도체 oor Engels

도체

Vertalings in die woordeboek Koreaans - Engels

conductor

naamwoord

따라서, 드레인 밸브 내부 도체를 통해 광대역 특성을 향상 시킬 수 있다.
Thus, it is possible to enhance broadband properties through an internal conductor of a drain valve.

carcasses

naamwoord

Soortgelyke frases

반도체 레이저
laser diode

주문형 반도체
application-specific integrated circuit

불순물 반도체
extrinsic semiconductor

NXP반도체
NXP Semiconductors

도체검사
postmortem examination

반도체 소자
semiconductor devices

무기 반도체
inorganic semiconductor

상보성 금속 산화막 반도체
CMOS

N형 반도체
n-type semiconductor

voorbeelde

본 발명은 반도체 양자점 감응형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 기판 상부에 4족 원소 및 InP를 함유하는 반도체층을 형성한 후, 상기 반도체층이 형성된 기판을 열처리하여 In(Indium)을 제거하고 P(phosphorus)가 도핑된 4족 원소 양자점인 n형 반도체 양자점을 형성하는 양자점 형성 단계;를 포함하는 특징이 있다.
The present invention relates to a production method for a semiconductor quantum dot sensitized type of solar cell, and, more specifically, the production method of the present invention comprises: a quantum dot forming step in which a semiconductor layer containing a group 4 element and InP is formed on a substrate and then the substrate on which the semiconductor layer has been formed is subjected to a heat treatment, thereby forming n-type semiconductor quantum dots constituting group-4-element quantum dots from which the In (indium) has been removed and which have been doped with P (phosphorus).

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 내부에서 발생한 열을 본딩 시 이용되는 내부커넥터를 이용하여 효과적으로 반도체 장치의 외부로 방출시킬 수 있는 방열 특성이 개선된 반도체 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor device and, more specifically, to a semiconductor device having improved heat-dissipation characteristics, which is capable effectively discharging heat, which is generated inside the semiconductor device of a three-dimensional laminated structure, to the outside of the semiconductor device by utilizing an internal connector used during bonding.

상기 하전 입자 또는 하전 입자 물질층을 태양전지의 광흡수층에 인접하여 설치함으로서 하전 입자의 전하에 의한 내장전계를 형성하여 반도체 내에서 생성된 전자와 정공의 재결합을 감소시키는 동시에 전극에의 수집효율을 개선하여 효율을 증대시킬 수 있다.
An implemented embodiment of a solar cell according to the present invention provides a solar cell comprising charged particle material between two electrodes disposed to face each other.

그러나 그러한 용수철은 전기의 양도체이기 때문에 전기 ‘스위치’나 ‘모우터’의 ‘브러쉬’에 압력을 가하는 데 자주 사용된다.
But because they are good electrical conductors, they are frequently used in electrical switches or to apply the pressure on the brushes found in motors.

본 발명은 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 발광소자는 활성층을 가지고, 활성층의 형성은: InN가 지배적인 박막과 GaN이 지배적인 박막을 교대로 반복 적층하는 단계; 그리고, 교대로 반복 적층된 InN가 지배적인 박막과 GaN이 지배적인 박막에 승온 열처리하여 InxGa1-xN(0
The present invention relates to a preparation method of a semiconductor light emitting device, and a semiconductor light emitting device prepared thereby, wherein the semiconductor light emitting device has an active layer, and a preparation method of the active layer comprising the following steps of: repeatedly laminating an InN-dominant thin film and a GaN-dominant thin film by turns; and increasing the temperature and heat treating the alternately and repeatedly laminated InN-dominant thin films and GaN-dominant thin films to form an InxGa1-xN (0

그런데 반도체에 붕소나 ‘알루미늄’을 첨가하면 어떻게 되는가?
Now, what if boron or aluminum is added to the semiconductor material?

그러므로 조그만 흙덩어리는 많은 전류를 이동시키지 않을지라도 지각이 너무나 광대하기 때문에 전체적으로 하나의 양도체를 이룬다.
So even though a small clump of earth might not carry much current, the earth’s crust is so vast that, all together, it is an excellent conductor.

상기 경화성 조성물은, 고온에서의 내열성 및 내크렉성이 우수하고, 가스 투과성이 낮아서, 예를 들어 반도체 소자에 적용되어 초기 성능이 우수하고, 고온에서 장시간 사용되어서 안정적으로 성능이 유지되는 소자를 제공할 수 있다.
The curable composition has excellent heat-resistance at a high temperature and crack-resistance, and low gas permeability.

이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치
Anisotropic conductive film, and semiconductor device using same

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 배치된 반사전극; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.
The light-emitting device according to one embodiment comprises: a light-emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer formed beneath the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer formed beneath the active layer; a reflective electrode arranged beneath the light-emitting structure, and having a first region arranged beneath the second conductive semiconductor layer and a second region extending from the first region and penetrating through the second conductive semiconductor layer and the active layer; and an electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer.

상기와 같은 MEMS 프로브용 카드 및 그의 제조 방법을 이용하는 것에 의해, 정밀한 저항값을 얻을 수 있으며, 반도체 IC등의 테스트 장치에서의 전력 변화에 대응할 수 있다.
By using the above-described MEMS probe card and method of manufacturing same, precise resistance values may be obtained, and responses may be made to power changes in test equipment, such as for semiconductor ICs.

본 발명은, 다수의 통공을 구비한 러버소재의 시트부; 및 상기 통공에 설치되고, 일단은 테스트 대상의 솔더볼에 접촉되고, 타단은 테스트 장치의 단자에 접속하는 플렉시블 콘택트핀을 포함하는, 반도체 패키지 및 기판 검사용 소켓, 이에 사용되는 플렉시블 콘택트핀, 및 이 플렉시블 콘택트핀의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a socket for inspecting a semiconductor package and a substrate, a flexible contact pin used therein, and a method for manufacturing the flexible contact pin, the socket comprising: a seat portion made of a rubber material and having a plurality of through holes; and a flexible contact pin having one end connected with a solder ball to be tested and the other end connected with a terminal of a test device.

