化物 oor Frans

化物

naamwoord

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doppelgänger · fantome · monstruosité · fantasme · fantôme · ombre · menace · âme en peine

Soortgelyke frases

水化物
hydrate

水素化物
hydrure

アジ化物
Azoture · azoture · azotures

ハロゲン化物
halogénure · ion halogénure

三ヨウ化物
triiodure

フェロシアン化物
Ferrocyanure

弗化物
fluorure

水道水フッ化物添加
Fluoration de l'eau

フッ化物
Ion fluorure · fluorure · ion fluorure

voorbeelde

第1のスイッチング素子10は、基板11の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体13と、半導体層積層体13の上に形成されたゲート電極18、第1のオーミック電極16及び第2のオーミック電極17と、基板11の裏面に形成された裏面電極20とを有している。
Un potentiel électrique est fourni à l'électrode arrière (20) à partir du bloc d'alimentation connecté à la borne d'entrée (Vin1) de manière à ce que la différence de potentiel entre l'électrode arrière (20) et la seconde électrode ohmique (17) soit faible.

III族窒化物半導体レーザ素子11のアノード側にある第1の面13aの四つの角のそれぞれに、切欠部113a等の切欠部が形成されている。 切欠部113a等は、素子11を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。
Des segments de coupe (113a et similaires) sont formés sur chacun des quatre coins d'une première surface (13a) d'un élément laser à semi-conducteur à nitrure du groupe III (11) sur le côté de l'anode.

窒化物系III-V族化合物半導体発光素子およびその製造方法
Dispositif electroluminescent a semi-conducteur avec compose nitrure iii-v et procede de fabrication

窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体自立基板
Procédé de production d'un substrat semi-conducteur à base d'un composé nitrure, et substrat autonome semi-conducteur à base d'un composé nitrure

窒化物電子デバイスを作製する方法
Procédé de fabrication de dispositifs électroniques à base de nitrure

III族窒化物結晶およびその製造方法
Cristaux de nitrure du groupe iii et procédé de fabrication de ceux-ci

[課題]従来よりも耐久性に優れた、金属炭窒酸化物からなる燃料電池用触媒の製造方法を提供すること。 [解決手段]酸素ガスを含む不活性ガス中で金属炭窒化物を加熱して、金属炭窒酸化物を製造する金属炭窒酸化物製造工程、および前記金属炭窒酸化物と酸性溶液とを接触させる接触工程を含むことを特徴とする金属炭窒酸化物からなる燃料電池用触媒の製造方法。
L'invention concerne un procédé pour produire un catalyseur de pile à combustible qui présente une excellente durabilité par rapport à celle des catalyseurs traditionnellement obtenus et qui comporte un oxycarbonitrure métallique.

III族窒化物半導体からなり、発光端面を有する半導体積層体と、半導体積層体における発光端面を覆うように形成された誘電体多層膜からなる保護膜を備え、保護膜は端面保護層と酸素拡散抑制層から構成され、発光端面から端面保護層と酸素拡散抑制層の順に配置されており、端面保護層は、アルミニウムを含む窒化物からなる結晶性膜を含んだ層であり、酸素拡散抑制層は金属酸化物膜をシリコン酸化膜が挟んだ構造であり、金属酸化物膜はレーザ光によって結晶化することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Ledit élément laser à semi-conducteur au nitrure est caractérisé en ce qu'il comprend : un corps semi-conducteur stratifié, constitué d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III et présentant une surface d'extrémité électroluminescente; et un film de protection constitué d'un film diélectrique multicouche formé de manière à couvrir la surface d'extrémité électroluminescente du corps semi-conducteur stratifié.

111)方位の単結晶シリコン下地基板の上に、基板面に対し(0001)結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなるエピタキシャル基板を、AlNからなる第1組成層とAlxGa1-xNからなる第2組成層とを交互に積層してなる組成変調層とAlyGa1-yN(0≦y<1)からなる第1中間層とを含む第1の積層単位を複数備えるバッファ層を備え、第1および第2組成層の積層数をそれぞれnとし、下地基板の側からi番目の第2組成層におけるxの値をx(i)とするときに、x(1)≧x(2)≧・・・≧x(n-1)≧x(n)かつ、x(1)>x(n)であるように形成し、第2組成層が第1組成層に対してコヒーレントな状態にあり、第1中間層が組成変調層に対してコヒーレントな状態にあるようにする。
Le substrat épitaxial comporte une couche tampon qui comprend une pluralité de premières unités de superposition, comprenant chacune une couche de modulation de la composition, des couches d'une première composition formées d'AlN et des couches d'une deuxième composition formées d'AlxGa1-xN étant superposées de façon alternée, ainsi qu'une première couche intermédiaire formée d'AlyGa1-yN (avec 0 ≤ y x(n) sont satisfaites.

