substrat de culture
作物栽培用の培養土 · 栽培培地 · 生長培地 · 発根培地
substrat oor Japannees
substrat
Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees
基質
fr
substance qui réagit avec un réactif pour former le(s) produit(s)
Procédé de criblage d'un substrat peptidique par une technique de balayage positionnel adressable
アドレッサブルポジショナルスキャニング法によるペプチド基質のスクリーニング方法
培地
基層言語
Geskatte vertalings
Vertoon algoritmies gegenereerde vertalings
Soortgelyke frases
voorbeelde
Advanced filtering
Voorbeelde moet herlaai word.
Liquide de polissage cmp, procédé de polissage d'un substrat, et composant électronique
この ダイアログ で 、 連続 データ が 自動的 に 作成 でき ます 。 方向 、 種類 、 時間 の 単位 、 増分 が 指定 でき ます 。patents-wipo patents-wipo
Procédé de fabrication de substrat de boîtier pour montage d'éléments semi-conducteurs
夕霧 の 妾 の 藤 典侍 も 雲居 の 雁 の 味方 で 、 一人 途方 に くれ る の だっ た 。patents-wipo patents-wipo
L'invention porte sur un module de batterie qui comporte : un bloc de batterie qui contient une pluralité de cellules de batterie, et qui comporte une surface de borne sur laquelle une pluralité de bornes de cellule de batterie sont positionnées ; et un élément de couvercle positionné sur la surface de borne du bloc de batterie ; et un substrat de circuit qui est positionné d'une manière à chevaucher l'élément de couvercle, et qui comporte un circuit de détection de tension pour détecter les tensions aux bornes des différentes cellules de batterie ; un élément de câblage qui est positionné d'une manière à chevaucher l'élément de couvercle, et qui est connecté électriquement aux différentes bornes de cellule de batterie ; et un premier élément de connexion qui connecte électriquement le substrat de circuit et l'élément de câblage.
東大 寺 文書 - 日本 に 数 あ る 寺院 文書 の なか で も 、 最 重要 の もの の ひと つ 。patents-wipo patents-wipo
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs haute fréquence, où une première couche isolante, une couche de polysilicium épitaxiale non dopée pourvue d'une structure cristalline en forme de colonne, une seconde couche isolante et une couche semi-conductrice sont formées dans cet ordre sur une surface d'un substrat à semi-conducteurs, en partant du côté de cette surface, et un transistor haute fréquence est formé à l'endroit où la couche semi-conductrice est tournée vers la couche de polysilicium épitaxiale non dopée par le biais de la seconde couche isolante.
子 に は 藤原 宗能 、 藤原 宗成 、 藤原 宗 重 ら が い る 。patents-wipo patents-wipo
Substrat de verre pour dispositif d'affichage à écran plat et son procédé de fabrication
電気溶接された鋼鉄だpatents-wipo patents-wipo
Le moyen d'entrée/de sortie du gabarit est disposé plus près du centre du substrat que de la position de chaque moyen d'entrée/de sortie de l'élément.
御堂 関白 記 の 名称 由来 は 、 藤原 道長 建立 の 法成 寺 無量寿 院 の こと を 指 し て い る 。patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne un procédé pour la fabrication de dispositif à semi-conducteurs, selon lequel un film isolant de grille (3) est formé sur un substrat semi-conducteur (1), ensuite un film de TiN (ç) et un film de silicium polycristallin (5) sont formés successivement sur le film isolant de grille (3), ensuite un orifice de contact (5a) est formé dans le film de silicium polycristallin (5) de sorte que le film de TiN (4) soit exposé depuis l'orifice de contact (5a), et ensuite un film métallique (7) est formé sur au moins la surface inférieure et la surface de paroi du premier orifice de contact (5a) dans le film de silicium polycristallin (5).