본 발명은 육각형 GaN의 피라미드의 반도체층의 꼭대기영역에만 선택적 결정성장을 실시하여, 백색 LED 제조를 위해 청색에서 적색까지의 파장범위를 가지는 활성층을 형성할 수 있도록 하는 LED의 제조방법 및 이에 의해 제조된 LED에 관한 것으로, 제 1 반도체층(1)을 형성하는 단계, 제 1 반도체층(1) 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층(5)을 형성하는 단계, 제 2 반도체층(5)의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층(8)을 형성하는 단계 및 제 3 반도체층(8) 위에 활성층을 포함하는 반도체층(9)을 형성하는 단계로 구성된다.
The present invention relates to a LED manufacturing method, which practices selective crystal growth only in the apex area of a semiconductor layer made of GaN in the shape of a hexagonal pyramid, thereby forming an active layer having a wavelength range from blue to red colors to manufacture a white LED, and a LED manufactured by the same, the method comprising the steps of: forming a first semiconductor layer (1); forming a second semiconductor layer (5) on the first semiconductor layer (1) by selective crystal growth such that the second semiconductor layer (5) has a pointed vertex portion; forming a third semiconductor layer (8) on the vertex portion of the second semiconductor layer (5) by selective crystal growth such that the third semiconductor layer (8) has various crystal faces; and forming a semiconductor layer (9), which includes an active layer, on the third semiconductor layer (8).

본 발명은 시스템온칩상에서 주문형반도체(ASIC) 기반의 하드웨어로 구성되어 휴대단말기로 유입되는 악성코드를 검출하는 기술에 관한 것이다.
The present invention relates to a technique for configuring a system-on-a-chip and application-specific integrated circuit (ASIC)-based hardware for detecting malicious code intruding on a mobile device.

지금은 인텔에 있는 빌 버토우의 논문에서 제안된 것이며 빌은 점점 커지고 있는 반도체칩을 개발하는 대신에 점성이 있는 매질에 그것들을 집어 넣는다거나 파운드 단위나 제곱인치 단위로 만들면 어떨까 생각했습니다.
This was from a thesis of a student, Bill Butow, now at Intel, who wondered why, instead of making bigger and bigger chips, you don't make small chips, put them in a viscous medium, and pour out computing by the pound or by the square inch.

또한, 경화체는 고온 내열성 및 가스 배리어성 등이 우수하다. 경화체는, 예를 들면, 반도체 소자의 봉지재나 접착 소재로 적용될 수 있다.
A cured product, for example, can be applied as a sealant or an adhesive material for a semiconductor device.

반도체메모리
Semi-conductor memories

웨이퍼 레벨 패키지 공정이 적용된 발광 소자의 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 소자가 개시된다. 상기 발광 소자는 질화물계 반도체 구조체, 제1 및 제2 금속범프, 파장변환부, 렌즈부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 금속범프들은 상기 파장변환부 및 상기 렌즈부에 비해 하향 돌출된 것이다.
Disclosed are a light-emitting element manufacturing method, to which a wafer level package process is applied, and a light-emitting element manufactured by the same.

‘게르마늄’(독일 화학자가 발견하였기 때문에 독일[Germany] 이름을 따서 명명하였다)과 ‘실리콘’이 가장 널리 알려진 반도체이다.
Germanium (discovered by a German chemist and named after Germany) and silicon are the most widely known semiconductor materials.

마이크로 플루이딕 반도체 센서
Microfluidic semiconductor sensor

반도체 소자 제조 방법을 개시한다.
Disclosed is a semiconductor element production method.

반도체 패키지 및 그 제조 방법
Semiconductor package and method for manufacturing same

극단파 백색광, 근적외선 및 원자외선을 이용한 반도체 산화물의 복합 광 어닐링 및 소결 방법
Complex light annealing and sintering method for semiconductor oxide, using intense pulsed light, near infrared ray and far ultraviolet ray

적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하고 제1 반도체 나노입자 및 제1 전도성 고분자를 함유하는 제1 광활성층, 상기 제1 광활성층 상에 위치하는 그래핀층, 상기 그래핀층 상에 위치하고 제2 반도체 나노입자 및 제2 전도성 고분자를 함유하는 제2 광활성층 및 상기 제2 광활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 반도체 나노입자와 상기 제2 반도체 나노입자는 서로 다른 밴드갭을 갖는다.
According to the present invention, an optical absorption bandwidth of the photoactive layer can be extended, and heat generation from solar cells can be reduced as much as possible and optical absorption can be maximized.

우수한 광 산란특성을 확보함과 더불어, 3-마스크 공정의 도입에 따른 마스크 공정 수의 절감 을 통해 생산 단가 절감 및 생산 수율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제 조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 다른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층, n형 질 화물층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 P형 질화물층, P형 질화물층 상에 형성된 전 류 차단패턴, P형 질화물층 및 전류 차단패턴의 상측을 덮도록 형성되며 마주보는 양측 가장자 리가 대칭 구조의 테이퍼 단면을 갖는 투명 도전패턴, 및 전류 차단패턴과 대응되는 위치에 배 치되며 투명도전패턴과 직접 접촉되도록 형성된 P-전극패드을포함하는 것을특징으로 한다.
Disclosed are a nitride semiconductor light-emitting device that may reduce production cost and enhance production yield through a reduction in the number of mask processes due to the introduction of a three-mask process, in addition to ensuring excellent light scattering characteristics, and a method of manufacturing same.