질화붕소 oor Engels

질화붕소

Vertalings in die woordeboek Koreaans - Engels

boron nitride

naamwoord

chemical compound

다공성 질화붕소 및 이의 제조방법
Porous boron nitride and method for manufacturing same

voorbeelde

그런데 반도체에 붕소나 ‘알루미늄’을 첨가하면 어떻게 되는가?
Now, what if boron or aluminum is added to the semiconductor material?

본 발명은 리튬 삽입·방출 가능한 리튬 복합 산화물 및 붕소 화합물을 함유하는 전극 활물질을 제공한다. 상기 전극활물질을 리튬 이차 전지의 양극 활물질로 사용하면, 리튬 이차 전지에 향상된 출력과 우수한 사이클 특성을 부여할 수 있다.
The present invention provides an electrode active material, containing a boron compound and a lithium composite oxide capable of intercalation and disintercalation of lithium.

상기 연마 슬러리 조성물은 연마제가 함유된 연마제 서스펜션 100 중량부와 첨가제 용액 40 내지120 중량부의 혼합물이되, 상기 첨가제 용액은 용매 100 중량부, 실리콘 질화막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부, 및 실리콘막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부를 함유할 수 있다.
The polishing slurry composition may be a mixture of 100 parts by weight of a polishing agent suspension, containing a polishing agent, and from 40 to 120 parts by weight of an additive solution, and the additive solution can contain 100 parts by weight of a solvent, from 0.01 to 5 parts by weight of a silicon nitride film passivation agent and from 0.01 to 5 parts by weight of a silicon film passivation agent.

입자크기의 균일도를 향상시킨 연속식 질화규소 제조장치 및 제조방법
Apparatus and method for continuously preparing silicon nitride with improved particle size uniformity

그 밖에 붕소, 스트론튬, 불소 등등.
and a number of others, such as borate, strontium, and fluoride.

웨이퍼 레벨 패키지 공정이 적용된 발광 소자의 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 소자가 개시된다. 상기 발광 소자는 질화물계 반도체 구조체, 제1 및 제2 금속범프, 파장변환부, 렌즈부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 금속범프들은 상기 파장변환부 및 상기 렌즈부에 비해 하향 돌출된 것이다.
Disclosed are a light-emitting element manufacturing method, to which a wafer level package process is applied, and a light-emitting element manufactured by the same.

본 발명은 편광소자의 아연, 붕소 및 칼륨의 함량이 특정한 범위로 제어된 내구성, 특히 내열성이 우수한 편광소자, 편광판, 화상표시장치 및 편광소자의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an outstandingly durable and more particularly heat-resistant polarising element, polarising plate and image-display device in which the zinc, boron and potassium contents are controlled within a specific range, and to a production method for the polarising element.

우수한 광 산란특성을 확보함과 더불어, 3-마스크 공정의 도입에 따른 마스크 공정 수의 절감 을 통해 생산 단가 절감 및 생산 수율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제 조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 다른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층, n형 질 화물층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 P형 질화물층, P형 질화물층 상에 형성된 전 류 차단패턴, P형 질화물층 및 전류 차단패턴의 상측을 덮도록 형성되며 마주보는 양측 가장자 리가 대칭 구조의 테이퍼 단면을 갖는 투명 도전패턴, 및 전류 차단패턴과 대응되는 위치에 배 치되며 투명도전패턴과 직접 접촉되도록 형성된 P-전극패드을포함하는 것을특징으로 한다.
Disclosed are a nitride semiconductor light-emitting device that may reduce production cost and enhance production yield through a reduction in the number of mask processes due to the introduction of a three-mask process, in addition to ensuring excellent light scattering characteristics, and a method of manufacturing same.

질화물계의 활성층은 p형 반도체층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다.
The n-type semiconductor layer of a nitride group includes aluminum formed on the active layer.

질화물 박막 구조 및 그 형성 방법
Structure of thin nitride film and formation method thereof

그리고 네오디뮴 - 철 - 붕소 자석이 있기 때문에 그들이 응용 프로그램을 찾을 장소를 너무나 강력한 한
And because neodymium- iron- boron magnets are so powerful one of the places they find application is in the generators that sit on top of windmills.

붕소 화합물 함유 전극 활물질 및 이를 이용한 전기화학소자
Electrode active material containing boron compound and electrochemical device using same

질화물계의 p형 반도체층은 적어도 도핑 보강층의 전극 형성부가 노출되게 도핑 보강층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다.
The active layer of a nitride group includes aluminum formed on the p-type semiconductor layer.

