ボーダ・ゲートウェイ・プロトコル oor Frans
ボーダ・ゲートウェイ・プロトコル
Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans
Border Gateway Protocol
fr
Protocole d'acheminement principal d'Internet. Il fonctionne en maintenant une table de réseaux IP ou 'préfixes' par lesquels il est possible d'atteindre d'autres systèmes autonomes.
Geskatte vertalings
Vertoon algoritmies gegenereerde vertalings
voorbeelde
Advanced filtering
Voorbeelde moet herlaai word.
ウォーターゲート事件を担当したベテランジャーナリストのカール・バーンスタインと、ヴァチカン事情の専門家マルコ・ポリティの二人が、1990年代時点でアンナ=テレサ・ティミエニエツカ本人に取材し、ヨハネ・パウロ2世との関係性を調査した最初の人物である。
La période d’applicationdes mesures doit, dès lors, être prorogéeLASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
第1のスイッチング素子10は、基板11の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体13と、半導体層積層体13の上に形成されたゲート電極18、第1のオーミック電極16及び第2のオーミック電極17と、基板11の裏面に形成された裏面電極20とを有している。
Je souscris pleinement à l'objectif premier et dernier, qui est de protéger la santé du consommateur.patents-wipo patents-wipo
まず、半導体基板1の上に、ゲート絶縁膜(3)を形成し、形成したゲート絶縁膜(3)の上に、TiN膜(4)及びポリシリコン膜(5)を順次形成する。 続いて、ポリシリコン膜(5)にTiN膜(4)を露出するコンタクトホール(5a)を形成する。
Tout le monde a été évacuépatents-wipo patents-wipo
シリコン半導体支持基板1の上面に設けられた積層膜(3nm以上4nm以下の第1のシリコン酸化膜2/0.3nm以上2nm以下のシリコン窒化膜3/5nm以上10nm以下の第2のシリコン酸化膜4/3nm以上20nm以下の膜厚)を有するSOI層5と、上記構造に所定の間隔を介して互いに対向して設けられたソース・ドレイン拡散層6と、当該ソース拡散層とドレイン拡散層の間の上記半導体基板の表面上に形成されたゲート絶縁膜7と、上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極8を具備してなる電界効果型半導体装置において、シリコン支持基板1から電圧を印加することにより、直接トンネル効果によって電荷をシリコン窒化膜3に一定時間保持してしきい電圧を調整する。
Des fois je me pose des questions sur toi, Sampatents-wipo patents-wipo
巻き取り機構部18には、スプール14とともに回転する主回転軸30にワンウェイクラッチ40を介して同軸に設けられた動伝部材44を備える。
À la suite des attentats terroristes de septembre 2001, le gouvernement du Canada a adopté un nombre considérable d'initiatives liées à la sécurité dans le cadre de la SPAT et de la DFI afin de répondre aux préoccupations accrues concernant la sécurité en Amérique du Nord.patents-wipo patents-wipo
本発明は、ゲートリーク電流を低減しながら、電子移動度が高く、閾値電圧の均一性、再現性に優れ、エンハンスメント型にも適用可能な半導体装置を提供する。
Et moi, je suis sensé faire quoi?patents-wipo patents-wipo
ゲート電極層(GE)およびサイドウォール(SW)をマスクとして、MOSトランジスタのソース/ドレイン領域を形成するために不純物が導入される。
