Système de traitement d'informations, dispositif de communication à effet tunnel, procédé de communication a effet tunnel, dispositif de réponse proxy, et procédé de réponse proxy
L'invention concerne une mémoire non volatile à grande vitesse et à faible consommation qui utilise un élément à effet de magnétorésistance et à effet tunnel résonant.
La présente invention concerne un élément de résistance négative à deux bornes avec une bonne linéarité, qui est basé sur un principe différent de l’effet tunnel.
Il faudrait attendre très longtemps avant que cela n'arrive, mais croyez-moi, l'effet tunnel est un phénomène réel, et il a été observé dans plusieurs systèmes.