時頼 の 兄 の 北条 経時 は この 事件 で 一応 理 の あ る 三浦 氏 を 助勢 し よ う と 配下 の 者 を 武装 さ せ て 差し向け た 。patents-wipo patents-wipo
Dans le dispositif semi-conducteur à effet de champ, la tension de seuil est contrôlée en appliquant une tension au substrat de support en silicium (1) et en maintenant la charge électrique dans la pellicule de nitrure de silicium (3) pendant une certaine durée par effet tunnel direct.
記載 対象 は 、 薬草 、 菌類 、 草木 、 昆虫 、 魚 、 鳥獣 など 動植物 の ほか に 鉱物 も 一部 含 ん で い る 。patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat optique comprenant : une étape (S0) de préparation d'un moule long en forme de film (80a); une étape (S1) de préparation d'une solution de sol; une étape (S2) de formation d'un film de revêtement (42) à partir de la solution de sol sur le substrat; une étape (S3) de séchage du film de revêtement; une étape (S4) de pressage de la surface à motifs du moule en forme de film contre le film de revêtement séché par un rouleau à presser (22), tout en faisant défiler le moule en forme de film sur le rouleau à presser; une étape (S5) de décollement du moule en forme de film du film de revêtement; et une étape (S6) de cuisson du film de revêtement sur lequel a été transféré le motif concavo-convexe.
その ため 単に 業平 の 物語 で あ る ばかり で な く 、 普遍 的 な 人間 関係 の 諸相 を 描き出 し た 物語 と な り え て い る 。patents-wipo patents-wipo
Lorsqu'un modulateur spatial de lumière ayant un réseau d'une pluralité d'éléments optiques est utilisé, le procédé peut réduire une erreur d'une distribution d'intensité d'une image spatiale finalement formée sur une surface de substrat à partir d'une distribution cible.
松平 東 鳩派 は 、 風水理 気学 を 基本 と し て 家相 を 鑑 る 。patents-wipo patents-wipo
Une couche protectrice (45) est prévue sur le substrat isolant de manière à recouvrir la surface latérale du premier film isolant qui recouvre la marque, et de manière à recouvrir aussi la surface du premier film isolant en regard du substrat isolant.
ここ に 来 て の 西郷 の 軟化 は 、 和宮 など の 度重な る 歎願 の ため で あ っ た 。patents-wipo patents-wipo
Substrat de support d'élément, procédé de fabrication de substrat de support d'élément, module semi-conducteur, et appareil portable
「言ったと思うが、二日前、私の部下が コステロのスパイに出くわしてな」patents-wipo patents-wipo
Appareil d'usinage de substrat
これ ら を 、 根拠 と し て い る 。patents-wipo patents-wipo
Selon la présente invention, une première électrode (2) et une seconde électrode (3) sont formées sur la surface d'un substrat (1).
権 中 納言 従 二 位 左兵衛 督 藤原 長良patents-wipo patents-wipo
La présente invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteur composé comprenant une couche de semi-conducteur de type n (12) comprenant un semi-conducteur composé, une couche d'émission de lumière (13), et une couche de semi-conducteur de type p (14) stratifiées dans cet ordre sur un substrat (11), un pôle positif (15) comprenant une électrode translucide conductrice, et un pôle négatif (17) comprenant une électrode conductrice, l'électrode translucide conductrice constituant le pôle positif (15) étant un film conducteur translucide comprenant un cristal ayant une composition In2O3 et à structure cristalline hexagonale.
この 演算 子 は 、 計算 結果 として 数値 を 返し ます 。 入力 は 常に 半角 で 行い ます 。patents-wipo patents-wipo
Substrat rigide-souple à élément incorporé
しかし 薫 の 慕情 は いっそう つ の る 。patents-wipo patents-wipo
Substrat de matrice tft et dispositif d'affichage à cristaux liquides
晩年 に は 、 宗祇 が 専順 に 師事 し 、 「 美濃 千 句 」 、 「 表 佐 千 句 」 が あ る 。patents-wipo patents-wipo
La première couche peut donc être empêchée de subir une réduction de concentration en silicium dans des zones proches de l'interface de contact entre le substrat semi-conducteur et la première couche, et une contamination d'aluminium peut être empêchée de se produire dans une étape de refusion.
