scintillateur) et d’une couche de protection métallisante, avec surface active de 409,6 mm2 × 409,6 mm2 et une taille de pixels de 200 μm2 × 200 μm2
Painéis para aparelhos de raios X (sensores do painel plano de raios X/sensores de raios X) que consistem numa placa de vidro com uma matriz de transístores de película fina, coberta com uma película de silício amorfo, revestido com uma camada de cintilador de iodeto de césio e uma camada protectora metalizada, com uma superfície activa de 409,6 mm2 × 409,6 mm2 e um tamanho de pixel de 200 μm2 × 200 μm2EurLex-2 EurLex-2
Note: L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les "technologies" pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.
Nota: 3E003.b. não abrange a "tecnologia" para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.EurLex-2 EurLex-2
A) «Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur», les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique;
A. «Díodos, transístores e dispositivos semicondutores semelhantes», os dispositivos dessa natureza cujo funcionamento se baseie na variação da resistividade sob a influência de um campo eléctrico;EurLex-2 EurLex-2
8541 90 00 Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur, diodes émettrices de lumière 8542 Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques
8541 90 00 Díodos, transístores e dispositivos semelhantes com semicondutores, díodos emissores de luz 8542 Circuitos integrados e microconjuntos electrónicosEurLex-2 EurLex-2
Diodes; transistors; thyristors, diacs et triacs
Diodos; transístores; tirístores, diacs e triacseurlex-diff-2018-06-20 eurlex-diff-2018-06-20
N.B. 2:"Élément de circuit": élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc.
b. Expressão do conhecimento relacionado com uma classe de problemas, em linguagem quase natural; ouEurLex-2 EurLex-2
Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes
Díodos, transístores e dispositivos semelhantes com semicondutores, com exclusão dos discos (wafers) ainda não cortados em microchapasEurLex-2 EurLex-2
202 sinne gevind in 15 ms. Hulle kom uit baie bronne en word nie nagegaan nie.