エッチング oor Frans

エッチング

Vertalings in die woordeboek Japannees - Frans

eau-forte

naamwoord vroulike

procédé de gravure en taille-douce

gravure

naamwoord

これにより、シリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制することができる。
Par conséquent, l'irrégularité de la profondeur de gravure sèche de la couche de silicium peut être supprimée.

voorbeelde

シリコンエッチング液およびエッチング方法
Agent de gravure du silicium et procédé de gravure

樹脂成形体に対するエッチング処理用組成物
Composition PERMETTANT UN traitement d'attaque chimique d'un article MOULÉ en RÉSINE

有効チップ領域(AA)内においてパターニングされた最上層金属層(AL3)の真上に位置する層間絶縁層(II4)の上面の一部が選択的にエッチングされることにより除去された上で、層間絶縁層(II4)の上面が平坦化される。
Après retrait d'une partie de la surface supérieure de la couche isolante intercouches (II4) par gravure sélective, ladite partie étant positionnée directement au-dessus de la couche métallique (AL3) de couche la plus haute qui a été dotée de motifs dans la région de puce efficace (AA), la surface supérieure de la couche isolante intercouches (II4) est planarisée.

パターン形成方法は、基板上に、有機物を含むパターン1を形成する工程Aと、パターン1を覆う膜2を形成する工程Bと、膜2をクラスターイオンでエッチングして膜2の一部を除去し、パターン1の少なくとも一部を表出させる工程Cと、を含む。
L'invention concerne un procédé de formation de motifs comprenant: une étape (A) de formation d'un motif (1), qui comprend une substance organique, sur un substrat; une étape (B) de formation d'un film (2) pour recouvrir le motif (1); et une étape (C) d'exposition d'au moins une partie du motif (1) par élimination d'une partie du film (2) par attaque chimique du film (2) à l'aide d'ions de Cluster.

除去後ドライエッチングを行うことで保護膜層の一部を露出させることで、より高い二次放電係数を持つ保護膜層の生成を可能とする。
Par exposition d'une partie de la couche de film protecteur par gravure sèche après le retrait, la couche de film protecteur ayant un coefficient de décharge secondaire plus élevé peut être formée.

銅-コバルト-ニッケル合金めっきからなる粗化処理を施した銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板において、銅箔回路エッチング後に液晶ポリマー樹脂表面上の粗化粒子残渣のない、銅張積層板を提供する。 銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板であって、当該銅箔は液晶ポリマーとの接着面に、銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層とが形成されており、該一次粒子層の平均粒子径が0. 25-0.45μmであり、該二次粒子層の平均粒子径が0.
L'invention concerne un stratifié plaqué cuivre pouvant être obtenu par liaison d'un polymère à cristaux liquides à une feuille de cuivre rugueuse constituée d'un placage en alliage de cuivre-cobalt-nickel, et qui est exempt de résidu de particules rugueuses sur la surface de résine en polymère liquide après gravure de circuit sur feuille de cuivre.

セラミックス基板にロウ材を介して金属板を接合して接合体を得る接合工程と、前記接合した金属板をエッチングして回路パターンを形成するパターン形成工程とを有するセラミックス回路基板の製造方法であって 前記ロウ材がAgを含み、 前記回路パターンを形成した基板を、さらにカルボン酸及び/又はカルボン酸塩、並びに過酸化水素を含む酸性の溶液でエッチングして不要なロウ材を除去する工程を有することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
L'invention concerne un procédé de fabrication de carte de circuit céramique, comprenant les étapes suivantes : collage d'une plaque métallique avec un substrat de céramique en interposant entre eux un matériau de brasure, permettant d'obtenir un corps collé ; formation d'un motif, la plaque métallique collée étant soumise à une gravure, permettant de former un motif de circuit.