특히, 상기 질화물 성장용 시드층을 GaN 파우더로 형성하여 질화물을 성장시킨 결과, 질화물과 실리콘의 격자 상수 차이로 인하여 발생하는 선결함(dislocation)을 최소화할 수 있었다.
In particular, when the nitride is grown by manufacturing the seed layer for growing the nitride from GaN powder, dislocation due to the difference in the lattice parameters of the nitride and the silicon is minimized.

본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 스트레인 완충층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 활성층은 발광 MQW 및 비발광 MQW를 포함하며, 상기 비발광 MQW는 4성분계 질화물 반도체로 형성되는 양자장벽층을 포함한다.
A nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises an n-type nitride semiconductor layer, a strain buffer layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer, wherein the active layer comprises a light emitting MQW and a non-light emitting MQW, and the non-light emitting MQW comprises a quantum barrier layer formed of a 4-component nitride semiconductor.

깨끗한 토양은 중요한 문제입니다. -- 질화작용, 멕시코만의 데드 존을 예로 들 수 있는 언급되지 않고 있는 근본적인 이슈죠.
Clean soil is a critical problem -- the nitrification, the dead zones in the Gulf of Mexico.

본 개시는 n형 3족 질화물 반도체층, p형 3족 질화물 반도체층 및 이들 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 생성되는 활성층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 활성층은, 제1 에너지밴드 갭을 가지는 양자우물층 및 제1 에너지밴드 갭보다 작은 제2 에너지밴드 갭을 가지며, 양자우물층 내에 개재되는 파동함수 국소화 유도층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The present disclosure relates to a group III nitride semiconductor light emitting device comprising an n-type group III nitride semiconductor layer, a p-type group III nitride semiconductor layer, and an active layer interposed between the two semiconductor layers to generate light by the re-combination of electrons and holes, wherein said active layer includes a quantum well layer having a first energy band gap, and a wave function localization guide layer which has a second energy band gap smaller than the first energy band gap, and is disposed within the quantum well layer.

수직형 채널을 구비하는 질화물계 트랜지스터 및 이의 제조 방법
Nitride-based transistor having vrtical channel and method for manufacutring same

복합 질화물 형광체, 및 이를 포함하는 발광 장치
Composite nitride phosphor and light emitting device comprising same

본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조체; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명 산화물 전극층; 상기 투명 산화물 전극층과 전기적으로 연결되며, 나노와이어를 포함하여 형성되는 나노와이어층; 및 상기 투명 산화물 전극층 또는 상기 나노와이어층과 전기적으로 연결되는 p측 전극 패드;를 포함한다.
A nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises: a light emission structure including an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer; a transparent oxide electrode layer formed on the p-type nitride semiconductor layer; a nanowire layer electrically connected with the transparent oxide electrode layer and including nanowires; and a p-sided electrode pad electrically connected with the transparent oxide electrode layer or the nanowire layer.

금속실리콘산질화물계 형광체를 이용한 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법, 할로질화물 적색 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자
Manufacturing method for silicon nitride fluorescent substance using metal silicon oxynitride fluorescent substance, halo-nitride red fluorescent substance, manufacturing method for same and light emitting element comprising same

템플레이트, 그 제조방법 및 이를 이용한 수직형 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
Template, method of manufacturing same, and method of manufacturing a vertical type nitride semiconductor light-emitting device

본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광 소자는 베이스 기판, 버퍼층, 도핑 보강층, p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층, p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
The buffer layer of a nitride group is formed on the base substrate.

본 개시는 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층과 활성층의 상,하부에 각각 배치되는 3족 질화물 반도체층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 복수의 3족 질화물 반도체층 위에 위치하며, 상면과 하면을 가지는 투광성 전극으로, 상면이 제거되되 하면이 들어나지 않도록 홈이 형성되어 있는 투광성 전극; 그리고, 홈의 저면에 형성되고 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The present disclosure relates to a group III nitride semiconductor light emitting element comprising: a plurality of group III nitride semiconductor layers comprising an active layer which generates light by using electron-hole recombination, and group III nitride semiconductor layers respectively disposed on the upper and lower parts of the active layer; a light-transmitting electrode having an upper surface and a lower surface, which is positioned on top of the plurality of group III nitride semiconductor layers and is formed with a recess such that the upper layer is removed while the lower layer is unexposed; and projections which are formed on the floor surface of the recess and scatter the light generated in the active layer.

본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The active layer contains indium gallium nitride (InGaN), and the barrier layer is formed by alternately stacking an aluminum gallium nitride (AlGaN) thin film and an indium gallium nitride (InGaN) thin film.