本発明は、電流磁場やスピントランスファートルクを用いることなく低消費電力で磁化方向を制御する磁化制御方法、情報記憶方法、情報記憶素子及び磁気機能素子を提供することを目的とするものであって、磁化制御方法は、磁性層(10)の磁化方向を制御する磁化制御方法であって、1原子層以上で、かつ、2nm以下の膜厚の超薄膜強磁性層としての磁性層(10)と、磁性層(10)に直接接して積層されたポテンシャル障壁となる絶縁層(11)とからなる構造体を形成し、この構造体を挟む対向電極である電極(12)及び下地層(14)に電圧を印加する、又は、構造体に対して電界を印加することによって磁性層(10)の磁気異方性を変調し、当該変調によって磁性層(10)の磁化方向を制御する。
Les ancrages supplémentaires peuvent être utilisés sans l’aide d’outils, sont conformes aux prescriptions des paragraphes #.#.#.# et #.#.#.# et se trouvent dans une des zones déterminées en déplaçant la zone délimitée dans la figure # de l’annexe # du présent règlement de # mm vers le haut ou vers le bas dans le sens verticalpatents-wipo patents-wipo