エキシマレーザー oor Frans

エキシマレーザー

Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans

Laser à excimère

voorbeelde

本発明は、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、透明基板と、前記透明基板上に形成され、SiおよびNのみからなる光半透過膜、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜と、を有し、前記光半透過膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0. 2~0.
La présente invention concerne une ébauche de masque qui est utilisé pour la production d'un masque de déphasage à demi-teinte auquel une lumière d'exposition de laser excimère ArF est appliquée.

[解決手段]ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、 透光性基板上に、光半透過膜を備え、 前記光半透過膜は、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、 前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9%未満であることを特徴とする位相シフトマスクブランクである。
Dans le film optique semi-transmissif, le rapport de la teneur en métal de transition à la teneur en métal de transition associé au silicium est inférieur à 9 %.

本発明の目的は、遠紫外線光、特に波長が193nmのArFエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、微細なパターン形成においてもパターン倒れが発生し難く、良好な解像性を示すネガ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法として、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)分子量2000以下のオキセタン構造を有する低分子化合物を有する化合物、(C)光カチオン重合開始剤、を含有することを特徴とする、ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。
La composition de photorésine négative est caractérisée en ce qu'elle contient une résine soluble dans les alcalis (A), un composé (B) comprenant un composé de faible poids moléculaire, présentant une structure d'oxéthane ayant un poids moléculaire inférieur à 2 000 et un initiateur de photopolymérisation cationique (C).

本発明の目的は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の(極)遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物等を提供することである。
La présente invention a pour objet une composition sensible aux rayonnements capable de former un film de résist positif amplifié chimiquement, qui est efficacement sensible aux rayons ultraviolets lointains (extrêmes) tels que les lasers à excimères KrF, les lasers à excimères ArF, et les EUV (rayons ultraviolets extrêmes), aux rayons X tels que le rayonnement synchrotron, et aux faisceaux électroniques, et possède une excellente nanorugosité de bord, une sensibilité élevée, et une résolution élevée, et sur laquelle un motif fin peut être formé de manière stable avec une grande précision.

本発明の目的は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の(極)遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物等を提供することである。 本発明の感放射線性組成物は、下記一般式(1)で示される酸発生剤と、溶剤と、を含有する。〔 式中、R0は相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又は置換若しくは非置換の1価の有機基を示す。 R1は、フッ素原子、又は置換若しくは非置換の1価の有機基を示し、Rf若しくはR2と相互に結合し、環状構造を形成していてもよい。 R2は、フッ素原子、又は置換若しくは非置換の1価の有機基を示す。
La présente invention a pour but de proposer une composition sensible au rayonnement, capable de former un film de résist positif amplifié chimiquement qui répond efficacement aux ultraviolets lointains (extrêmes) tels qu'un laser excimère KrF, un laser excimère ArF, ou les UV extrêmes, à un rayonnement X tel qu'un rayonnement synchrotron, ou à un faisceau électroniqque, qui a une excellente nano-rugosité de bord, une excellente sensibilité et une excellente résolution, et qui est capable de former un micromotif de façon stable et hautement précise.

このエキシマレーザ装置は、ガスを封入するレーザチャンバと、レーザチャンバの内部に配置された一対の電極と、電極間にパルス電圧を供給する電源部と、レーザチャンバの内部へのガスの供給を行うガス供給部と、レーザチャンバの内部のガスの部分的な排気を行うガス排気部と、電極の劣化パラメータに基づいて、レーザチャンバの内部のガスの一部を交換するようにガス供給部及びガス排気部を制御するガス制御部と、を備えてもよい。
Sur la base du paramètre de détérioration des électrodes, l’unité de contrôle du gaz peut déterminer la quantité de gaz à l’intérieur de la chambre laser afin de procéder à l’échange.

エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
Laser excimere et systeme laser excimere

エキシマレーザを光源として用いることなく、アモルファスシリコンの膜をムラ無くかつ安価に結晶化させることのできる光照射装置を提供する。
La présente invention concerne un dispositif d'exposition à la lumière permettant de cristalliser un film en silicium amorphe de façon économique sans irrégularités et sans utiliser de laser excimer comme source optique.