Les eaux limitées par une ligne commençant en un point situé par #° #′ nord et #° #′ ouest; de là plein ouest jusqu’à #° #′ ouest; puis plein sud jusqu’à #° #′ nord; puis plein est jusqu’à #° #′ ouest; de là plein nord jusqu’au point de départpatents-wipo patents-wipo
開閉可能なゲート型パネル(18)を、起立した閉位置に保持する車輌の荷台用パネルロック装置において、ゲート型パネル(18)及びゲート型パネル(18)に隣り合う荷台パネル(16)のうち、いずれか一方のパネルに設けられたレバー支持部(22)に、回動自在に支持されたロックレバー(24)と、ロックレバー(24)の途中に回動自在に連結された可動フック(25)と、ゲート型パネル(18)及び荷台パネル(16)のうち、他方のパネルに設けられ、ゲート型パネル(18)が閉位置の時に、可動フック(25)が係合可能な固定側第1フック(21)と、一方のパネルに設けられ、前記可動フック(25)が係合可能な固定側第2フック(26)と、を備えている。
Le menu Aidepatents-wipo patents-wipo
一実施の形態として、高抵抗β-Ga2O3基板2上に形成されたβ-Ga2O3単結晶層3と、β-Ga2O3単結晶層3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、β-Ga2O3単結晶層3上のソース電極12とドレイン電極13との間に形成されたゲート電極11と、β-Ga2O3単結晶層3の表面のソース電極12とゲート電極11との間の領域及びゲート電極11とドレイン電極13との間の領域を覆う、酸化物絶縁体を主成分とする絶縁膜16と、を有するGa2O3系MISFET10を提供する。
que cette disposition a pour objet de faciliter les relations personnelles au sein de la Communauté élargiepatents-wipo patents-wipo
シャムウェイ さん を 守 っ て る の ?
J' ai continué à creuserOpenSubtitles2018.v3 OpenSubtitles2018.v3
プロトコル遅延測定装置及びプロトコル遅延測定方法
Ça n' a rien de religieuxpatents-wipo patents-wipo
―啓示 6:6,ウェイマス訳,第五版。
Je veux lui sauver la viejw2019 jw2019
第1及び第2のNMOSのアクセストランジスタが、基板に垂直な方向に階層的に配置された第1の拡散層、柱状半導体層及び第2の拡散層と、柱状半導体層の側壁のゲートとから形成され、第3及び第4のNMOSのドライバトランジスタが、基板に垂直な方向に階層的に配置された第3の拡散層、柱状半導体層及び第4の拡散層と、柱状半導体層の側壁のゲートとから形成され、第1及び第2のPMOSのロードトランジスタが、基板に垂直な方向に階層的に配置された第5の拡散層、柱状半導体層及び第6の拡散層と、柱状半導体層の側壁のゲートとから形成される半導体記憶装置において、 第3の拡散層の上端と第4の拡散層の下端の間の長さは、第1の拡散層の上端と第2の拡散層の下端の間の長さ、又は、第5の拡散層の上端と第6の拡散層の下端の間の長さより短いことを特徴とする。
Câbles avec isolant thermoplastique de tension assignée au plus égale à # V-Partiepatents-wipo patents-wipo
本発明の薄膜トランジスタ(半導体装置)60は、ゲート電極65と、半導体膜67と、前記ゲート電極65と前記半導体膜67との間に形成されたゲート絶縁膜66と、を備え、前記ゲート絶縁膜66が、前記ゲート電極65側から第1ゲート絶縁膜66aと第2ゲート絶縁膜66bを有してなり、前記第1ゲート絶縁膜66aは、前記第2ゲート絶縁膜66bよりも相対的にゲート電極65からゲート絶縁膜66への電子のトラップが少なく、前記第2ゲート絶縁膜66bは、前記第1ゲート絶縁膜66aよりも相対的にゲート絶縁膜66から半導体層67への電子のトラップが少ないことを特徴とする。
Ne perdez pas de temps à réfléchirpatents-wipo patents-wipo
1列に配置された4個のMOSトランジスタを用いて構成された2入力NAND回路において、前記NAND回路を構成するMOSトランジスタは、基板上に形成された平面状シリコン層上に形成され、ドレイン、ゲート、ソースが垂直方向に配置され、ゲートがシリコン柱を取り囲む構造を有し、前記平面状シリコン層は第1の導電型を持つ第1の活性化領域と第2の導電型を持つ第2の活性化領域からなり、それらが平面状シリコン層表面に形成されたシリコン層を通して互いに接続されることにより小さい面積のNAND回路を構成する半導体装置を提供する。