ダイアフラム型共振MEMSデバイスの製造方法は、シリコン基板の第1の面に、熱酸化により、又は900°C以上の熱処理を含むプロセスにより形成する第1のシリコン酸化膜、絶対値が100[MPa]以下の応力を有する第2のシリコン酸化膜、下部電極、圧電体膜、上部電極を当該順に積層する積層工程と、シリコン基板の第1の面の反対側の面を、深堀り反応性イオンエッチングにより第1のシリコン酸化膜に到達するまでエッチング加工して凹部を形成するエッチング工程とを含み、第1のシリコン酸化膜の膜厚をt1、第2のシリコン酸化膜の膜厚をt2、第1のシリコン酸化膜の膜厚と第2のシリコン酸化膜の膜厚との和に対する第2のシリコン酸化膜の膜厚の割合t2/(t1+t2)をR2とすると、0.10[μm]≦t1≦2.00[μm]、かつ、R2≧0.
Si t1 est l'épaisseur de film du premier film d'oxyde de silicium, t2 est l'épaisseur de film du deuxième film d'oxyde de silicium et R2 vaut t2/(t1 + t2), autrement dit le rapport de l'épaisseur de film du deuxième film d'oxyde de silicium à la somme de l'épaisseur de film du premier film d'oxyde de silicium et de l'épaisseur de film du deuxième film d'oxyde de silicium, t1, t2 and R2 satisfont les expressions relationnelles 0,10 [μm] ≤ t1 ≤ 2,00 [μm] and R2 ≥ 0,70.

圧電薄膜上に形成する電極の耐電力性を向上させるとともに、エッチング液の濃度やエッチング時間を大幅に低減させることができる圧電デバイス、及び該圧電デバイスの製造方法を提供する。
Selon la présente invention, dans le but d'améliorer la durabilité de puissance d'une électrode formée sur un film piézoélectrique, un dispositif piézoélectrique et son procédé de fabrication sont capables de réduire fortement la concentration d'une solution de gravure et un temps de gravure.

シリコン含有膜のエッチング方法
Procédé pour graver un film contenant du silicium

樹脂フィルム(10)の一方側の表面に銅層(20)を固着させ、銅層(20)を選択的にエッチングすることにより回路パターン層(21)を形成し、回路パターン層(21)を形成した後に、樹脂フィルム(10)の一方側の表面とは反対側の表面にアルミニウム箔(30)を固着させる。
Après la formation de la couche de motifs de circuits (21), une feuille d'aluminium (30) est fixée à une autre surface du film de résine (10), ladite autre surface étant sur le côté envers de la première surface mentionnée ci-dessus.

ドライエッチング用チャンバー内部材の製造方法
Procédé de production d'un membre interne d'une chambre de gravure à sec

また、該フィルムマスクを被処理物表面に配置し、該表面をエッチングして凹凸を形成する表面処理方法、並びに当該表面処理方法により処理された基板を持つ光学デバイスを提供する。
Le dispositif optique comprend un substrat ayant été traité par le procédé de traitement de surface.

エッチング液組成物およびエッチング方法
Composition liquide de gravure et procédé de gravure

複数のフォトダイオード(PD)上とMOSトランジスタのゲート電極層(GE)上とを覆うように形成された積層膜(SL)に選択的に異方性エッチングを施すことにより、複数のフォトダイオード(PD)の各々の上に積層膜(SL)が残されて下層反射防止膜(SL)が形成されるとともに、ゲート電極層(GE)の側壁に積層膜(SL)が残されてサイドウォール(SW)が形成される。
Un film anti-réflexion de couche inférieure (SL) est formé sur chaque photodiode parmi une pluralité de photodiodes (PD), un film de stratification (SL) étant laissé sur celui-ci, et une paroi latérale (SW) est formée sur une paroi latérale d'une couche d'électrode de grille (GE), le film de stratification (SL) étant laissé sur la paroi latérale, en effectuant une gravure anisotrope sélective sur le film de stratification (SL) formé de manière à recouvrir les photodiodes (PD) et la couche d'électrode de grille (GE) du transistor MOS.

エッチング液及びエッチング方法
Solution de gravure et procédé de gravure

非晶質状態においては、エッチング性に優れ、かつ、結晶質状態では、低いキャリア濃度および高いキャリア移動度を有し、薄膜トランジスタのチャネル層材料として好適な、ビックスバイト型構造のIn2O3 相のみからなる結晶質の酸化物半導体薄膜を提供する。 インジウム、ガリウム、酸素および不可避不純物からなり、前記ガリウムの含有量が、Ga/(In+Ga)原子数比で0. 09~0.
L'invention fournit une couche mince semi-conductrice à oxyde cristalline qui présente d'excellentes propriétés de gravure à l'état amorphe, et qui possède une faible concentration en porteurs de charge et une mobilité de porteurs de charge élevée à l'état cristallin, qui est adaptée en tant que matériau de couche de canal pour un transistor à couches minces, et qui est constituée uniquement d'une phase In2O3 de structure type bixbyite.

