amorphous oor Koreaans

amorphous

/əˈmɔrfəs/ adjektief

(physics) in the non-crystalline solid state of a typically crystalline solid.

Vertalings in die woordeboek Engels - Koreaans

조직이 없는

lacking organization or unity

Soortgelyke frases

amorphous solid
비결정질 고체

amorphous ice
비결정질 얼음

voorbeelde

Amorphous metal core, induction apparatus using same, and method for manufacturing same
비정질 금속 코어와, 이를 이용한 유도장치 및 그 제조방법

The present invention provides a method for manufacturing an anode active material, and comprises the steps of: (a) preparing a coating mixture from one or more raw materials selected from the group consisting of low crystallinity carbon and amorphous carbon, and then mixing with an ion absorption precursor and a releasable metal and / or base metal, followed by purification; (b) preparing a precursor coating for a core shell by combining the coating mixture with a crystalline carbon material for coating a core; and (c) carbonizing the one or more raw materials selected from the group consisting of low crystallinity carbon and amorphous carbon, then calcining into spheres, the one or more raw materials selected from the group consisting of low crystallinity carbon and amorphous carbon.
본 발명은, (a) 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질의 제조 원료의 전구체에 이온의 흡장 및 방출이 가능한 금속 및/또는 비금속을 혼합한 후 정제하여 코팅용 혼합물을 준비하는 단계; (b) 상기 코팅용 혼합물을 결정성 카본계 물질과 혼합하여, 결정성 카본계 물질을 포함하는 코어에 코팅용 원료 혼합물이 도포된 코어-쉘 전구체를 제조하는 단계; (c) 상기 코어-쉘 전구체를 소성하여 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질의 제조 원료를 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 탄화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 음극 활물질의 제조방법을 제공한다.

According to the present invention, the stepped amorphous electrode assembly can stably maintain the shape of a battery and the stacked shape.
본 발명은 제1 면적을 갖는 적어도 하나의 전극 유닛이 적층된 제1 전극 적층체 및 상기 제1 면적과는 상이한 제2 면적을 갖는 적어도 하나의 전극 유닛이 적층된 제2 전극 적층체를 포함하고, 상기 제1 전극 적층체 및 제2 전극 적층체가 평면에 대하여 수직 방향으로 적층되며, 상기 제1 전극 적층체와 제2 전극 적층체의 면적 차에 의해 형성된 단차부를 포함하는 전극 조립체로서, 상기 전극 조립체의 4변 중 적어도 1 변에 상기 단차부가 존재하며, 적어도 하나의 단차부에는 적층 측면을 가로질러 테이핑된 테이프를 적어도 하나 가지며, 상기 테이프는 단차부의 단차 형상을 갖는 것인 전극 조립체 및 상기 전극 조립체 제조방법에 관한 것이다.

Novel method for preparing amorphous raloxifene hydrochloride salt and novel intermediate used therefor
비결정성 랄록시펜 염산염의 신규 제조방법 및이에 사용되는 신규 중간체

The present invention comprises a chamber; a substrate support part installed at the bottom of said chamber and furnished with an amorphous silicone thin film and a conductive thin film; and a power application part installed at the top of said chamber and furnished with an electrode for power application to apply electrical power to said conductive thin film; said substrate support part comprises a UVW stage installed at the bottom of said chamber and a substrate stage installed at the top of said UVW stage.
또한 본 발명은 챔버 내부의 하부에 설치되는 기판 스테이지와 상기 기판 스테이지의 상면에 위치하며, 도전성 박막과 비정질 실리콘 박막이 형성된 기판을 상기 기판 스테이지의 하부에 위치하는 UVW 스테이지를 이용하여 정렬시킴으로써, 결정화 공정이 진행가능하도록 준비하는 결정화 준비 단계; 및 상기 챔버 내부의 상부에 설치되는 전원 공급용 전극을 상기 도전성 박막과 접촉시켜 전원을 공급하여 주울 열을 발생시키고, 상기 발생된 주울 열을 통하여 상기 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 결정화 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막 제조방법인 것을 특징으로 한다.