On ne diraitjamais qu' il y a # ans vous étiez ouvrier agricole!patents-wipo patents-wipo
予め定めたサービス又はグループに係る無線端末装置、中継装置、中継装置と接続する基地局装置、ゲートウェイ装置、及び移動管理装置を備える通信システムにおいて、中継装置において、登録処理部は、自装置の登録を要求することを示す第1の登録要求信号を前記移動管理装置に対して送信し、自装置と前記ゲートウェイ装置との間の通信経路を示す第1の通信経路情報を受信し、機器判定部は、前記基地局装置に接続する装置として自装置の登録を要求することを示す第1の登録要求信号を前記移動管理装置に対して送信し、自装置と前記ゲートウェイ装置との間の通信経路を示す第1の通信経路情報を受信し、データ転送部は、第1の通信経路情報が示す通信経路を用いてデータを転送する。
Anne, ma chérie... ta mère n' est pas morte, pas vraimentpatents-wipo patents-wipo
アグリゲーション管理方法、アグリゲートノード、デアグリゲートノード
Ça serait plus facile si vous étiez honnête avec moipatents-wipo patents-wipo
高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜
Le menu Aidepatents-wipo patents-wipo
信号にノイズが重畳しにくい表示装置を提供する。 表示装置(10)は、複数の信号線(SL)と、複数のゲート線(GL)と、駆動部とを備える。
La créature que tu portes dans tes bras?patents-wipo patents-wipo
「しかし,ウォーターゲート事件の究極的な目標は,政治上の手順そのものをひそかに損い,大統領選挙を“有利に運ぶ”ことであったと思われる。
Je demande qu' on arrête de faire ces réunions, que George Costanza avait instauréesjw2019 jw2019
反強誘電体ゲートトランジスタおよびその製造方法、不揮発性メモリ素子
Agent Hellboy,tirez!patents-wipo patents-wipo
ゲート を 再び 開き 治療 法 を 見つけ これ を 終え る
Sauf dispositions spécifiques contraires prévues par le présent code et sans préjudice du paragraphe #,le montant des droits à lOpenSubtitles2018.v3 OpenSubtitles2018.v3
認証制御システムは、宅内に配置され、ゲートウェイ識別情報(ホームGW10のID)を有するホームGW10と、認証情報(認証キー、無線AP40のアドレス及びパスワード、サーバ60のアドレス)を生成して提供するサーバ60と、を備える。
En ce qui concerne les stocks, les producteurs de cordages en fibres synthétiques maintiennent en général leurs stocks à un niveau inférieur à # % du volume de leur production dans la mesure où l’essentiel de la production est fabriqué sur demandepatents-wipo patents-wipo
液晶表示装置(1)は、ガラス基板(7)上に形成された補助容量線(9)上に形成されたゲート絶縁膜(10)と、ゲート絶縁膜(10)上に形成された半導体層(12)と、半導体(12)上に形成されたTFT(5)のドレイン電極(8)と、半導体層(12)を覆うようにゲート絶縁膜(10)上に形成された層間絶縁膜(13)と、層間絶縁膜(13)上に形成されるとともに、層間絶縁膜(13)に形成されたコンタクトホール(15)を介して、ドレイン電極(8)と電気的に接続された画素電極(14)とを備えている。
L'électrode et la barrette en graphite sont généralement livrées sous forme desystème d'électrodes en graphiteprédéfinipatents-wipo patents-wipo
必要なものだけを取るというのが 当時のネットワーク上の皆の姿勢でした ネットワーク上の人々だけに限りません インターネットのプロトコル自体に この姿勢が組み込まれていました
Vous là- bas... qui ruminez!ted2019 ted2019
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