L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs haute fréquence, où une première couche isolante, une couche de polysilicium épitaxiale non dopée pourvue d'une structure cristalline en forme de colonne, une seconde couche isolante et une couche semi-conductrice sont formées dans cet ordre sur une surface d'un substrat à semi-conducteurs, en partant du côté de cette surface, et un transistor haute fréquence est formé à l'endroit où la couche semi-conductrice est tournée vers la couche de polysilicium épitaxiale non dopée par le biais de la seconde couche isolante.
頭 中将 左 大臣 の 子 で 、 葵 の 上 の 同腹 の 兄 。patents-wipo patents-wipo