The present invention has been devised to solve the problems of conventional amorphous alloys, wherein the aim of the invention is to provide a novel amorphous composite material having improved tensile characteristics which are weak in conventional amorphous alloys, while maintaining the high strength, hardness, corrosion resistance, etc. of amorphous alloys.
본 발명은 전술한 종래의 비정질 합금의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 비정질 합금이 가지는 높은 강도, 경도 및 내식성 등을 유지하면서 기존의 비정질 합금이 가지고 있던 취약한 상온 인장 특성이 향상된 새로운 비정질 복합재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.

The present invention provides a method for producing a hydrogen-generating catalyst comprising the steps of: melting a metal; producing amorphous metal powder by pulverizing while rapidly cooling the melted metal; suspending the amorphous metal powder in an electrolyte; and applying a current to the electrolyte.
본 발명은, 금속을 용융하는 단계; 용융된 금속을 급속 냉각 하면서 분말화하여 비정질 금속 분말로 만드는 단계; 상기 비정질 금속 분말을 전해액 중에 침전시키는 단계; 및 상기 전해액에 전류를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 발생 촉매 제조방법.

The disclosed device forms polycrystalline silicon by heat treating amorphous silicon which is formed on a substrate, and is characterized by comprising a pre-heating section (200) which pre-heats amorphous silicon, and a heat treating section (300) which performs crystallization heat treatment on the amorphous silicon that has been pre-heated in the pre-heating section (200).
본 발명에 따른 장치는, 기판 상에 형성된 비정질 실리콘을 열처리하여 다결정 실리콘을 형성하는 장치로서, 비정질 실리콘을 예열(pre-heating)하는 예열부(200); 및 예열부(200)에서 예열된 비정질 실리콘을 결정화 열처리하는 열처리부(300)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Method for manufacturing amorphous alloy film and method for manufacturing nanostructured film comprising nitrogen
비정질 합금막의 제조방법 및 질소를 포함하는 나노구조막의 제조방법

Production device and production method for an implant using amorphous alloy
비정질합금을 이용한 임플란트의 제조장치 및 제조방법

The present invention relates to an amorphous solid dispersion with improved stability comprising 9-[2-[[bis[(pivaloyloxy)methyl]phosphono]methoxy]ethyl] adenine which is a nucleotide analog, a pharmaceutical composition containing the same, and a preparation method for the solid dispersion.
본 발명은 뉴클레오티드 유사체인 9-[2-[[비스[(피발로일옥시)메틸]포스포노]메톡시]에틸]아데닌을 포함하는 안정성이 개선된 무정형 고체 분산체, 이를 포함하는 약제학적 조성물 및 당해 고체 분산체의 제조방법에 관한 것이다.

The wide icicle-type light-adjusting lens for diffusing the light of an LED has a bilaterally symmetrical lens structure made of one amorphous polymer material selected from a glass material or PC, PMMA, and COC, and includes a body, the entire interior of which is filled.
엘이디(LED) 광확산용 확산형 아이시클타입 광 조정렌즈에 관한 것으로서, 유리재질 또는 PC, PMMA, COC 중에서 1종이 선택되는 비결정형 폴리머재질로 이루어지되, 내부 전체가 채워지는 몸체를 갖는 좌우 대칭구조의 렌즈구조체이며; 상기 렌즈구조체는 몸체의 내측라인을 형성하며 산과 골이 깊게 패인 형태로 중심부분에 광조정돌부가 형성되는 아이시클 내면과, 몸체의 외측라인을 형성하며 반구형의 구조배치에서 중심부분을 완만하게 함몰시켜 광확산의 확장을 유도하기 위한 광확산 확장유도부가 형성되는 광확산 외면을 포함하며; 상기 아이시클 내면과 광확산 외면에 의한 내부 반사와 굴절의 이중 처리로 광확산을 조정할 수 있도록 구성한 엘이디(LED) 광확산용 확산형 아이시클타입 광 조정렌즈에 관한 것이다.

The polysilane-based compound can be used in a variety of electronic devices, notably solar cells, and, more particularly, can be employed to advantage when the amorphous silicon thin films used in the production of silicon solar cells are produced by means of the liquid-phase process.
일차 실란, 이차 실란 또는 삼차 실란을 탈수소화 중합하여 선형 또는 고리형 폴리실란계 화합물을 제조하는 방법 및 이에 따라 제조되는 폴리실란계 화합물, 해당 제조 방법에 이용되는 탈수소화 촉매 및 해당 폴리실란계 화합물로 무정형 실리콘 박막을 제조하는 방법이 제공된다. 해당 폴리실란계 화합물은 태양전지를 비롯한 각종 전자 디바이스에 이용될 수 있으며, 특히 실리콘 태양전지 제조에 이용되는 무정형 실리콘 박막의 액상 공정에 의한 제조 시 유용하게 사용될 수 있다.