時間は気にしなくていいのpatents-wipo patents-wipo
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un MISFET Ga2O3 ayant : une couche monocristalline β-Ga2O3 (3) formée sur un substrat à haute résistance β-Ga2O3 (2); une électrode source (12) et une électrode drain (13) formées sur la couche monocristalline β-Ga2O3 (3); une électrode grille (11) formée entre l'électrode source (12) et l'électrode drain (13) sur la couche monocristalline β-Ga2O3 (3); et un film isolant (16) qui a un isolateur d'oxyde en tant que composant primaire et qui recouvre la surface de la couche monocristalline β-Ga2O3 (3) dans la zone située entre l'électrode drain (13) et l'électrode grille (11) et dans la zone située entre l'électrode grille (11) et l'électrode source (12).
魏志 倭人伝 の 記述 に よ れ ば 、 朝鮮 半島 の 国々 と も 使者 を 交換 し て い た ら しい 。patents-wipo patents-wipo
La pluralité de buses (72) inclinées pulvérisent le liquide de nettoyage de sorte qu'au moins une partie du liquide de nettoyage pulvérisé sur le substrat de verre (30A) soit dirigée vers les deux parties d'extrémité du substrat de verre (30A) dans ladite direction orthogonale.
『 愚管 抄 』 の 評価 を も っ て 、 忠実 ・ 頼長 の 像 を 決定 し て しま う 必要 は な い だ ろ う 。patents-wipo patents-wipo
La présente invention a trait à un procédé de production d'un détecteur photométrique à flamme (1), lequel procédé est doté d'une étape consistant à former un film semi-conducteur polycristallin (2) sur un substrat de support (5) de manière à ce que la grosseur de grain cristallin (9) du film semi-conducteur polycristallin (2) soit plus petite du côté du substrat de support (5) que du côté de l'électrode commune (8).
犯人は俺が決める... それが俺の仕事だpatents-wipo patents-wipo
Le dispositif d'éclairage (10) comporte une plaque de guidage de lumière (3) et une diode électroluminescente (6) stockée à l'intérieur d'un espace de stockage (10a), et un substrat d'alimentation (8) disposé à l'extérieur de l'espace de stockage (10a).
これ は 当時 日本 に 存在 し て い た 唯一 の 都市 で あ る 大宰府 の こと と 考え られ る 。patents-wipo patents-wipo
Pour pouvoir détecter une image au bord périphérique d'une première surface de lentille (4) et d'une deuxième surface de lentille (6) par détection depuis le côté de la première surface de lentille (4) uniquement, lors de la mesure de la position des deux surfaces de lentilles (4, 6), la première surface de lentille (4) est formée avec un diamètre plus petit que celui de la deuxième surface de lentille (6), et la détection d'une image est rendue possible au bord périphérique de la deuxième surface de lentille (6) depuis le côté de la première surface de lentille (4) grâce à la lumière traversant un substrat perméable (2).
軍曹!- そんなつもりじゃなかったんだ軍曹!patents-wipo patents-wipo
Procédé de production de substrat de semi-conducteur, dispositif semi-conducteur, et appareil électrique
今上帝 ( 源氏 物語 ) の 三 の 宮 ( 第 三 皇子 ) で 、 母 は 光源氏 の 娘 の 明石 の 姫君 。patents-wipo patents-wipo
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif photovoltaïque par lequel une aire de contact entre une électrode de surface et un substrat en silicium de base est facilement réduite en utilisant des procédés de fabrication de dispositifs photovoltaïques classiques autant que possible et l’adhérence entre l'électrode de surface et le substrat en silicium est améliorée.
前に起きたのはいつ? 今は誰がやってるの?patents-wipo patents-wipo
201 sinne gevind in 3 ms. Hulle kom uit baie bronne en word nie nagegaan nie.