Pars plana oor Japannees

Pars plana

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Procédé de fabrication d'un détecteur planar par rayons x, et substrat de réseau de tft destiné à un détecteur planar par rayons x
あるいは 、 この こども たち も 河内 源氏 の 主導 権 争い に 巻き込 ま れ た もの で あ る か も しれ な patents-wipo patents-wipo
Procédé de planarisation de surface solide par faisceau ionique à agglomérat gazeux et appareil de planarisation de surface solide
" フランツ・リープキン" "ニューヨーク・ジェーン通り#番地"patents-wipo patents-wipo
L'invention concerne un procédé de planarisation par lequel un film de Ru qui est formé en tant que film de configuration de mémoire peut être planarisé.
何で俺に先に 話してくれなかったの?patents-wipo patents-wipo
Par conséquent, la pénétration d'humidité dans le film de planarisation en résine (17) est évitée, ce qui empêche la détérioration de l'affichage.
あんたは 彼の居場所を 知りたがった 愚か者よpatents-wipo patents-wipo
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat en SiC qui comprend au moins : une étape de formation de film d'oxyde pour former un film d'oxyde (10) de façon à recouvrir une surface (1a) d'un substrat en SiC (1); et une étape de planarisation pour retirer le film d'oxyde (10) par soumission du substrat en SiC (1) à un polissage à partir du côté film d'oxyde (10) par un procédé de polissage chimico-mécanique (CMP), et la planarisation de ladite surface (1a) du substrat en SiC (1) par polissage de ladite surface (1a).
新 勅撰 集 は 華やか な 新 古今 調 から 一転 し て 平明 枯淡 な 趣向 に 走 り 、 定家 晩年 の 好み を 伺 わ せ る 。patents-wipo patents-wipo
La couche de résine de planarisation (4) a une surface arrière pour laquelle la hauteur maximale des renfoncements et des saillies transférés par une surface plane au moyen d'un processus de mise sous pression n'est pas supérieure à 1 μm.
できるのか、できないのか?patents-wipo patents-wipo
Le dispositif à semi-conducteurs configure un circuit NI à 3 entrées à l'aide de 6 transistors MOS disposés en 1 rangée, les transistors MOS qui configurent le circuit NI étant formés sur des couches de silicium planar formées sur un substrat, chaque transistor MOS ayant une structure dans laquelle son drain, sa grille et sa source sont agencées dans la direction verticale et la grille entoure une colonne de silicium, les couches de silicium planar comprenant des premières régions actives ayant un premier type de conductivité et des secondes régions actives ayant un second type de conductivité, et les régions actives étant connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'une couche de silicium formée sur les surfaces des couches de silicium planar, moyennant quoi le circuit NI peut utiliser moins de surface.
ここ で スタイリスト の 表示 を オン 、 オフ に し ます 。 スタイリスト は あらゆる 種類 の テンプレート の 割り当て および 管理 を 行い ます 。patents-wipo patents-wipo
Le liquide de polissage pour planarisation chimico-mécanique comprend des grains abrasifs, des additifs et de l'eau, lesdits grains abrasifs comprenant des particules de cérium et les additifs comprenant un composé de 4-pyrone, représenté par la formule générale (1), et un tensioactif non ionique et/ou un tensioactif cationique.
日本 文学 史 上 、 おそらく 初めて の 『 日記 文学 』 で あ っ た が 、 現代 の 日記 と い う より 紀行 に 近 い 要素 も も っ て い た 。patents-wipo patents-wipo
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