本発明のプラズマエッチングガスは、優れたエッチング選択性を有し、かつ、大気寿命が短く、環境負荷が小さいものであり、本発明のプラズマエッチング方法は、表面粗度を上昇させることなく、選択的に、高いエッチング速度でシリコン酸化膜をプラズマエッチングする方法である。
Ce procédé de gravure au plasma grave au plasma de façon sélective un film d'oxyde de silicium à de grandes vitesses de gravure sans provoquer un accroissement de la rugosité de surface.

シリコン含有膜のエッチング方法および装置
Procédé et appareil pour graver des films contenant du silicium

Pf電力及び基台に供給するVpp電力のオーバーシュートが抑制される共に、高いエッチングレートでエッチングすることができるプラズマ制御装置を提供する。
La présente invention concerne un dispositif de commande plasmatique qui peut supprimer le dépassement de la puissance Pf et de la puissance Vpp fournies à une base et qui peut réaliser une gravure à une vitesse élevée.

エッチング液の処理装置及び処理方法
Appareil et procédé pour traiter une solution de gravure

Cuバリア膜(100)上に、銅膜(101)を形成する工程と、銅膜(101)上に、マスク材(102)を形成する工程と、マスク材(102)をマスクに用いて、銅膜(101)をCuバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材(102)を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜(101)上に、銅膜(101)に対して触媒作用があり、Cuバリア膜(100)には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜(104)を形成する工程と、を具備する。
L'invention porte sur un procédé comprenant les étapes consistant à : former un film de cuivre (101) sur un film barrière au Cu (100) ; former un matériau de masque (102) sur le film de cuivre (101) ; graver de façon anisotrope le film de cuivre (101) jusqu'à ce que le film barrière au Cu (100) soit exposé, à l'aide du matériau de masque (102) servant de masque ; et enlever le matériau de masque (102) et par la suite former un film de placage (104) qui contient une substance pour la suppression de la diffusion du cuivre sur le film de cuivre (101) gravé de façon anisotrope, à l'aide d'un procédé de placage autocatalytique qui utilise un dépôt sélectif dans lequel une action catalytique a lieu au niveau du film de cuivre (101) mais pas du film barrière au Cu (100).

2つのフォトダイオード(PD)上のそれぞれの反射防止膜(AR)の厚みが互いに異なるように、上層反射防止膜(AL)および下層反射防止膜(SL)の少なくともいずれかがエッチングされる。
Le film anti-réflexion de couche supérieure (AL) et/ou le film anti-réflexion de couche inférieure (SL) est gravé de manière à ce que les épaisseurs des films anti-réflexion (AR) sur les deux photodiodes (PD) soient différentes les unes des autres.

エッチング方法は、下層部上にパターン膜部を形成するステップと、前記複数の細線パターン部の各々からの反射光強度を検出するステップと、前記複数の細線パターン部のうちの所定の細線パターン部からの前記反射光強度の変化に応答してエッチングを終了するステップとを備えている。 前記パターン膜部は、基部と、長手方向と直交する方向に異なる幅を持つ複数の細線パターン部とを備え、前記複数の細線パターン部の各々は、直接または他の細線パターン部を介して前記基部に接続され、エッチング後に残されるべき前記下層部の幅に基づいて、前記複数の細線パターン部は決定され、前記複数の細線パターン部の各々は、その下部の前記下層部がエッチングされたとき変形する。
L'invention porte sur un procédé de gravure, qui inclut une étape de formation d'une partie de film de motif sur une partie de couche inférieure, une étape de détection d'intensité de lumière réfléchie à partir de chacune de multiples parties de motif de câblage minces, et une étape de fin de gravure en réponse à un changement de l'intensité de la lumière réfléchie à partir d'une partie de motif de câblage mince prédéterminée parmi les multiples parties de motif de câblage minces.

エッチング方法及び装置
Procédé de gravure et dispositif