高密度記録のためシングルドライト方式にマイクロ波アシスト磁気記録を適用した場合に,高周波発生素子の幅より主磁極のトラック幅が広いため両者の磁界勾配の高い領域が シングルドライト向け磁気ヘッドの高周波磁界発生部17を主磁極8の中心線からオフセットさせて両者の磁界勾配24,25の急峻部を重ね合わせる。 このとき,主磁極磁界を補正誘引するように透磁率の高いシールド材料を配置する方法,所望の静磁界を加えるハードバイアス層を配置する方法,高周波磁界発生部自身を傾斜して形成する方法などの手段を用いて,主磁極8からの磁界ベクトル11が高周波磁界発生部の膜面に垂直に入射させて安定発振を可能とし,高密度な磁気記録を実現する。
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