ドーズ oor Frans

ドーズ

Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans

William Dawes

naamwoord

William Dawes Jr.

naamwoord

Soortgelyke frases

ウィリアム・ドーズ
William Rutter Dawes

チャールズ・G・ドーズ
Charles Dawes

ドーズ案
Plan Dawes

voorbeelde

ドーズ へ の 点数 稼ぎ も ?
En fait, c'est... pour Dent.

ISSOLの共同創設者クラウス・ドーズ教授は,「これまでの業績を評価するに当たっては自己批判」が求められることを認めた後,ドイツの科学雑誌「ナトゥールビッセンシャフトリッヒェ・ルントシャウ」の中で,進化論者たちは多年にわたって研究してきたが,生命の起源を明確に理解するには至っていない,と述べました。
Après avoir reconnu la nécessité de “faire le point sur les résultats obtenus jusqu’à présent”, le professeur Klaus Dose, cofondateur de l’ISSOL, a déclaré dans une revue scientifique allemande (Naturwissenschaftliche Rundschau) qu’après des années de recherche les évolutionnistes ne comprennent pas mieux l’origine de la vie.

これは「ドーズ・ポール」 と呼ばれます
On l'appelle le « bâton-dosimètre».

本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハのおもて面から水素イオンを1. 0×1013~3.0×1016atoms/cm2のドーズ量で注入して、前記水素イオンが固溶してなるゲッタリング層を形成することを特徴とする。
Ce procédé permettant de produire une tranche de silicium est caractérisé en ce que des ions hydrogène sont injectés depuis la surface avant de la tranche de silicium à un dosage compris entre 1,0 × 1013 et 3,0 × 1016 atomes/cm2, et une couche de getterisation est formée à partir d'une solution solide des ions hydrogène.

をご覧ください。) この点で例を挙げれば,ドイツ,マインツの生化学研究所のクラウス・ドーズは,「現状からすれば,この分野の主要な学説や実験に関する論議はすべて,結局のところ行き詰まってしまうか,無知を告白することになるかのいずれかである」と述べています。
Témoin cette remarque de Klaus Dose, de l’institut de biochimie de Mayence (Allemagne) : “ Actuellement, toutes les discussions portant sur les principales théories et expériences touchant à ce domaine débouchent soit sur une impasse, soit sur un aveu d’ignorance. ”

バーナビ ・ ドーズ は 何 を 言 い た かっ た の か ?
Pourquoi Dawes a dit qu'on était en danger?

nシェル領域(13)中のn型の不純物の実効ドーズ量は5.0×1012cm-2以下である。
La quantité de dose effective des impuretés de type n dans la région (13) de coquille n est d'au plus 5,0×1012 cm-2.

リビアとドーズ、プレスコットの3人はコンコードの近くリンカーンの路上に設けられた防塞でイギリス兵に呼び止められた。
Revere, Dawes, et Prescott furent arrêtés par les troupes britanniques à Lincoln par un barrage routier sur le chemin de Concord.

表面検査装置(1)は、CCDカメラ(40)で検出された回折光および第2の直線偏光に基づいて、ウェハ(10)表面の繰り返しパターンにおける異常の有無を検査する画像処理検査部(45)を備え、この画像処理検査部(45)は、データベース部(46)に予め登録されたフォーカスおよびドーズのズレ量と回折光の輝度との相関並びに、フォーカスおよびドーズのズレ量と第2の直線偏光の輝度との相関に基づいて、フォーカスのズレ量またはドーズのズレ量を求めるようになっている。
La présente invention a pour objet un appareil d'inspection de surface (1) comprenant une partie inspection de traitement d'image (45) qui inspecte la présence/l'absence d'anomalie dans des motifs répétés sur la surface d'une tranche (10) sur la base de la lumière diffractée et d'une seconde lumière polarisée de manière linéaire détectée par une caméra CCD (40).

リビアは夜半頃にレキシントンに到着し、ドーズはその半時間後に着いた。
Revere est arrivé à Lexington aux alentours de minuit, et Dawes est arrivé une demi-heure plus tard.

4月18日の夜9時から10時の間、ウォーレンはウィリアム・ドーズとポール・リビアに国王の軍隊がボストンをボートで離れてケンブリッジに至りそこから陸路レキシントンとコンコードに向かおうとしていると伝えた。
Entre 9 et 10 h, la nuit du 18 avril 1775, Warren explique à William Dawes et Paul Revere que les troupes du Roi sont sur le point d'embarquer sur des bateaux en provenance de Boston à destination de Cambridge pour faire route vers Lexington et Concord.

プラズマ処理装置の処理容器で被処理体に対して高窒素ドーズ量のプラズマ窒化処理をした後に、低窒素ドーズ量のプラズマ窒化処理をするプラズマ窒化処理方法であって、高窒素ドーズ量条件のプラズマ窒化処理の終了後、同一の前記処理容器内に希ガスと窒素ガスと酸素ガスを導入し、処理容器内の圧力が532Pa以上833Pa以下で、全処理ガス中の酸素ガスの体積流量比が1. 5%以上、5%以下の条件で微量酸素添加窒素プラズマにより処理容器内をプラズマシーズニング処理する。
La présente invention concerne un procédé de nitruration au plasma qui comprend la réalisation de la nitruration au plasma d'une matière intéressante à une dose élevée d'azote dans une cuve de traitement d'un appareil de traitement au plasma et l'exécution de la nitruration au plasma de la matière à une dose faible d'azote, dans lequel un gaz rare, de l'azote gazeux et de l'oxygène gazeux sont introduits dans la cuve de traitement après la réalisation de la nitruration au plasma à une dose d'azote élevée et l'intérieur de la cuve de traitement est soumis à un traitement de stabilisation au plasma avec un plasma azoté qui contient une teneur négligeable en oxygène dans des conditions dans lesquelles la pression dans la cuve de traitement est comprise entre 532 et 833 Pa inclus et le débit masse de l'oxygène gazeux dans le gaz de traitement total est entre 1,5 et 5 % en volume inclus.

本発明は、ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成し、ボンドウェーハとベースウェーハの表面とを貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させた後、剥離面の平坦化処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハとして、イオン注入層を形成する領域の抵抗率が0. 2Ωcm以下のシリコン単結晶ウェーハを用い、イオン注入層を形成するイオンのドーズ量を、4×1016/cm2以下としてイオン注入層を形成し、剥離面の平坦化処理をHClガスを含む雰囲気中で熱処理することによって行う貼り合わせウェーハの製造方法である。
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche collée, comportant les étapes suivantes : une couche d'injection d'ions est formée dans une tranche de liaison ; les surfaces de la tranche de liaison et d'une tranche de base sont collées l'une à l'autre et un traitement d'aplanissement d'une surface de détachement est effectué après que la tranche de liaison a été détachée au niveau de la couche d'injection d'ions ; une tranche monocristalline en silicium présentant une résistivité de 0,2 Ωcm ou moins dans la région où est formée la couche d'injection d'ions est employée comme tranche de liaison ; la couche d'injection d'ions est formée, le dosage d'ions formant ladite couche d'injection d'ions étant au plus de 4×1016/cm2 ; et le traitement d'aplanissement de la surface de détachement est effectué par un traitement thermique sous une atmosphère contenant du gaz HCl.

シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法が提供される。 選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を66.
L'invention concerne un procédé de nitruration sélective de silicium par plasma, caractérisé par une grande vitesse de nitruration et une dose quantitative élevée d'azote sur un objet à traiter dont une surface de silicium et une couche de composé de silicium ont été exposées.