Production method for a polysilane-based compound and polysilane-based compounds produced thereby, a dehydrogenation catalyst used therein, and a method for producing an amorphous silicon thin film by using a polysilane-based compound
폴리실란계 화합물의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 폴리실란계 화합물, 이에 이용되는 탈수소화 촉매, 폴리실란계 화합물로 무정형 실리콘 박막을 제조하는 방법

Artificial marble having a transparent amorphous pattern of the present invention comprises a base material portion and a pattern portion, wherein the transparency of the pattern portion is excellent, the specific gravity of the pattern portion is 1.60 or more, and the pattern portion is formed by curing a resin composition comprising a binder selected from the group consisting of a halogenated urethane acrylate, a halogenated epoxy acrylate and a mixture thereof, and an acrylic polymerizable monomer.
본 발명의 투명한 무정형 무늬가 있는 인조대리석은, 모제부분과 무늬부분으로 이루어지는 인조대리석에 있어서, 무늬부분의 투명성이 우수하고, 무늬부분의 비중이 1.60 이상이며, 상기 무늬 부분은 할로겐화 우레탄 아크릴레이트, 할로겐화 에폭시 아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택한 바인더와 아크릴계 중합성 모노머를 포함하는 수지 조성물을 경화시켜 형성되는 것을 특징으로 한다.

Zr-group amorphous alloy composition
ZR기 비정질 합금조성물

Provided is a thermoplastic resin composition, comprising a thermoplastic resin and amorphous plate-type metal particles, each of which has a thickness to longer diameter ratio of 1/20 to 1.
열가소성 수지, 그리고 장경에 대한 두께 비율이 1/20 내지 1인 무정형 판상 금속 입자를 포함하는 열가소성 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품이 제공된다.

In this case, each of the N number of unit cells comprise a plurality of elements futher comprising an amorphous-Si, a poly-Si, a metal oxide, an organic substance, among others, wherein the a digital value having at least an N number of bits is generated by generating a digital value having least 1 bit from each of the N number of unit cells, using the characteristic differences, which is caused by the process variation from the process for manufacturing the semiconductor, between the plurality of elements that are included in each of the N number of unit cells.
이 경우, 상기 N 개의 단위 셀의 각각은 비결정 실리콘(amorphous-Si), 다결정 실리콘(poly-Si), 산화 금속, 유기물 등으로 구성된 복수 개의 소자를 포함하고, 반도체 제조 공정의 공정 편차에 의해 생기는 상기 N 개의 단위 셀 각각에 포함된 복수 개의 소자들 간의 특성 차이를 이용하여, 상기 N 개의 단위 셀 각각으로부터 적어도 1비트의 디지털 값을 생성하여, 상기 전자 장치는 적어도 N 비트의 디지털 값을 생성한다.

Here, the composite coating layer is configured such that a matrix is made of one component selected from said at least one substance selected from the group consisting of low crystalline carbon and amorphous carbon, and the metal and/or non-metal capable of absorbing and desorbing ions, wherein a filler made of the other component is further included in the matrix.
본 발명은, 이온을 흡장 및 방출할 수 있는 이차전지용 음극 활물질로서, 결정성 카본계 물질의 코어(core)와, 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질과 이온의 흡장 및 방출이 가능한 금속 및/또는 비금속을 포함하는 복합체 코팅층(composite coating layer)으로 이루어져 있으며, 상기 복합체 코팅은 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질, 및 이온의 흡장 및 방출이 가능한 금속 및/또는 비금속 중에서 선택된 하나의 성분으로 이루어진 매트릭스(matrix)에 나머지 성분으로 이루어진 필러(filler)가 포함되어 있는 구조로 이루어진 음극 활물질과, 이러한 음극 활물질을 포함하는 것으로 구성된 이차전지를 제공한다.

