실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 배치된 반사전극; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.
The light-emitting device according to one embodiment comprises: a light-emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer formed beneath the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer formed beneath the active layer; a reflective electrode arranged beneath the light-emitting structure, and having a first region arranged beneath the second conductive semiconductor layer and a second region extending from the first region and penetrating through the second conductive semiconductor layer and the active layer; and an electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer.patents-wipo patents-wipo