(1)N-オキシル化合物、及び(2)臭化物、ヨウ化物若しくはこれらの混合物の存在下で、酸化剤を用いてセルロース系原料を酸化し、得られた原料を解繊・分散処理してセルロースナノファイバー分散液を調製し、得られた分散液を酸性にすることによりセルロースナノファイバーを凝集させてゲル状物質を形成させ、最後にゲル状物質を粉砕することにより、吸水性が低く膨潤しにくいセルロースゲル分散液を得る。
La présente invention concerne une dispersion de gel de cellulose qui a une faible capacité d'absorption d'eau et est moins susceptible de gonfler, qui peut être produite par : oxydation d'une matière première de cellulose avec un agent oxydant en présence de (1) un composé N-oxyle et (2) un bromure, un iodure ou un mélange de ceux-ci ; défibrage et dispersion de la matière première résultante pour préparer une dispersion de nanofibres de cellulose ; préparation de la dispersion de manière à la rendre acide pour causer l'agrégation de nanofibres de cellulose, de manière à former une substance gélifiée ; et finalement pulvérisation de la substance gélifiée.

-r面窒化物半導体結晶を少なくとも上面に有する基板をMOCVD装置の反応室内に配置する工程(S1)と、反応室内の基板を加熱し、基板の温度を上昇させる昇温工程(S2)と、基板上に窒化物半導体層を成長させる成長工程(S3)とを実行する。
Dans l'étape d'élévation de la température (S2), un gaz de matière première d'azote et un gaz de matière première d'élément du Groupe III sont fournis à la chambre de réaction.

チューブ加工装置及びチューブフラット化物製造方法
Appareil de traitement de tube, et procédé pour la fabrication d'un article de tube aplati

で表されるβ型SiAlONである、2価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体粒子(1)の粒子群であって、長径を短径で割った値の平均値が1.
Le dispositif électroluminescent utilisant le β-SiAlON est stable et a un rendement élevé.

ハロゲン化物ガラス組成物及びそれを利用した光ファイバー
Composition de verre aux halogénures et fibre optique l'utilisant

窒化物半導体の製造方法は、半導体層を構成する窒化物を有し、窒化物半導体の製造方法であって、スロットアンテナから放射されたマイクロ波によって生成されるIII族元素を含むガスのプラズマを用いて、III族元素を含む窒化物層を形成する工程を備える。
La présente invention concerne un procédé de production d'un semi-conducteur à base de nitrure contenant un nitrure constituant une couche semi-conductrice.

フッ化物の足りない水を使っている人々が適量のフッ化物を与えられると,虫歯の発生率が最大65%も低下します。
L’incidence des caries diminue de 65 % quand on fournit la quantité optimale de fluor à une population qui ne bénéficie pas d’une eau suffisamment fluorée.

窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法
Dispositif électronique au nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif électronique au nitrure

シリンダ11の燃焼室11a内に液体アンモニアが燃料として供給されるアンモニアエンジンは、液体アンモニアと金属水素化物とを反応させて高圧の水素ガスを発生させる水素ガス生成装置3と、水素ガス生成装置3により発生した高圧の水素ガスを燃焼室11a内に供給する水素ガス供給装置4とを備えている。
Le moteur à ammoniac, dans lequel de l'ammoniac liquide est apporté dans une chambre de combustion (11a) d'un cylindre (11) en tant que combustible, est pourvu : d'un dispositif de production de gaz hydrogène (3) qui produit du gaz hydrogène haute-pression par la réaction de l'ammoniac liquide et d'un hydrure métallique; et d'un dispositif d'alimentation en gaz hydrogène (4) qui apporte le gaz hydrogène haute-pression produit par le dispositif de production de gaz hydrogène (3) dans la chambre de combustion (11a).

坩堝(101)内において、原料(17)を加熱することにより昇華させて、原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長する。
En premier lieu, on prépare un creuset (101) dans lequel on place un matériau de départ (17).

窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法
Elément électroluminescent semi-conducteur à base de nitrure, dispositif d'éclairage, écran à cristaux liquides et procédé de production de dispositif d'éclairage

このサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法は、V-Al合金スパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有している。
Ce procédé pour produire ledit matériau en nitrure métallique pour thermistances comprend une étape de formation de film consistant à former un film en effectuant une pulvérisation réactive dans une atmosphère contenant de l'azote, au moyen d'une cible de pulvérisation d'alliage de V-Al.

塩化物イオンを対アニオンとする所定のラダー型PSQの対アニオンを塩化物イオンからヨウ化物イオンに変換し、次に、対アニオンをヨウ化物イオンから三ヨウ化物イオンに変換する。
Les contre-anions d'un polysilsesquioxane à structure en échelle (LPSQ) décrit présentant des contre-anions chlorure sont convertis d'ions chlorure en ions iodure puis en ions triiodure.

2であり、かつ600nmにおける吸収率が8. 0%以下であるβ型SiAlONである、2価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体である蛍光体、およびそれを用いた発光装置、BL光源装置、ならびに液晶表示装置によって、分散性を制御し、透明性を高めたβ型SiAlONを用いることにより、高効率で特性の安定した発光装置およびそれを用いた液晶表示装置を提供する。
Par conséquent, l'utilisation du β-SiAlON permet d'obtenir à la fois un dispositif électroluminescent qui présente un rendement élevé et des caractéristiques stables et un dispositif d'affichage à cristaux liquides l'utilisant.

複フッ化物蛍光体及びその製造方法
Complexe fluorure-phosphore et son procédé de production

上記触媒を使用することにより、芳香族ポリカルボン酸の水素化物を高純度かつ高収率で工業的に有利に製造することができる。
Le catalyseur obtenu par dépôt de rhodium et d’au moins du palladium ou du platine sur un support carboné est activé après avoir été utilisé dans l’hydrogénation.