A method for manufacturing a quantum dot solar cell according to the present invention comprises the steps of: (a) preparing a substrate; (b) forming a first silicon film in which amorphous silicon and nanocrystal are mixed together on the upper part of the substrate; (c) controlling the size of the nanocrystal formed on the first silicon film; (d) etching the amorphous silicon on the first silicon film; and (e) coating an insulating film on the surface of the nanocrystal remaining on the substrate on which the amorphous silicon is etched.
본 발명에 따른 양자점 태양전지의 제조방법은 (a) 기판을 준비하는 단계, (b) 상기 기판 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 제 1 실리콘 막을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1 실리콘 막에 형성된 상기 나노 크리스탈의 크기를 조절하는 단계, (d) 상기 제 1 실리콘 막으로부터 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계 및 (e) 상기 아몰퍼스 실리콘이 식각된 기판에 남아 있는 상기 나노 크리스탈의 표면에 절연막을 코팅하는 단계를 포함한다.

The present invention relates to a negative electrode active material for an electrode composition, and to an electrochemical cell comprising the negative electrode active material, wherein the negative electrode active material comprises an amorphous carbon material and a doping element, and exhibits, in the temperature range of 450°C to 950°C, at least two peaks of mass reduction variation calculated by thermogravimetric analysis, and exhibits a maximum heat peak output of 20 mW to 60 mW calculated by differential scanning calorimetry.
비정질 탄소재료 및 도핑원소를 포함하고, 열 중량 측정분석에 의한 질량감소변화량 피크가 450°C 내지 950°C 사이의 온도에서 적어도 2개 나타나며, 시차주사 열량계에 의한 최대발열 피크출력이 20 mW 내지 60 mW 사이인 전극 합제용 음극활물질 및 이러한 음극활물질을 포함하는 전기화학 셀이 제공된다.

P-type amorphous oxide semiconductor including gallium, method of manufacturing same, and solar cell including same and method of manufacturing said solar cell
갈륨을 포함하는 P형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법

The present invention provide a method for manufacturing an amorphous material, which is a method capable of effectively forming an amorphous bulk material using amorphous powders, and which comprises the steps of: providing amorphous powders; and binding the amorphous powders together by heating same using heat energy which has been generated by means of electromagnetic induction and by compressing same.
본 발명은 비정질 분말들을 이용하여 효과적으로 비정질 벌크재를 형성할 수 있는 방법으로서, 비정질 분말들을 제공하는 단계; 및 상기 비정질 분말들을 전자기유도에 의하여 발생한 열에너지로 가열하고 압축함으로써, 상기 비정질 분말들을 결합하는 단계;를 포함하는 비정질재의 제조방법을 제공한다.

According to the present invention, the electron beam irradiated onto the silicon thin film deposited on the substrate via the supplied silicon source provides the silicon thin film with energy in-situ to thereby crystallize the silicon thin film in-situ, or an electron beam and an ion beam are irradiated as a post-treatment after the formation of an amorphous silicon thin film to thereby crystallize the silicon thin film.
본 발명에 의하여, 상기 공급된 실리콘 소스에 의해 상기 기판상에 실리콘 박막이 증착되면서 상기 조사된 전자빔이 상기 증착중의 실리콘 박막에 에너지를 공급하여 이 실리콘 박막을 증착공정중에(in-situ) 결정화시키거나, 비정질 실리콘 박막이 형성된 후 후처리로서 전자빔과 이온빔을 조사함으로써 결정화시킬 수 있게 된다.

The production method for a polysilicon mask using a metal catalyst according to the present invention comprises the steps of: supplying a base plate (10); forming an amorphous silicon layer (30) having a predetermined pattern on the base plate (10); forming a metal catalyst layer (40) on the amorphous silicon layer (30); and forming a polysilicon mask (31) by subjecting the amorphous silicon layer (30) to a heat treatment.
본 발명에 따른 금속 촉매를 이용한 폴리 실리콘 마스크의 제조방법은, 기판(10)을 제공하는 단계; 기판(10) 상에 소정의 패턴을 갖는 비정질 실리콘층(30)을 형성하는 단계; 비정질 실리콘층(30) 상에 금속 촉매층(40)을 형성하는 단계; 및 비정질 실리콘층(30)을 열처리하여 폴리 실리콘 마스크(31)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.