실시 예는 반응실, 상기 반응실 내에 위치하고, 웨이퍼를 안착시키는 서셉터, 및 상기 반응실 내로 유입되는 가스의 유동을 제어하는 가스 유동 제어부를 포함하며, 상기 가스 유동 제어부는 가스의 흐름을 분리하는 복수의 유출구들을 갖는 인젝트 캡, 상기 복수의 유출구들 각각에 대응하는 제1 관통 홀들을 포함하고, 상기 제1 관통 홀들은 상기 복수의 유출구들로부터 배출되는 가스를 통과시키는 인젝트 버퍼, 및 상기 제1 관통 홀들 각각에 대응하는 제2 관통 홀들을 포함하며, 상기 제2 관통 홀들은 상기 제1 관통 홀들을 통과한 가스를 통과시키는 배플(baffle)을 포함하며, 상기 제1 관통 홀들 각각의 면적은 상기 제2 관통 홀들 각각의 면적보다 크고 상기 유출구들 각각의 면적보다는 작다.
An embodiment comprises: a reaction chamber; a susceptor positioned in the reaction chamber such that a wafer is seated thereon; and a gas flow controller for controlling the flow of gas flowing into the reaction chamber, wherein the gas flow controller comprises an inject cap having a plurality of outlets for separating the flow of gas, an inject buffer comprising first through-holes corresponding to the plurality of outlets, respectively, the first through-holes allowing passage of gas discharged from the plurality of outlets, and a baffle comprising second through-holes corresponding to the first through-holes, respectively, the second through-holes allowing passage of gas that has passed through the first through-holes, and the area of each of the first through-holes is larger than the area of each of the second through-holes and smaller than the area of each of the outlets.patents-wipo patents-wipo